沟槽)。例如，沟槽430可以被形成为延伸通过半导体本体102的厚度的至少50%，例如至少60%，例如至少70%，例如至少80%，例如至少90%。
[0078]根据各种实施例，沟槽430可以至少基本上从半导体本体102的第一表面302t延伸到半导体本体102的第二表面302b，第二表面302b与第一表面302t相对。沟槽430可以被形成而没有突破到第二表面302b。沟槽430可以被形成为使得沟槽430可以至少部分环绕半导体芯片400的半导体本体区域111。
[0079]根据各种实施例，沟槽430中可以布置有掺杂剂材料402(其可以作为掺杂剂施主)。掺杂剂材料402可以被布置成使得侧壁430s可以至少基本上被掺杂剂材料覆盖。例如，沟槽430可以至少基本上被掺杂剂材料402填充，如图4B中所图示的。
[0080]根据各种实施例，“至少基本上被填充”可以理解为表示腔体、凹部或沟槽的内部体积的部分被材料填充，例如大于内部体积的大约70%，例如大于大约80 %，例如大于大约90%，例如大约100 %。
[0081 ] 掺杂剂材料402可以包括掺杂剂(也称为掺杂物)。根据各种实施例，如果侧壁430s包括IV族半导体(例如娃或锗)，则掺杂剂材料402可以包括III族元素(P型掺杂剂)或V族元素(η型掺杂剂)，这些元素例如是来自以下化学元素组的化学元素:硼、砷、磷、锑、铝或镓。替选地，根据各种实施例，如果侧壁430s包括II1-V化合物半导体(例如砷化镓)，则掺杂剂材料402可以包括来自以下化学元素组的化学元素:硫、砸、碲、硅、锗、镁、锌、镉。例如，掺杂剂材料402可以包括包含硼作为掺杂剂的玻璃(例如硼玻璃)。
[0082]掺杂剂可以被配置成改变侧壁430s的电气性质，例如在掺杂剂被引入到侧壁430s中的情况下向侧壁430s中插入电荷载流子。掺杂剂可以被配置成至少掺杂侧壁430s以形成第一掺杂类型半导体430a(也称为第一传导类型的第一半导体区域430a)，例如η型半导体或P型半导体，换言之，以由侧壁430s形成掺杂侧壁430a，如图4C中所图示的。换言之，掺杂剂可以被配置成至少掺杂侧壁430s以由侧壁430s形成第一传导类型的第一半导体区域430ao
[0083]例如，可以对掺杂剂材料402退火，从而通过到侧壁403s中的掺杂剂的温度诱导扩散402d(也称为向外扩散)来向侧壁430s中引入掺杂剂。在向侧壁430s中引入掺杂剂之后，可以去除掺杂剂材料402，例如以暴露掺杂侧壁430a。掺杂侧壁430a是第一电极区域230a的部分。
[0084]替选地，形成第一掺杂类型半导体430a可以包括例如通过离子注入或其他已知的掺杂方法来向第一电极区域230a中注入掺杂剂。
[0085]另外，可以向沟槽430中布置填充材料432(例如多晶半导体，例如多晶硅)或者另一电传导材料(例如金属或金属合金)，如图4D中所图示的。填充材料432可以被配置成电接触掺杂侧壁430a。填充材料432可以是第一电极区域230a的部分。
[0086]另外，可以形成与第一掺杂类型半导体430a邻近(例如相邻)的第二掺杂类型半导体430b(也称为第二传导类型的第二半导体区域430b)，例如η型半导体或P型半导体，如图4Ε中所图示的。类似于第一掺杂类型半导体430a，形成第二掺杂类型半导体430b可以包括形成沟槽并且对沟槽的侧壁掺杂。替选地，形成第二掺杂类型半导体430b可以包括例如通过离子注入或其他已知的掺杂方法来向第二电极区域230b中注入掺杂剂。根据各种实施例，第二掺杂类型半导体430b可以是第二电极区域230b的部分。
[0087]根据各种实施例，第二掺杂类型半导体430b可以被配置成使得第一掺杂类型半导体430a和第二掺杂类型半导体430b提供pn结。例如，第一掺杂类型半导体430a可以包括P型掺杂的硅，并且第二掺杂类型半导体430b可以包括η型掺杂的硅。第一掺杂类型半导体430a和第二掺杂类型半导体430b可以在其间(或者在其界面区域处)形成耗尽区域。耗尽区域可以形成或者可以是电绝缘区域230i的部分并且可以使第一掺杂类型半导体430a与第二掺杂类型半导体430b电绝缘。
[0088]传播到耗尽区域(电绝缘区域230i)中的裂纹可以引起第一掺杂类型半导体430a与第二掺杂类型半导体430b之间的捷径(电气捷径)或者可以引起pn结的泄漏电流的增加。
[0089]作为说明，根据各种实施例，第一掺杂类型半导体430a可以是(第一传导类型的)第一半导体电极230a的部分，并且第二掺杂类型半导体430b可以是(第二传导类型的)第二半导体电极230b的部分。
[0090]另外，可以形成第一接触焊盘434a，例如其可以沉积在第一掺杂类型半导体430a上，如图4F中所图示的。第一接触焊盘434a可以电接触第一掺杂类型半导体430a。类似地，可以形成第二接触焊盘434b，第二接触焊盘434b可以电接触第二掺杂类型半导体430b。第一接触焊盘434a和第二接触焊盘434b可以包括电传导材料(例如金属或金属合金)或者金属化半导体。根据各种实施例，形成第一接触焊盘434a和第二接触焊盘434b可以包括布置(例如沉积、例如覆镀)金属或金属合金。
