0i可以至少基本上被电传导材料532覆盖(例如完全覆盖)。作为说明，电传导材料532可以在电绝缘层230i之上形成电传导层。电传导材料532可以提供电容性结构230的第一电极区域230a。
[0116]在一些实施例中，电容性结构230可以包括在侧面102s之上的金属电极230a以及布置在金属电极230a与侧面102s之间的电绝缘层230i。
[0117]根据各种实施例，可以形成有第一电接触焊盘434a，第一电接触焊盘434a电接触金属电极230a(换言之，电传导材料532)，并且可以形成第二电接触焊盘434b，第二电接触焊盘434b电接触半导体本体102的部分，例如半导体本体区域111的掺杂部分，如本文中所描述的。半导体本体区域111的掺杂部分可以提供半导体电极230b，如本文中所描述的。
[0118]电传导材料532可以包括能够借助于毛细流动而流动(或爬动(creep)，例如通过材料的塑性形变)到芯片裂纹110中的材料，使得材料电接触半导体本体102(或半导体本体区域111)的与芯片裂纹110相邻的部分。毛细流动或毛细运动可以被理解为材料532在没有如重力等外部力的帮助下以及与如重力等外部力相对借助于毛细力而流动到窄的空间中的能力。例如，毛细流动可以是由于内聚力和粘附力，其引起材料532移动到芯片裂纹110中。
[0119]如果芯片裂纹110传播到电绝缘材料439i中或者芯片裂纹110在电绝缘材料430被形成时已经存在，则芯片裂纹110可能引起电绝缘材料430 i的开口(换言之，电绝缘材料430i中的开口可能暴露侧壁102s的部分)。材料532可以借助于毛细流动而移动到电绝缘材料430i中的开口中并且可以电接触半导体电极230b(或半导体本体区域111)。因此，半导体电极230b可以被分流到电传导材料532。
[0120]在另一实施例中，图7C中所图示的半导体芯片700可以通过减薄如图5C中所图示的半导体本体102以及可选地通过第一电极区域230a分离112(例如通过切割)半导体本体102来提供。换言之，沟槽430的侧壁430s可以在分离112半导体本体102之后形成半导体本体102的侧壁。
[0121]图8A在横截面视图(类似于图2A或图7C)中图示根据各种实施例的半导体芯片800。半导体芯片800可以包括用于检测到半导体芯片800中的裂纹传播的电容性结构230。为了提供具有电容性结构230的半导体芯片800，如图8A中所图示的，可以执行处理半导体芯片800的各种方法，如本文中所描述的。
[0122]根据各种实施例，如图8A中所图示的半导体芯片800可以通过减薄如图6C中所图示的半导体本体102以及可选地通过第二电传导材料632分离112(例如通过切割)半导体本体102来提供。换言之，沟槽430的侧壁430s可以在分离112半导体本体102之后形成半导体本体102的侧壁。
[0123]根据各种实施例，如图8A中所图示的半导体芯片800可以通过在如图7C中所图示的半导体本体102的侧壁102s与电绝缘材料430i之间布置第二电传导材料632来提供。
[0124]电容性结构230可以包括通过分离层230i(换言之，电绝缘层230i)分离(例如电绝缘)的两个电极230a、230b(换言之，两个电极区域230a、230b)。电容性结构230可以布置在半导体芯片800与切口区域142(也称为锯切框架142)之间的过渡区域处。两个电极230a、230b可以完全环绕半导体芯片800的半导体本体区域111并且可以从半导体芯片800的顶面102t延伸到底面120b。
[0125]从半导体芯片800的侧壁(其可以定位成与锯切框架142邻近)发出的芯片裂纹110可以传播通过电容性结构230(也称为周界区域230)。传播通过电容性结构230的芯片裂纹110可以损害或破坏分离层230i，其可以通过电容性结构230的电表征被检测到，例如通过测量电路(例如图3A的测量电路310)。电表征(例如提供所谓的故障映射)可以定义特征故障征兆，例如电容性结构230的短切，变化的(例如增加的)泄漏电流或者变化的(例如减小的)介电强度。特征故障征兆中的一个或多个的出现可以与芯片裂纹110的传播关联并且可以使得能够开始适当的对策，例如改变半导体芯片800的操作模式以避免半导体芯片800的未定义的行为。
[0126]根据各种实施例，半导体芯片800可以布置(例如附接，例如粘合或焊接)在引线框架802上用于进一步处理半导体芯片800，例如引线框架802可以电接触半导体芯片800。引线框架802可以包括金属结构(或金属合金结构)或接触结构，其可以被配置成向或从半导体芯片800传输信号。例如，如果完全处理后的半导体芯片800被包封在芯片封装件中，则弓丨线框架802可以提供在芯片封装件的外部(例如芯片封装件的连接焊盘)与半导体芯片800之间的信号传输。
[0127]半导体本体区域111的底面102b可以由可以附接到引线框架802的完全处理后的半导体芯片800的底面来定义。
