，非曝光区即为光刻胶区1291，之后采用显影液对曝光后的光刻胶层128进行显影处理，使得光刻胶层128形成光刻胶图形129。
[0148]在子步骤50123a中，采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区对应的金属层。
[0149]请参考图5-11，其示出的是图5-1所示实施例提供的采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后的结构示意图。具体地，可以采用刻蚀液刻蚀的方式去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127，去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后，金属层127上的剩余部分即为导电结构和驱动线。
[0150]在子步骤50124a中，剥离光刻胶区的光刻胶，使金属层上与光刻胶区对应的区域形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。
[0151]请参考图5-12，其示出的是图5-1所示实施例提供的剥离光刻胶区1291的光刻胶，使金属层127上与光刻胶区1291对应的区域形成导电结构121和驱动线(图5_12中未画出)，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图。其中，需要说明的是，由于去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后，金属层127上的剩余部分即为导电结构和驱动线，因此，图5-12中直接标示出的是导电结构121，图5-12中未画出与导电结构121——对应连接的驱动线。
[0152]第二种方式，通过粘贴的方式在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线，具体地，请参考图5-13，其示出的是图5-1所示实施例提供的另一种在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线的方法流程图，参见图5_13，该方法流程可以包括如下几个步骤:
[0153]在子步骤50121b中，在形成有薄膜层的衬底基板上粘贴导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。
[0154]请参考图5-12，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上粘贴导电结构121和驱动线，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图。具体地，在形成有薄膜层125的衬底基板124上粘贴金属块作为导电结构121，粘贴金属条作为驱动线，并使得金属块与金属条一一对应连接。
[0155]在子步骤5013中，将待形成的可形变薄膜从衬底基板上剥离。
[0156]请参考图5-14，其示出的是图5-1所示实施例提供的将待形成的可形变薄膜126从衬底基板124上剥离后的结构示意图。参见图5-14，薄膜层125上形成有阵列排布的多个导电结构121。
[0157]在子步骤5014中，在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜上形成过孔，得到第一可形变薄膜，第一可形变薄膜为至少两个可形变薄膜中的任意一个。
[0158]请参考图5-15，其示出的是图5-1所示实施例提供的在待形成的可形变薄膜126上除导电结构121和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜126上形成过孔122，得到第一可形变薄膜120后的结构示意图。参见图5-15，可形变薄膜120上形成有阵列排布的多个导电结构121和过孔122，且导电结构121和过孔122间隔排布。
[0159]其中。可以采用激光打孔的方式或者机械打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构121和驱动线以外的区域上打孔。本发明实施例对此不做限定。
[0160]在步骤502中，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。
[0161]其中，每个可形变薄膜120的膜面可以为矩形平面，框架110可以为矩形框，因此，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行可以包括:将至少两个可形变薄膜120设置在框架110内部，使至少两个可形变薄膜120沿框架110的高度方向依次阵列排布在框架110内部，且至少两个可形变薄膜120的膜面平行。其中，框架110的高度方向与蒸镀设备的高度方向平行。
[0162]综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0163]请参考图6，其示出了本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的调节方法的方法流程图，该膜厚调节器的调节方法可以用于调节蒸镀膜的厚度，参见图6，该膜厚调节器的调节方法可以包括如下几个步骤:
[0164]在步骤601中，向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构相互吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。
[0165]具体地，如图2或图3-1所示，膜厚调节器10中包括至少两个可形变薄膜120，至少两个可形变薄膜120的膜面平行，至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上都设置有导电结构121和供蒸镀材料分子穿过的过孔122。可以向至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使得导电结构121相互吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，使任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。
[0166]可选地，如图3-3所示，每个可形变薄膜120上都设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个过孔122，每个可形变薄膜120上还设置有多条驱动线123，多条驱动线123与多个导电结构121--对应连接，因此，可以通过与任意两个可形变薄膜120上的导电结构121连接的驱动线123向任意两个两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互排斥。
[0167]可选地，向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，任意两个可形变薄膜120上的过孔122的相对位置改变具体可以包括:
[0168]向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相同的电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互排斥，带动任意两个可形变薄膜120上的导电结构121的周边区域相互远离，任意两个可形变薄膜120上的过孔122的相对位置改变；或者，向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相反的电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互吸弓丨，带动任意两个可形变薄膜120上的导电结构121的周边区域相互靠近，任意两个可形变薄膜120上的过孔121的相对位置改变。其中，导电结构121的周边区域指的是位于导电结构121的四周的可形变薄膜120上的区域。
[0169]综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的调节方法，通过向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0170]请参考图7，其示出了本发明一个实施例提供的一种蒸镀设备20的结构示意图，该蒸镀设备20可以用于在待镀基板上形成蒸镀膜，该蒸镀设备20可以包括:图2或图3-1所示的膜厚调节器10。
[0171]参见图7，该蒸镀设备20还包括:蒸镀腔室201、设置在蒸镀腔室内部的蒸发源202、设置在蒸镀腔室201的内壁上且位于蒸发源202上方的厚度检测器203、设置在蒸镀腔室201内部且位于厚度检测器203上方的开关204、设置在蒸镀腔室201内部的第一支撑架205和第二支撑架206，以及设置在蒸镀腔室201外部的电机207。
[0172]其中，第一支撑架205和第二支撑架206分别通过穿过蒸镀腔室201的腔壁的传动轴208与电机207连接，第一支撑架205可以用于支撑待镀基板，第二支撑架206可以用于支撑掩膜版。
[0173]膜厚调节器10固定设置在蒸镀腔室201内部，且位于开关204的上方，第二支撑架206的下方，膜厚调节器10用于通过调节膜厚调节器10的至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置，调节蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。
[0174]其中，蒸镀腔室201可以为真空蒸镀腔室或者非真空蒸镀腔室，本发明实施例对此不做限定。蒸发源202用于形成气化的蒸镀材料分子，当加热蒸发源202使得蒸发源202的温度达到预设温度时，蒸发源202可以蒸发出气化的蒸镀材料分子，厚度检测器203可以检测蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。厚度检测器203具体可以是采用传感器和处理组件形成的检测器，传感器可以采集蒸镀材料分子通过厚度检测器203时的速率，处理组件可以根据传感器检测出的速率计算得到蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。开关204可以控制蒸镀的开始或者结束，当厚度检测器203检测到蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率达到目标速率时，打开开关204，蒸镀材料分子可以依次通过开关204、膜厚调节器10以及固定在第二支撑架206上的掩膜版，沉积到固定在第一支撑架205上的待镀基板上。
[0175]综上所述，本发明实施例提供的蒸镀设备，蒸镀设备包括膜厚调节器，膜厚调节器由框架和至少两个可形变薄膜形成，通过向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0176]请参考图8，其示