大于半导体本体102的断裂应变的十倍。半导体本体102的断裂应变可以由半导体本体102的半导体材料来定义，例如由硅的断裂应变来定义。
[0152]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括具有小的脆性的材料，例如延性(ductile)材料或弹性材料。例如，裂纹吸收材料1132可以包括复合材料或弹性体、橡胶、酰亚胺、金属(例如铝)、可打印聚合物、聚合物抗蚀剂或光致抗蚀剂。
[0153]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括具有大于半导体本体区域111的断裂韧性的断裂韧性的材料，例如金属或金属合金。断裂韧性可以被视为材料包含裂纹以抵抗断裂(例如以抵抗机械负载(例如机械应力))而没有引起裂纹生长或者没有其机械性质的故障的能力。材料的断裂韧性可以根据材料中的裂纹在该处开始生长的由远程机械负载引起的或者由剩余应力引起的材料中的裂纹的尖端附近的应力来确定。例如，裂纹吸收材料1132的断裂韧性可以大于大约1MPa m1/2，例如大于大约20MPa m1/20
[0154]根据各种实施例，裂纹吸收区域1130可以至少基本上从第一表面102t延伸到第二表面102b。例如，裂纹吸收区域1130可以延伸通过半导体本体区域111。
[0155]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以布置在沟槽430中(参见图4A)。沟槽430可以延伸到半导体本体102中。沟槽430可以至少部分填充有裂纹吸收材料1132。
[0156]图1lB在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片1150，其中裂纹吸收区域1130可以形成半导体本体区域111的侧壁1130s。根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以布置在半导体本体区域111的侧壁102s上，例如在将半导体芯片1150从晶片702分离之后。根据各种实施例，半导体芯片1150可以通过裂纹吸收材料1132被分离，例如通过切削(例如通过锯切)通过裂纹吸收材料1132。
[0157]图1lC在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片1170，其中半导体芯片1170还包括根据各种实施例可以如本文中所描述地被配置的第一电极区域230a和第二电极区域230b。
[0158]第一电极区域230a和第二电极区域230b可以被布置成使得裂纹吸收区域1130在第一电极区域230a与第二电极区域230b之间延伸。例如，裂纹吸收材料1132可以布置在由第一电极区域230a和第二电极区域230b形成的凹部530中(参见图10A)。
[0159]根据各种实施例，第一电极区域230a、裂纹吸收区域1130和第二电极区域230b可以形成用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构230，如本文中所描述的。裂纹吸收区域1130的电气性质可以定义电容性结构230的介电强度。根据各种实施例，裂纹吸收区域1130可以包括介电裂纹吸收材料1132，例如介电弹性体或介电聚合物。
[0160]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括绝缘材料，例如绝缘聚合物，例如苯并环丁烯(BCB)、酰亚胺(例如聚酰亚胺(PI)或另一酰亚胺)、树脂或抗蚀剂。裂纹吸收材料1132可以与半导体本体102相比(例如与硅相比)更可形变，例如更柔性，作为说明更软。裂纹吸收材料1132可以提供吸收实现到裂纹吸收材料1132中的裂纹传播的“裂纹传播”能量。换言之，裂纹吸收材料1132可以适合于吸收或停止通过裂纹吸收材料1132的裂纹传播。裂纹吸收材料1132还可以在第一电极区域230a与第二电极区域230b之间提供电气隔离，并且可以进一步使得能够测量隔离的变化，例如在裂纹进入裂纹吸收材料1132时。
[0161]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括旋涂玻璃材料，例如硅酸盐或硅氧烷等。例如，裂纹吸收材料1132 (例如旋涂玻璃材料或酰亚胺)可以通过旋转来沉积或涂覆，例如通过旋压(spinning)技术，例如结合溶胶凝胶技术。例如，裂纹吸收材料1132可以以液态形式(例如作为溶胶凝胶或包含在溶剂中)来提供，并且通过流动运动引入到沟槽430中。在将裂纹吸收材料1132引入到沟槽430中之后，可以通过例如对裂纹吸收材料1132或整个半导体芯片回火来使裂纹吸收材料1132硬化。因此，可以在使裂纹吸收材料1132硬化之后将其固定在沟槽430中。根据各种实施例，裂纹吸收材料1132在硬化之后可以是多孔的。多孔形式的裂纹吸收材料1132由于其非均匀性可以是中等绝缘体，但是多孔性可以增加停止或吸收裂纹的能力。
[0162]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括合成材料，例如塑料，例如以上描述的聚合物。例如，裂纹吸收材料1132可以通过注入模制被弓I入到沟槽430中。