[0091]在处理半导体芯片400期间，可以例如通过研磨加工(例如磨削)或者化学加工(例如蚀刻)来对半导体芯片400的半导体本体102进行减薄。例如，如果半导体本体102的厚度大于完全处理的半导体芯片400的(期望)厚度，则可以执行减薄。半导体本体102的厚度(例如，在减薄之前)可以被理解为半导体本体102的竖直延伸，例如，从半导体本体102的第一表面302t到半导体本体102的第二表面302b的距离。在减薄之后，厚度可以被减小并且可以对应于例如从第一表面302t到表面302b ’(或者水平450)的距离。
[0092]根据各种实施例，例如在对半导体芯片400减薄之前的半导体本体102的厚度可以在大约几百微米到大约几千微米的范围内，例如在大约ΙΟΟμπι到大约5mm的范围内，例如半导体本体1 2的厚度可以在大约20 Ομπι到大约I mm的范围内，例如在大约30 Ομπι到大约80 Omm的范围内.
[0093]根据各种实施例，可以在形成电容性结构230之后对半导体芯片400进行减薄。根据各种实施例，对半导体芯片400减薄可以提供半导体本体区域111或完全处理后的半导体芯片400的底面。例如，在减薄之后，表面302b’可以包括或者对应于半导体本体区域111的底面102b。
[0094]根据各种实施例，沟槽430的深度以及电容性结构230(例如第一电极区域230a或第二电极区域230b)的对应的深度或竖直延伸可以在大约几个微米到大约几百微米的范围内，例如在大约5μπ?到大约500μπ?的范围内，例如小于大约400μπ?，例如小于大约ΙΟΟμ??，例如小于大约50μπι。作为说明，电容性结构230可以被形成为使得通过对半导体芯片400减薄，电容性结构230能够突破第二表面302b’。
[0095]根据各种实施例，例如在对半导体芯片400减薄之后的半导体本体区域111的厚度可以在大约几个微米到大约几百微米的范围内，例如在大约5μηι到大约500μηι的范围内，例如半导体本体区域111的厚度可以小于大约40(^111，例如小于大约10(^1]1，例如小于大约5(^mD
[0096]根据各种实施例，半导体本体102的第二表面302b可以在例如半导体本体102已经被减薄或者没有半导体本体102的任何减薄被执行的情况下提供半导体本体区域111的第二表面102b。换言之，半导体本体102的厚度可以是完全处理后的半导体芯片400的厚度。
[0097]图5A到图5C分别在横截面视图中(例如在与沿着线201或301得到的横截面视图类似的横截面视图中)图示根据各种实施例的在处理半导体芯片500期间(例如在用于形成电容性结构230的方法期间)的半导体芯片500。
[0098]半导体本体102中可以形成有沟槽430 (未示出，参见图4A)。根据各种实施例，可以在形成沟槽430之后在沟槽430中布置电绝缘材料430i，如图5A中所图示的。电绝缘材料430i可以是电绝缘区域230i的部分。电绝缘材料430i可以被布置成使得沟槽430的侧壁430s可以至少基本上被电绝缘材料430i覆盖(例如完全覆盖)。电绝缘材料430i可以被布置成使得电绝缘材料430i中设置有凹部530。
[0099]替选地，根据各种实施例，可以例如通过形成氧化物(通过氧化)或者通过由沟槽的侧壁430s形成氮化物来由沟槽的侧壁430s来形成电绝缘材料430i。
[0100]根据各种实施例，凹部530中可以布置有电传导材料532，例如金属、金属合金或多晶硅(如图5B所示)。电传导材料532在一些实施例中可以是第一电极区域230a(也称为金属电极230a)的部分。
[0101]另外，可以形成第一接触焊盘434a，例如其可以沉积在传导材料532上，如图5C中所图示的。第一接触焊盘434a可以电接触传导材料532(例如金属电极230a)。半导体本体102上可以形成有第二接触焊盘434b。第二接触焊盘434b可以电接触半导体本体102。被第二接触焊盘434b电接触的半导体本体102可以是第二电极区域230b (也称为半导体电极230b)的部分。根据各种实施例，半导体本体102可以包括掺杂的半传导材料，例如η型半导体或P型半导体，其被第二接触焊盘434b接触。
[0102]换言之，第一电极区域230a可以包括金属或金属合金(以提供金属电极230a)，并且第二电极区域230b可以包括掺杂半导体(例如P型掺杂硅)(以提供半导体电极)。根据各种实施例，半导体电极230b可以由半导体本体区域111的掺杂部分来形成。
