极溅射沉积ITO层的过程中，通过调节等离子体气体中的氧流速可以获得这些相对低的吸收(表明相当高的氧化)。当该叠层包含多个TCO层时，必须考虑TCO的总厚度(各个层的厚度的总和)和总吸收。
[0028]该叠层优选包含单一薄均化层，特别是单一金属层。
[0029]在热处理过程中，该薄均化层通常至少部分或甚至完全氧化。该金属、该金属氮化物或该金属碳化物因此至少部分变成相关金属的氧化物。
[0030]优选地，薄均化(特别是金属)层位于透明导电氧化物层的上方，或者如果适用的话，位于距基底最远的透明导电氧化物层的上方。甚至有利的是该叠层的最后一层由此与大气直接接触，特别是为了促进其氧化。
[0031]表述“上方”必须理解为是指薄均化(特别是金属)层与透明导电氧化物的层相比更远离该基底。但是，这种表述不应理解为排除了这两个层之间的直接接触，如下文中更详细地解释的那样。
[0032]在另一实施方案中，该薄均化(特别是金属)层位于透明导电氧化物层下方(在该基底与后者之间，任选但不一定与其接触)，或者如果适用的话，位于距基底最近的透明导电氧化物层的下方。即使在这种情况下，该薄均化(特别是金属)层通常将至少部分氧化，氧能够扩散穿过上覆的层。该实施方案是特别有利的，特别是在该材料意在作为电极的情况下:因为TCO层并非在绝缘层(氧化金属层的情况)下方，更容易保持电接触。
[0033]该薄均化层优选是金属层，所述金属层是选自钛、锡、锆、锌、铝、铈或其任意一种合金，特别是锡和锌的合金或甚至钛和锆的合金的金属层。
[0034]该金属优选不是银、铜或镍与铬的合金。
[0035]该叠层进一步优选地不包含银层。
[0036]在这些金属中，钛已经证实是特别有利的，因为其能够实现高处理速率。
[0037]根据另一实施方案，该薄均化层基于金属氮化物，特别是选自氮化钛、氮化铪、氮化锆或其固溶体的任意一种，特别是钛锆氮化物。
[0038]根据另一实施方案，该薄均化层基于金属碳化物，特别是选自碳化钛、碳化钨或其固溶体的任意一种。
[0039]优选地，该薄均化(特别是金属)层在热处理过程中被至少部分、甚至完全氧化以便不会不利于最终产品的光透射。该最终产品因此通常含有至少部分氧化、或甚至完全氧化的金属或氮化物或碳化物的层，例如Ti0x、Zr0x、TiZr0x、ZnSn0x、Ti0xNy、TiZr0xNy等等。
[0040]为此，该薄均化(特别是金属)层的物理厚度优选为最多15纳米和甚至10纳米或甚至8纳米。该薄均化(特别是金属，更特别是钛)层的物理厚度优选为至少I纳米，甚至2纳米。
[0041]当其位于TCO层上方(如果适用的话，位于距基底最远的TCO层上方)并以作为电极的应用为目标时，该薄均化(特别是金属)层优选相当薄，以致于在氧化后获得的绝缘层不妨碍电接触。该薄均化(特别是金属)层的厚度在这种情况下有利地为最多5纳米。
[0042]在钛的情况下，其至少部分氧化在热处理后获得氧化钛。当需要自清洁性质时，将该钛层放置在TCO层上方(如果适用的话，位于距基底最远的TCO层上方)，该钛层有利地构成该叠层的最后一层，并且获得的钛氧化物优选至少部分以锐钛矿形式结晶。至少4纳米和最多8或10纳米的金属钛厚度是优选的，以使得在处理后钛氧化物的厚度足够高以获得令人满意的光催化活性。如果最终产品不需要光催化性质，至少2纳米和最多5纳米的钛厚度是足够的。
[0043]不用说，分别对TCO层和薄均化(特别是金属)层而言优选的材料的任意组合是可能的，即使明显因简洁的原因未在本文中全部明确提及它们。作为非限制性实例，特别可以提及组合 ITO/Zr、ITO/T1、IT0/ZnSn、AZ0/Zr、AZ0/T1、AZ0/ZnSn、GZ0/Zr、GZ0/T1、GZ0/ZnSn、IT0/TiN、IT0/TiZrN。
[0044]优选地，该叠层覆盖该基底的一个面或甚至该基底的两个面的整个表面。如上所述，该叠层可以仅包含单一的TCO层，但是其当然可以包含两个或多个TCO层，例如三个或四个TCO层。在这种情况下，通常需要单一薄均化(特别是金属)层，后者位于距离该基底最远的TCO层上方。