[0163]图12图示处理半导体芯片(换言之，集成电路、1C、芯片或微芯片)的方法1200的示意性流程图，其中方法1200可以包括:在1202，在半导体芯片中形成沟槽，沟槽至少部分环绕半导体芯片的半导体本体区域并且至少基本上从半导体本体区域的第一表面延伸到半导体本体区域的与第一表面相对的第二表面；以及在1204，形成包括第一电极区域、第二电极区域以及在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的电绝缘区域的电容性结构;其中至少第一电极区域形成在沟槽中或沟槽处中的至少一项中，使得第一电极区域至少部分环绕半导体本体区域并且至少基本上从第一表面延伸到第二表面。
[0164]根据各种实施例，第一电极区域可以形成在沟槽中，例如沉积在沟槽中(例如类似于图6A)。第一电极区域可以形成在沟槽处，例如从沟槽的侧壁形成(例如类似于图4B)。方法1200也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例进一步被配置。
[0165]图13图示处理半导体芯片的方法1300的示意性流程图，其中方法1300可以包括:在1302，在半导体芯片的侧壁上形成电容性结构；其中电容性结构可以包括由侧壁的掺杂部分形成的半导体电极(也称为包括半导体的第二电极区域)、布置在侧壁之上的金属电极(也称为包括金属或金属合金的第一电极区域)以及布置在金属电极与侧壁之间的电绝缘层(也称为电绝缘区域)；在1304，形成电接触金属电极的第一接触焊盘；以及在1306，形成电接触半导体电极的第二接触焊盘，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘可以被配置成电耦合到测量设备用于在金属电极与半导体电极之间施加电压。方法1300也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例进一步被配置。
[0166]图14图示处理晶片(换言之载体，例如衬底)的方法1400的示意性流程图，其中方法1400可以包括:在1402，在晶片的第一半导体芯片与晶片的第二半导体芯片之间形成沟槽;其中沟槽可以基本上从晶片的第一表面延伸到晶片的与第一表面相对的第二表面;在1404，在沟槽中形成电容性结构；以及在1406，使第一半导体芯片与第二半导体芯片分离，其中电容性结构保持附接到第一半导体芯片。方法1400也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例被进一步配置。
[0167]图15图示处理晶片的方法1500的示意性流程图，其中方法1500可以包括:在1502，形成与晶片的半导体芯片相邻的沟槽;沟槽基本上从晶片的第一表面延伸到晶片的与第一表面相对的第二表面;在1504，在沟槽中形成电容性结构，其中电容性结构可以包括第一电极区域、布置在第一电极区域的第一侧的第二电极区域、布置在第一电极区域的第二侧的第三电极区域、在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的第一电绝缘区域以及在第一电极区域与第三电极区域之间延伸的第二电绝缘区域;其中第一电极区域、第二电极区域和第三电极区域中的至少一个基本上从晶片的第一表面延伸到晶片的与第一表面相对的第二表面；以及在1506，切削晶片穿过沟槽，其中至少第一电极区域和第二电极区域保持附接到半导体芯片。方法1500也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例被进一步配置。
[0168]图16图示处理晶片的方法1600的示意性流程图，其中方法1600可以包括:在1602，形成与晶片的半导体芯片相邻的沟槽；以及在1604，在沟槽中形成裂纹吸收区域，裂纹吸收区域从第一表面沿着朝着第二表面的方向延伸;其中裂纹吸收区域可以具有大于半导体芯片的断裂应变。方法1600也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例进一步被配置。
[0169]图17图示处理半导体芯片的方法1700的示意性流程图，其中方法1700可以包括:在1702，在半导体芯片中形成沟槽;其中沟槽可以至少部分环绕半导体芯片的半导体本体区域并且从半导体本体区域的第一表面沿着朝着半导体本体区域的与第一表面相对的第二表面的方向延伸；以及在1704，在沟槽中形成裂纹吸收区域，其中裂纹吸收区域可以具有大于半导体本体区域的断裂应变。方法1700也可以根据本文中所描述的一个或多个实施例进一步被配置。
[0170]根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域；用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构；其中电容性结构可以包括至少部分环绕半导体本体区域并且至少基本上从第一表面延伸到第二表面的第一电极区域;其中电容性结构还可以包括布置成与第一电极区域邻近的第二电极区域以及在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。
[0171]根据各种实施例，第二电极区域可以至少部分环绕半导体本体区域。
[0172]根据各种实施例，第二电极区域可以至少基本上从第一表面延伸到第二表面。