[0128]根据各种实施例，电绝缘层230i可以包括粘性材料。粘性材料可以被配置成泄露通过电极区域230a、230b(也简称为电极230a、230b)中的开口。电极230a、230b中的开口可以由芯片裂纹110引起。换言之，当应力或力例如通过重力被施加给粘性材料时，粘性材料可以随着时间线性地呈现剪切流或任何其他形变。粘性材料可以泄露通过电极230a、230b中的开口，这可以改变电容性结构230 (例如在与粘性材料相邻的电极230a、230b之间)的电性质(例如介电强度)。粘性材料可以包括膏类材料、胶体类材料、油脂、液态材料、或固态材料和液态材料的混合物。例如，粘性材料可以包括玻璃、聚合物或油。
[0129]图SB在横截面视图(类似于图2A或图6C)中图示根据各种实施例的半导体芯片850。半导体芯片850可以包括具有多个电极区域230a、230b、……、230f (也称为多个电极230a、230b、……、230f)以及多个电绝缘层230i的电容性结构230。
[0130]根据各种实施例，半导体芯片850可以是晶片的部分，其中半导体芯片850可以预定用于从晶片702分离(例如通过切削晶片，例如通过锯切晶片)。作为说明，晶片702可以在切口区域142中被切削用于分离半导体芯片850。
[0131]根据各种实施例，具有多个电极区域230a、230b、……、230f的电容性结构230在切削晶片702之前可以设置在晶片702的切口区域142中。图8B中示出了6个电极区域230a、230b、230c、230d、230e、230f作为示例。然而，电极区域的数目可以不同于6。电容性结构230可以被提供使得晶片702能够被切削(例如被锯切112)通过电容性结构230，其中通过电绝缘层230i被分离的至少两个电极区域(例如230a和230b)可以保持附接到半导体芯片850，如图8B中所图示的。
[0132]根据各种实施例，处理晶片702(例如形成具有多个电极区域230a、230b、……、230f的电容性结构230)的方法可以包括形成与晶片702的半导体芯片850相邻的沟槽430。沟槽430可以形成在切口区域142中。沟槽430可以基本上从晶片702的第一表面102t延伸到晶片702的与第一表面102相对的第二表面102b。晶片702的第一表面102t可以包括半导体本体区域111的第一表面102t，并且晶片702的与第一表面102相对的第二表面102b可以包括半导体本体区域111的第二表面12b。
[0133]根据各种实施例，方法还可以包括在沟槽430中形成电容性结构230，电容性结构230可以包括多个电极区域230a、230b、……、230f，其中至少第一电极区域(例如230a)、第二电极区域(例如230b)布置在第一电极区域(例如230a)的第一侧，以及第三电极区域(例如230c)布置在第一电极区域(例如230a)的第二侧。另外，电容性结构230可以包括在第一电极区域(例如230a)与第二电极区域(例如230b)之间延伸的第一电绝缘区域230i以及在第一电极区域(例如230a)与第三电极区域(例如230c)之间延伸的第二电绝缘区域230i。
[0134]根据各种实施例，电容性结构230可以被形成为使得第一电极区域、第二电极区域和第三电极区域中的至少一个可以基本上从晶片的第一表面102t延伸到晶片702的与第一表面102t相对的第二表面102b。
[0135]根据各种实施例，方法还可以包括切削晶片702穿过沟槽430以使半导体芯片850与晶片702分离，其中至少第一电极区域(例如230a)和第二电极区域(例如230b)可以保持附接到半导体芯片850。
[0136]换言之，多个电极区域230a、230b、……、230f和多个电绝缘层230i可以布置在切口区域142中。根据各种实施例，如例如图8B中所图示的多个电极区域230a、230b、……、230f中的至少两个电极区域的功能可以有可能独立于锯切(或锯切刀片712)的精确位置。因此，传播穿过多个电绝缘层230i中的至少一个电绝缘层230i的芯片裂纹110可以引起电容性结构230的短切或变化的介电强度。
[0137]根据各种实施例，如图SB中所图示的半导体芯片850可以用本文中所描述的方法(例如类似于图6A到图6C)来提供，其中多个电极区域230a、230b、……、230f和多个电绝缘层230i可以布置在沟槽430中。
[0138]根据各种实施例，如图SB中所图示的半导体芯片850可以通过提供类似于图4A中所图示的沟槽430的多个沟槽来提供，其中类似于第一电极区域230a，多个电极区域230a、230b、……、230f中的至少一个电极区域可以形成在多个沟槽中的一个沟槽430中，如图5C或6C中所示。
[0139]图9A在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片900。半导体芯片900可以包括布置在密封环120与半导体芯片900的侧壁102s之间的电容性结构230。