[0045]该叠层(在热处理前)可以由TCO层和薄均化(特别是金属)层组成，特别是被钛层覆盖的ITO层。
[0046]该叠层还可以包含后者之外的其它层。该叠层特别可以包含在基底与TCO层之间的至少一个介电层和/或在TCO层与薄均化层之间的至少一个介电层。优选地，该薄均化(特别是金属)层是该叠层的最后一个层，并因此在热处理过程中与大气接触。该介电层优选是由铝或硅的氮化物、氧化物或氧氮化物，特别是硅的氮化物或氧氮化物制成的层。
[0047]当该叠层包含多个TCO层时，在这些层的两个之间存在至少一个、优选仅仅一个介电层，特别是基于二氧化硅或(基本)由二氧化硅组成的介电层。该介电层的物理厚度优选为5至100纳米、特别是10至80纳米和甚至20至60纳米。
[0048]该叠层优选不包含可溶于溶剂，特别是水性溶剂的层。
[0049]该叠层在基底与TCO层(如果适用的话为最接近该基底的TCO层)之间特别可以包含至少一个中和层或多个层的叠层。在单一层的情况下，其折射率优选在该基底的折射率与该TCO层的折射率之间。此类层或多个层的叠层能够影响该制品的反射的外观，特别是其反射的颜色。由负b*色坐标表征的蓝色色彩通常是优选的。作为非限制性实例，有可能使用混合的硅锡氧化物(SiSnOx)、氧氮化硅或氧碳化硅、氧化铝或混合的钛硅氧化物的层。包含两个分别具有高折射率和低折射率的层的叠层，例如Ti0x/Si0(N)x、SiNx/Si0x或IT0/Si0x叠层也是可用的，该高折射率层是最接近该基底的层。这一或这些层的物理厚度优选为2至100纳米、特别是5至50纳米。优选的中和层或叠层是由氧氮化娃制成的中和层或SiNx/S1x叠层。
[0050]该中和层或叠层优选与TCO层(如果适用的话为最接近该基底的TCO层)直接接触。当位于后者与基底之间时，该中和层或叠层还可用于阻挡离子如碱金属离子的可能的迀移。
[0051]还有可能在该基底与该中和层或叠层之间放置粘合层。该层(其有利地具有类似于该玻璃基底的折射率)能够通过提高中和层的粘合性来改善耐回火性。该粘合剂层优选由硅或氮化硅制成。其物理厚度优选为20至200纳米、特别是30至150纳米。
[0052]该叠层在该TCO层(如果适用的话为距离该基底最远的TCO层)与该薄均化层之间还可以包含氧阻隔层，所述氧阻隔层优选基于选自氮化物或氧氮化物，特别是硅或铝的氮化物或氧氮化物，或选自钛、锆、锌的氧化物和混合的锌锡氧化物的材料(或基本上由所述材料组成)。可能的材料特别是氮化硅、氮化铝、氧氮化硅、氧氮化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锌、锌锡氧化物或其任一种混合物。非常优选地，该氧阻隔层基于氮化硅或基本上由氮化硅组成。氮化硅确实构成了对氧非常有效的阻隔，并可以通过磁控管阴极溅射快速沉积。术语“氮化娃”不排除存在硅和氮之外的其它原子，或限制该层的实际化学计量。该氮化硅实际上优选包含少量的通过硅靶中的掺杂剂加入的一种或多种原子，通常为铝或硼，其目的在于提高它们的电导率并由此促进其通过磁控管阴极溅射的沉积。该氮化硅可能是氮化学计量的、氮亚化学计量的、或甚至氮超化学计量的。为了其充分发挥阻隔氧的作用，该氧阻隔层(特别是当其基于氮化硅或基本由氮化硅组成时)优选具有至少3纳米、特别是4纳米或5纳米的物理厚度。其物理厚度有利地为最高50纳米、特别是40或30纳米。
[0053]该氧阻隔层可能是沉积在TCO层与薄均化层之间的唯一的层。
[0054]或者，可以在该氧阻隔层与该薄均化(特别是金属)层之间沉积另一层。其特别可以是氧化硅基层，并有利地为二氧化硅层，以减少由该叠层反射的光的量。要理解的是，该二氧化硅可以是掺杂的或并非化学计量的。例如，可以用铝或硼掺杂二氧化硅，目的在于促进其通过阴极溅射法的沉积。该氧化硅基层的物理厚度优选为20至100纳米、特别是30纳米至90纳米，甚至为40至80纳米。
[0055]上述各种优选实施方案当然可以彼此结合，即使在本文中并未明确描述所有可能的组合以避免不必要地延长本文。在该热处理前，该薄层的叠层可能由基底开始相继由TCO层