20上的导电结构121与过孔122沿可形变薄膜的长度方向X间隔排布。需要说明的是，本实施例是以导电结构121与过孔122沿可形变薄膜120的长度方向X间隔排布为例进行说明的，实际应用中，导电结构121与过孔122也可以沿可形变薄膜120的宽度方向z间隔排布，或者，导电结构121与过孔122间隔排布，本实施例对此不做限定。需要说明的是，图3-3是以过孔122为圆形过孔为例进行说明的，实际应用中，过孔122还可以为方形过孔或者其他形状的过孔，本发明实施例对此不做限定。
[0104]综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器，膜厚调节器包括:框架和至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜平行，且每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，通过向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使得导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0105]本发明实施例提供的膜厚调节器可以应用于下文的方法，本发明实施例中膜厚调节器的制造方法和调节方法可以参见下文各实施例中的描述。
[0106]请参考图4，其示出了本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图，该膜厚调节器的制造方法可以用于制造图2或图3-1所示的膜厚调节器10，参见图4，该膜厚调节器的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0107]在步骤401中，制造至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔。
[0108]在步骤402中，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。
[0109]综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0110]可选地，每个可形变薄膜上还设置有与导电结构连接的驱动线，步骤401可以包括:
[0111]在衬底基板上形成薄膜层；
[0112]在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜；
[0113]将待形成的可形变薄膜从衬底基板上剥离；
[0114]在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜上形成过孔，得到第一可形变薄膜，第一可形变薄膜为至少两个可形变薄膜中的任意一个。
[0115]可选地，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括:
[0116]在形成有薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层；
[0117]采用掩膜版对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括:光刻胶区和光刻胶完全去除区；
[0118]采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区对应的金属层；
[0119]剥离光刻胶区的光刻胶，使金属层上与光刻胶区对应的区域形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。
[0120]可选地，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括:
[0121]在形成有薄膜层的衬底基板上粘贴导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。
[0122]可选地，在衬底基板上形成薄膜层包括:
[0123]在衬底基板上涂覆一层可变形材料，得到薄膜层；
[0124]或者，
[0125]在衬底基板上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到薄膜层。
[0126]可选地，在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，包括:
[0127]采用激光打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔；
[0128]或者，
[0129]采用机械打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔。
[0130]可选地，每个可形变薄膜的膜面为矩形平面，框架为矩形框，步骤402可以包括:
[0131]将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜沿框架的高度方向依次阵列排布在框架内部，且至少两个可形变薄膜的膜面平行。
[0132]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0133]综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。
[0134]请参考图5-1，其示出了本发明另一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图，该膜厚调节器的制造方法可以用于制造图2或图3-1所示的膜厚调节器10，参见图5-1，该膜厚调节器的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0135]在步骤501中，制造至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔。
[0136]请参考图5-2，其示出的是本发明实施例提供的一种可形变薄膜120的俯视图，参见图5-2，可形变薄膜120可以为矩形薄膜，可形变薄膜120的长度方向可以为X，宽度方向可以为z，可形变薄膜120上设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个供蒸镀材料分子穿过的过孔122，且导电结构121和过孔122沿可形变薄膜120的长度方向x间隔排布，可形变薄膜120还设置有与多个导电结构121——对应连接的驱动线123，该驱动线123用于向与驱动线123 —一对应连接的导电结构121施加电压；请参考图5_3，其示出的是图5-2所示的可形变薄膜120的C-C部位的剖面图，参见图5-3，可形变薄膜120上的多个导电结构121和多个过孔122沿可形变薄膜120的长度方向X间隔排布。
[0137]请参考图5-4，其示出的是图5-1所示实施例提供的一种可形变薄膜的制造方法的方法流程图，参见图5-4，该方法流程可以包括以下几个步骤:
[0138]在子步骤5011中，在衬底基板上形成薄膜层。
[0139]请参考图5-5，其示出的是图5-1所示实施例提供的在衬底基板124上形成薄膜层125后的结构示意图。其中，衬底基板124可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。示例地，可以在衬底基板124上涂覆一层可变形材料，进行烘烤处理后得到薄膜层125，或者，还可以直接采用粘贴的方式在衬底基板124上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到薄膜层125，本发明实施例对此不作限定。
[0140]在子步骤5012中，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。
[0141]请参考图5-6，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线(图5-6中未画出)，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图，参见5-6，薄膜层125上形成有多个阵列排布的导电结构121，图5-7是图5-6的俯视图，参见图5-7，衬底基板的上表面可以为矩形，形成的薄膜层125的上表面也可以为矩形，薄膜层125的长度方向可以为X，宽度方向可以为z，薄膜层125上形成有多个阵列排布的导电结构121，以及与多个导电结构121--对应连接的驱动线123。
[0142]在本发明实施例中，在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线可以包括以下两种方式:
[0143]第一种方式，通过构图工艺在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线，具体地，请参考图5-8，其示出的是图5-1所示实施例提供的一种在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线的方法流程图，参见图5_8，该方法流程可以包括如下几个步骤:
[0144]在子步骤50121a中，在形成有薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层。
[0145]请参考图5-9，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上依次形成金属层127和光刻胶层128后的结构示意图。具体地，可以先采用涂覆、磁控派射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文:Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n，简称:PECVD)等方法在衬底基板124上沉积一层具有一定厚度的金属材料作为金属层127，之后再采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有金属层127的衬底基板124上形成光刻胶层128。
[0146]在子步骤50122a中，采用掩膜版对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括:光刻胶区和光刻胶完全去除区。
[0147]请参考图5-10，其示出的是图5-1所示实施例提供的采用掩膜版对形成有光刻胶层128的衬底基板124进行曝光、显影后，形成光刻胶图形129后的结构示意图，其中，光刻胶图形129可以包括:光刻胶区1291和光刻胶完全去除区1292。具体地，可以先采用掩膜版，通过曝光工艺对形成有光刻胶层128的衬底基板124进行曝光，使得光刻胶层128形成完全爆光区和非曝光区，完全爆光区与光刻胶完全去除区1292对应