[0140]作为说明，电容性结构230如同平板电容器来起作用，其包括两个电极230a、230b(也称为周界区域230a、230b)。如果电容性结构230布置在半导体芯片900的侧壁102s处或附近，则芯片裂纹110可以导致在两个电极230a、230b之间的电绝缘区域230i的损害(例如在零小时操作时间或零小时测试时间时)。电绝缘区域230i的损害可以是通过电容性结构230的电表征可检测的。
[0141]根据各种实施例，一方面，复杂的应力测试(例如用于早期故障的加速度测试，例如烧机)可能不必要，而另一方面，根据各种实施例的检测可靠性可能比用于检测芯片裂纹110的常规方法更大。另外，根据各种实施例，在半导体芯片900的操作期间(例如在半导体芯片900的侧壁102s处)呈现的芯片裂纹110可以通过电容性结构230来标识。
[0142]图9B在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片950。半导体芯片950可以包括具有多个沟槽的电容性结构230。在多个沟槽中的每个沟槽430中，可以布置有第一电极230a(例如金属电极230a或半导体电极230a)和电绝缘层230i (类似于图5B)。另外，可以形成有第二电极，例如第二电极230b可以包括半导体本体区域111的掺杂部分。
[0143]图1OA和图1OB分别在横截面视图中图示根据各种实施例的在处理半导体芯片1000期间(例如在用于形成电容性结构230的方法期间)的半导体芯片1000。
[0144]半导体本体102中可以形成有具有侧壁430s的沟槽(未示出，参见图4A)。根据各种实施例，沟槽中可以形成有第一电极230a和第二电极230b，如图1OA中所图示的。第一电极230a和第二电极230b可以至少部分覆盖沟槽的侧壁430s的相对侧。第一电极230a和第二电极230b可以布置成彼此相距一定距离。另外，第一电极230a和第二电极230b可以形成凹部530并且可以布置在凹部530的相对侧。
[0145]根据各种实施例，凹部530中可以形成有电绝缘区域230i，如图1OB中所图示的。电绝缘区域230i可以至少部分填充凹部530。
[0146]图1OC在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片1050。半导体芯片1050可以包括多个沟槽，包括第一沟槽1030a和第二沟槽1030b。第一沟槽1030a可以包括电容性结构230的第一电极区域230a;并且第二沟槽1030b可以包括电容性结构230的第二电极区域230b。
[0147]根据各种实施例，第一沟槽1030a可以至少部分填充有第一金属或第一金属合金，并且第二沟槽1030b可以至少部分填充有第二金属或第二金属合金。第一金属或第一金属合金以及第二金属或第二金属合金可以是相同的金属或金属合金。
[0148]图1lA在横截面视图(类似于图1A)中图示根据各种实施例的半导体芯片1100。半导体芯片1100可以包括裂纹吸收区域1130。半导体芯片1100的半导体本体区域111可以包括第一表面102t(例如顶表面102t)和与第一表面102t相对的第二表面102b(例如底表面
102b) ο
[0149]根据各种实施例，裂纹吸收区域1130可以至少部分环绕半导体本体区域111。另夕卜，裂纹吸收区域1130可以从第一表面102t沿着朝着第二表面102b的方向延伸。裂纹吸收区域1130可以被配置成吸收芯片裂纹110的传播。换言之，裂纹吸收区域1130可以被配置成抵制断裂(fracture)和/或防止裂纹110传播通过裂纹吸收区域1130和/或防止裂纹110继续从裂纹吸收区域1130传播到半导体本体区域111中。
[0150]因此，裂纹吸收区域1130可以包括裂纹吸收材料1132(换言之裂纹停止材料1132)。裂纹吸收材料1132可以定义断裂应变，换言之，裂纹吸收区域1130的断裂处的伸长，其可以高于半导体本体区域111的断裂应变。断裂应变可以被视为裂纹吸收材料1132的最大应变(换言之最大伸长)，裂纹吸收材料1132在最大应变处阻挡裂纹形成。伸长的本体(例如固态本体)的应变可以由本体的相对伸长dL与本体在伸长之前的长度L相比的分数来定义。换言之，在某个方向拉伸固态本体导致固态本体的长度L在该方向上增加dL。断裂应变可以被理解为进入到固态本体中的裂纹所发出的相对伸长，换言之，直到伸长导致材料故障。
[0151]根据各种实施例，裂纹吸收材料1132可以包括大于大约5%的断裂应变，例如大于大约10%，例如大于大约50%，例如大于大约100%，例如大于大约200%。根据各种实施例，裂纹吸收材料1132的断裂应变大于半导体本体102的断裂应变，例如大于半导体本体102的断裂应变的两倍，例如大于半导体本体102的断裂应变的五倍，例如