基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及处理基板的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]存在处理基板的两个面中的双方的基板处理装置。在专利文献I中，记载了在基板Wl的一个面Wla和另一个面Wlb形成膜的成膜装置。该成膜装置具备第一成膜部E1、第二成膜部E2和支架旋转部E3。当在第一成膜部El中在基板Wl的一个面Wla形成第一被膜Fl后，基板Wl从第一成膜部El被取出并移动至支架旋转部E3。在支架旋转部E3中，保持基板Wl的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板Wl返回第一成膜部E1，在第一成膜部El中，在基板Wl的另一个面Wlb形成第一被膜Fl。然后，基板Wl经由支架旋转部E3移动至第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板Wl的另一个面Wlb，与第一被膜Fl重叠地形成第二被膜F2。然后，基板Wl从第二成膜部E2被取出并移动至支架旋转部E3，在支架旋转部E3中，保持基板Wl的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板Wl返回第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板Wl的一个面Wla的第一被膜Fl上重叠地形成第二被膜F2。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2014 - 28999号公报
【发明内容】
[0006]发明要解决的课题
[0007]在专利文献I记载的成膜装置中，将在第一成膜部El (或第二成膜部E2)中在一个面Wla形成了膜的基板从第一成膜部El (或第二成膜部E2)取出并使其旋转，之后返回第一成膜部El(或第二成膜部E2)，并在该基板的另一个面Wlb形成膜。因此，由于基板的移动、旋转、移动的这种操作而阻碍了生产效率的提高。另外，在专利文献I记载的成膜装置中，当在基板Wl的一个面Wla或另一个面Wlb上与第一被膜Fl重叠地形成第二被膜F2的情况下，需要第一成膜部El和第二成膜部E2，因此，成膜装置的设置面积可能变大，另外，在专利文献I记载的成膜装置中，在同时进行针对一个基板Wl的一个面Wla和另一个基板W2的一个面W2a的膜的形成的情况下，使用两个成膜部E1、E2来进行，因此，成膜装置的设置面积可能变大。
[0008]本发明的目的在于提供一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本发明的第一技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备:处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度；驱动部，该驱动部使所述温度调整部移动；和输送部，该输送部输送所述基板，由所述处理部进行的所述基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述基板的所述第二面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述基板配置在第二位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第一面的一侧的配置方式，为了当在所述第一配置中所述第一面被处理之后在所述第二配置中处理所述第二面，所述输送部将所述基板从所述第一位置沿着输送路径输送至所述第二位置，在所述输送部将所述基板从所述第一位置输送至所述第二位置时，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避。
[0011]本发明的第二技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备:处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；和温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度，所述基板包含第一基板和第二基板，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述第一基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述第一基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第二面的处理和所述第二基板的所述第一面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述第一基板配置在第二位置、所述第二基板配置在所述第一位置、并且所述温度调整部配置在所述第一基板和所述第二基板之间的配置方式。
[0012]发明的效果
[0013]根据本发明，提供了一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。
【附图说明】
[0014]图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
[0015]图2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
[0016]图3是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0017]图4是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0018]图5是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0019]图6是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0020]图7是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0021]图8是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0022]图9是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0023]图10是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0024]图11是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0025]图12是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0026]图13是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0027]图14是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0028]图15是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0029]图16是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0030]图17是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0031]图18是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0032]图19是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0033]图20是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0034]图21是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0035]图22是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0036]图23是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0037]图24是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0038]图25是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。
[0039]图26是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0040]以下，参照附图，通过其例示的实施方式来说明本发明。
[0041]图1、2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置I的结构的剖视图。在此，图1是用第一平面切断基板处