[0173]根据各种实施例，半导体芯片还可以包括第一接触焊盘和第二接触焊盘，其中第一电极区域可以电耦合到第一接触焊盘;并且其中第二电极区域可以电耦合到第二接触焊盘;其中第一接触焊盘和第二接触焊盘可以被配置成电耦合到用于测量电容性结构的特征变量的测量电路。
[0174]根据各种实施例，半导体芯片还可以包括被配置成通过对电容性结构进行电表征来测量电容性结构的特征变量的值的测量电路;其中测量电路还可以被配置成基于特征变量的所测量的值来确定裂纹。
[0175]根据各种实施例，第一电极区域可以包括第一材料，并且第二电极区域可以包括第二材料。
[0176]根据各种实施例，第一材料可以是第一金属或第一金属合金，并且第二材料可以是第二金属或第二金属合金。
[0177]根据各种实施例，第一材料和第二材料可以是相同的材料。
[0178]根据各种实施例，第一材料可以是第一传导类型(例如η型掺杂)的掺杂半导体，并且第二材料可以是第二传导类型(例如P型掺杂)的掺杂半导体。
[0179]根据各种实施例，第一材料可以是金属或金属合金，并且第二材料可以是掺杂半导体。
[0180]根据各种实施例，电绝缘区域可以包括介电材料。
[0181]根据各种实施例，电容性结构可以包括沟槽，沟槽包括第一电极区域、第二电极区域和电绝缘区域。
[0182]根据各种实施例，第一电极区域可以包括至少部分填充沟槽的第一金属或第一金属合金，并且第二电极区域可以包括至少部分填充沟槽的第二金属或第二金属合金。
[0183]根据各种实施例，第一电极区域可以包括包含沟槽的侧壁的第一传导类型的第一半导体区域，其中第二电极区域可以包括第二传导类型的第二半导体区域；以及其中电绝缘区域可以包括由第一半导体区域和第二半导体区域形成的耗尽区域。
[0184]根据各种实施例，电容性结构可以包括包含第一电极区域的第一沟槽;并且其中电容性结构可以包括包含第二电极区域的第二沟槽。
[0185]根据各种实施例，第一电极区域可以包括至少部分填充第一沟槽的第一金属或第一金属合金，并且第二电极区域可以包括至少部分填充第二沟槽的第二金属或第二金属合金。
[0186]根据各种实施例，半导体芯片还可以包括被布置成与第一电极区域邻近的第三电极区域以及在第三电极区域与第一电极区域之间延伸的另外的电绝缘区域。
[0187]根据各种实施例，第三电极区域和第二电极区域可以布置在第一电极区域的相对侧。
[0188]根据各种实施例，第一电极区域和第二电极区域形成pn结，其中电绝缘区域可以包括pn结的耗尽区域。
[0189]根据各种实施例，半导体本体区域的掺杂部分可以形成第二电极区域。
[0190]根据各种实施例，半导体本体区域的氧化部分(例如半导体本体区域的掺杂部分的氧化物)可以形成电绝缘区域。
[0191]根据各种实施例，第一电极区域可以形成半导体芯片的侧壁或半导体本体区域的侧壁。
[0192]根据各种实施例，第二电极区域可以形成半导体芯片的侧壁或半导体本体区域的侧壁。第二电极区域可以布置在第一电极区域与半导体芯片或半导体本体区域之间。
[0193]根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域；用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构；其中电容性结构可以包括第一传导类型的第一半导体区域，其中第一半导体区域可以至少部分环绕半导体本体区域并且可以至少基本上从第一表面延伸到第二表面;其中电容性结构还可以包括第二传导类型的第二半导体区域，其中第二半导体区域可以布置成与第一半导体区域相邻。
[0194]根据各种实施例，第二半导体区域可以至少部分环绕半导体本体区域，并且其中第二半导体区域可以至少基本上从第一表面延伸到第二表面。
[0195]根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域；用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构；其中电容性结构可以包括包含第一金属或第一金属合金的第一电极区域以及包含第二金属或第二金属合金并且被布置成与第一电极区域邻近的第二电极区域，其中第一电极区域和第二电极区域可以至少部分环绕半导体本体区域并且可以至少基本上从第一表面延伸到第二表面；以及其中电容性结构还可以包括布置在第一电极区域与第二电极区域之间的电绝缘区域。
[0196]根据各种实施例，电容性结构可以包括沟槽，沟槽包括第一电极区域、第二电极区域和电绝缘区域。
[0197]根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括:包括顶面、与顶面相对的底面以及在顶面与底面之间延伸的侧面的半导体本体区域;其中侧面(例如侧壁)可以环绕半导体本体区域;用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构；其中电容性结构可以包括在侧面之上的金属电极以及布置在金属电极与侧面之间的电绝缘层；以及其中电容性结构还可以包括由半导体本体区域的掺杂部分形成的半导体电极。
[0198]根据各种实施例，电绝缘层可以包括半导体本体区域的掺杂部分的氧化物。
[0199]根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域;至少部分环绕半导体本体区域的裂纹吸收区域，其中裂纹吸收区域可以从第一表面沿着朝着第二表面的方向延伸;其中裂纹吸收区域可以包括比半导体本体区域大的断裂应变。
[0200]根