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[0057]首先，在图3所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第一基板SUBl通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。接下来，在图4所示的工序中，第一基板SUBl被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。
[0058]接下来，在图5所示的工序中，第一基板SUBl被输送部CNVl沿着输送路径(沿着方向Dl的输送路径)输送到第一位置LI。在此，第一位置LI是第一基板SUBl等基板SUB的第二面S2与温度调整部TA接触的位置。接下来，在图6所示的工序中，配置在第一位置LI的第一基板SUBl被推压部件Ml向温度调整部TA推压。在该例中，第一推压部件Ml作为用于处理第一基板SUBl的第一面SI的一部分的掩模发挥作用。在该状态下，由第一处理部Pl对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第一基板SUBl的第一面SI形成第一膜(例如，NiCr膜)。
[0059]接下来，在图7所示的工序中，通过使阴极Cl、C2旋转，溅射靶T12、T22与第一基板SUBl的第一面SI相对地配置。在该状态下，由第一处理部Pl对溅射靶T12、T22进行溅射，由被溅射的粒子在形成于第一基板SUBl的第一面SI的第一膜(例如，NiCr膜)的上面形成第二膜(例如，Cu膜)。
[0060]接下来，在图8所不的工序中，第一推压部件Ml被从第一基板SUBl隔呙。另外，在图9所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第二基板SUB2通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。另外，通过使阴极Cl、C2旋转，溅射靶Τ11、Τ21与第一基板SUBl的第一面SI相对地配置。
[0061]接下来，在图10所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，从输送部CNVl的第一基板SUBl的输送路径退避。接下来，在图11所示的工序中，第一基板SUBl被输送部CNVl沿着输送路径(沿着方向Dl的输送路径)从第一位置LI输送至第二位置L2。接下来，在图12所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，返回原来的位置(S卩，输送部CNVl的输送路径上的位置)。
[0062]接下来，在图13所示的工序中，第二基板SUB2被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。接下来，在图14所示的工序中，第二基板SUB2被输送部CNVl沿着输送路径(沿着方向Dl的输送路径)输送到第一位置LI。此外，在上述的说明中，在图12所示的工序中，由驱动部DR将温度调整部TA返回原来的位置(即，输送部CNVl的输送路径上的位置)，但也可以不在图12的工序、图13的工序中由驱动部DR将温度调整部TA返回原来的位置(即，输送部CNVl的输送路径上的位置)，而是在图14的工序中，由驱动部DR将温度调整部TA沿着与方向D2平行的方向驱动，并返回原来的位置(即，输送部CNVl的输送路径上的位置)。
[0063]接下来，在图15所示的工序中，配置在第一位置LI的第二基板SUB2被第一推压部件Ml向温度调整部TA推压。另外，配置在第二位置L2的第一基板SUBl被第二推压部件M2向温度调整部TA推压。在该例中，第二推压部件M2作为用于处理第一基板SUBl的第二面S2的一部分的掩模发挥作用。在该状态下，通过在第一基板SUBl的第二面S2和第二基板SUB2的第一面SI同时地溅射来形成第一膜(例如，NiCr膜)。具体来说，由第二处理部P2对溅射靶T31、T41进行溅射，由被溅射的粒子在第一基板SUBl的第二面S2形成第一膜(例如，NiCr膜)。另外，同时，由第一处理部Pl对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第二基板SUB2的第一面SI形成第一膜(例如，NiCr膜)。
[0064]接下来，在图16所示的工序中，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T32、T42与第一基板SUBl的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极Cl、C2旋转，溅射靶T12、T22与第二基板SUB2的第一面SI相对地配置。在该状态下，通过在形成于第一基板SUBl的第二面S2和第二基板SUB2的第一面SI的第一膜的上面同时地溅射来形成第二膜(例如，Cu膜)。接下来，在图17所示的工序中，第二推压部件M2被从第一基板SUBl隔离，第一推压部件Ml被从第二基板SUB2隔离。
[0065]接下来，在图18所示的工序中，第一基板SUBl被第二输送部CNV2从处理室200通过第三阀310输送至卸载室300，然后，第三阀310被关闭。接下来，在图19所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，从输送部CNVl的第一基板SUBl的输送路径退避。在图20所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第三基板SUB3通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。
[0066]接下来，在图21所示的工序中，第二基板SUB2被输送部CNVl沿着输送路径(沿着方向Dl的输送路径)从第一位置LI输送至第二位置L2。接下来，在图22所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，返回原来的位置(即，输送部CNVl的输送路径上的位置)。另外，卸载室300中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第一基板SUBl被从卸载室300中通过第四阀320搬出至外部环境。
[0067]接下来，在图23所示的工序中，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T31、T41与第二基板SUB2的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T11、T21与温度调整部TA相对地配置。
[0068]接下来，在图24所示的工序中，第三基板SUB3被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。接下来，在图25所示的工序中，第三基板SUB3被输送部CNVl沿着输送路径(沿着方向Dl的输送路径)输送到第一位置LI。另外，配置在第一位置LI的第三基板SUB3被第一推压部件Ml向温度调整部TA推压。另外，配置在第二位置L2的第二基板SUB2被第二推压部件M2向温度调整部TA推压。
[0069]在该状态下，通过对第二基板SUB2的第二面S2和第三基板SUB3的第一面SI同时地溅射来形成第一膜(例如，NiCr膜)。具体来说，由第二处理部P2对溅射靶T31、T41进行溅射，由被溅射的粒子在第二基板SUB2的第二面S2形成第一膜(例如，NiCr膜)。另夕卜，同时，由第一处理部Pl对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第三基板SUB3的第一面SI形成第一膜(例如，NiCr膜)。此外，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T32、T42与第二基板SUB2的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极Cl、C2旋转，溅射靶Τ12、Τ22与第三基板SUB3的第一面SI相对地配置。在该状态下，通过在形成于第二基板SUB2的第二面S2和第三基板SUB3的第一面SI的第一膜的上面同时地溅射来形成第二膜(例如，Cu膜)。
[0070]通过反复进行以上的处理，多个基板SUB被连续地处理，此时，一个基板SUB的第一面SI和另外的基板SUB的第二面S2同时地被处理。另外，在本实施方式中，能够不使基板SUB旋转180度地处理基板SUB的两个面(第一面、第二面)。由此能够提高生产效率。另外，在本实施方式中，在一