[0103]图6A到图6C在横截面视图中(例如在与沿着线201或301得到的横截面视图类似的横截面视图中)分别图示根据各种实施例的在处理半导体芯片600期间(例如在用于形成电容性结构230的方法期间)的半导体芯片600。
[0104]半导体本体102中可以形成有沟槽430(未示出，参见图4A)。根据各种实施例，可以在形成沟槽430之后在沟槽430中布置第一电传导材料532，如图6A中所图不的。第一电传导材料532可以是第一电极区域230a的部分。第一电传导材料532可以被布置成使得沟槽430的侧壁430s可以至少基本上被第一电传导材料532覆盖(例如完全覆盖)。第一电传导材料532可以被布置成使得第一电传导材料532中设置有凹部530。第一电传导材料532可以是第一金属电极230a的部分。
[0105]另外，凹部530中可以布置有电绝缘材料430i，如图6B中所图示的。电绝缘材料430i可以是电绝缘区域230i的部分。电绝缘材料430i可以被布置成使得第一电传导材料532可以至少基本上被电绝缘材料430i覆盖(例如完全覆盖)。电绝缘材料430i可以被布置成使得电绝缘材料430 i中设置有另外的凹部630。
[0106]根据各种实施例，如本文中所描述的，可以对半导体本体102减薄到例如水平450，其中电绝缘材料430i中的另外的凹部630可以将半导体本体102分离成两个部分(其可以形成两个分离的半导体本体区域111，两个分离的半导体本体区域111之一可以如图7C中所图示地被提供)，两个部分中的每个包括电容性结构230。
[0107]在另一实施例中，凹部630中可以布置有第二电传导材料632，如图6C中所图示的。第二电传导材料632可以是第二电极区域230b(在一些实施例中也称为第二金属电极230b)的部分。第二电传导材料632可以被布置成使得电绝缘材料430i可以至少基本上被第二电传导材料632覆盖(例如完全覆盖，例如通过基本上填充凹部630)。可以对半导体本体102减薄到例如水平450，以提供半导体本体区域111的底表面102b。根据各种实施例，第二电极区域230b可以基本上从第一表面102t延伸到第二表面102b，如图6C中所图示的。
[0108]另外，第一电传导材料532和第二电传导材料632每个可以电耦合到接触焊盘，如本文中所描述的。根据各种实施例，第一电极区域230a可以包括第一金属或第一金属合金(以提供第一金属电极230a)，并且第二电极区域230b可以包括第二金属或第二金属合金(以提供第二金属电极230b)。
[0109]图7A到图7C分别在横截面视图中(例如在与沿着线201或301得到的横截面视图类似的横截面视图中)图示根据各种实施例的在处理半导体芯片700期间(例如在用于从晶片702分离半导体芯片700以及形成电容性结构230的方法期间)的半导体芯片700。
[0110]对于从晶片702分离半导体芯片700，可以在切口区域142中执行已知的晶片切割工艺112，例如机械晶片切割工艺112，例如机械锯切(例如使用切割锯712)，如图7A中所图示的，或者其他晶片切割工艺112(例如激光切割)。
[0111]在晶片切割工艺112之后，半导体芯片700的半导体本体102包括在半导体本体102的顶面102t与底面102b之间延伸的侧壁102s(侧面102s)，如图7B中所图示的。由于晶片切割工艺112，可能出现芯片裂纹110，例如，从半导体芯片700的侧壁102s发出的芯片裂纹HO。
[0112]根据各种实施例，半导体芯片700的侧壁102s上可以形成有电容性结构230，如图7C中所图示的。电容性结构230可以提供对在锯切112之后在半导体芯片700中已经存在的芯片裂纹110的检测以及也对在完全处理后的半导体芯片700的操作期间(例如在电气设备中)出现的芯片裂纹110的检测。
[0113]换言之，形成在半导体芯片700的侧壁102s上的电容性结构230可以检测侧壁102s中有可能存在的芯片裂纹110。芯片裂纹110可能损害(例如分流(shunt))所形成的电容性结构230，或者芯片裂纹110可能在芯片裂纹110继续传播到半导体芯片700中的情况下损害电容性结构230。
[0114]为了形成电容性结构230，根据各种实施例，侧壁102s上可以形成(例如沉积)有电绝缘材料430i使得侧壁102s(侧面102s)能够至少基本上被电绝缘材料430i覆盖(例如完全覆盖)。替选地，半导体芯片700的侧壁102s可以被氧化以形成半导体氧化物层。术语“基本上被覆盖”可以理解为表示区域(例如侧壁102s的表面或沟槽430的表面)可以被覆盖到多于80%，例如多于90%，例如完全被覆盖。作为说明，电绝缘材料430i可以在侧壁102s之上形成电绝缘层230i，其中电绝缘材料430i可以提供电容性结构230的电绝缘区域230i。
[0115]另外，在电绝缘材料430i之上可以布置(例如沉积)有电传导材料532(例如形成金属电极230a)使得电绝缘材料43