理装置I的剖视图，图2是用与所述第一平面正交的第二平面切断基板处理装置I的剖视图。典型地，所述第一平面是水平面，所述第二平面是铅垂面。基板处理装置I具备:处理部P，该处理部P处理基板SUB的第一面SI和第二面S2 ;温度调整部TA，该温度调整部TA调整基板SUB的温度；驱动部DR，该驱动部DR使温度调整部TA移动；和输送部CNV1，该输送部CNVl输送基板SUB。此外，第一平面是指在图1、2所示的例子中与XY平面平行的平面，第二平面是指在图1、2所示的例子中与XZ平面平行的平面。
[0042]基板处理装置I能够构成为:在基板SUB的第一面SI被处理部P处理后，基板SUB的第二面S2被处理部P处理。此外，优选地，基板处理装置I构成为:在第一基板SUBl的第一面SI被处理部P处理后，第一基板SUBl的第二面S2和第二基板SUB2的第一面SI同时地被处理。在此，第一基板SUBl和第二基板SUB2等是为了将彼此不同的基板SUB相互区别而使用的表达方式。
[0043]处理部P能够包含:第一处理部Pl，该第一处理部Pl配置成处理基板SUB(SUB1、SUB2……)的第一面SI ;第二处理部P2，该第二处理部P2配置成处理基板SUB(SUB1、SUB2……)的第二面S2。第一处理部Pl和第二处理部P2能够以相互相对的方式配置。在基板处理装置I构成为溅射装置的情况下，第一处理部Pl能够包含一个或多个阴极C1、C2，第二处理部P2能够包含一个或多个阴极C3、C4。阴极Cl例如保持一个或多个溅射靶T11、T12并对其给予电位。阴极C2例如保持一个或多个溅射靶T21、T22并对其给予电位。阴极C3例如保持一个或多个溅射靶T31、T32并对其给予电位。阴极C4例如保持一个或多个溅射靶T41、T42并对其给予电位。
[0044]在第一处理部Pl由一个阴极Cl或C2构成，第二处理部P2由一个阴极C3或C4构成的情况下，阴极Cl或C2、和阴极C3或C4也可以构成为能够沿与图1的X轴的方向平行的方向移动。或者，在第一处理部Pl由一个阴极Cl或C2构成，第二处理部P2由一个阴极C3或C4构成的情况下，基板SUB也可以构成为通过未图示的移动机构沿与图1的X轴的方向平行的方向移动。
[0045]由处理部P (第一处理部Pl)进行的基板SUB的第一面SI的处理能够在第一配置中进行，所述第一配置是SUB基板配置在第一位置LI且温度调整部TA配置在基板SUB的第二面S2的一侧的配置方式。在第一配置中，温度调整部TA以与基板SUB的第二面S2接触的状态或与基板SUB的第二面S2相对的状态调整基板SUB的温度。由处理部P (第二处理部P2)进行的基板SUB的第二面S2的处理能够在第二配置中进行，所述第二配置是基板SUB配置在第二位置L2且温度调整部TA配置在基板SUB的第一面SI的一侧的配置方式。在第二配置中，温度调整部TA以与基板SUB的第一面SI接触的状态或与基板SUB的第一面SI相对的状态调整基板SUB的温度。
[0046]在此，对基板SUB的温度的调整能够是以下情况中的任意一个，例如:将基板SUB的温度维持在规定的温度范围内；将基板SUB的温度维持在上限温度以下；将基板SUB的温度维持在下限温度以上；对基板SUB进行冷却；和，对基板SUB进行加热。在基板处理装置I构成为溅射装置等等离子处理装置的情况下，典型地，温度调整部TA能够构成为冷却基板SUB的冷却部。在该情况下，基板SUB能够是例如树脂基板等。温度调整部TA也可以构成为加热基板SUB的加热部。在该情况下，基板SUB能够是例如金属基板、硅基板或玻璃基板等。
[0047]温度调整部TA能够包含例如在第一配置中与基板SUB的第二面S2接触或相对、在第二配置中与基板SUB的第一面SI接触或相对的温度调整板。温度调整板的温度能够由加热设备和/或冷却设备控制。
[0048]为了当在第一配置中基板SUB的第一面SI被处理后在第二配置中处理基板SUB的第二面S2，输送部CNVl将基板SUB从第一位置LI沿着输送路径(在图1、2中，输送路径沿着Y轴)输送至第二位置L2。在输送部CNVl将基板SUB从第一位置LI输送至第二位置L2时，驱动部DR使温度调整部TA从输送部CNVl的基板SUB的输送路径临时地退避。输送部CNVl的结构没有特别地限定，输送部CNVl例如能够由齿条和小齿轮或直线电动机或伸缩缸等构成。
[0049]输送部CNVl的基板SUB的输送路径的方向Dl能够是与第一位置LI中的基板SUB的第一面SI交叉(例如，正交)的方向(Y轴方向)。在一例中，输送部CNVl的基板SUB的输送路径的方向Dl能够是与第一位置LI中的基板SUB的第一面SI交叉的方向并且是水平方向。当驱动部DR使温度调整部TA退避时和使退避后的温度调整部TA返回原来的位置时使温度调整部TA移动的方向D2能够是与输送部CNVl的基板SUB的输送路径交叉的方向，例如是铅垂方向(Z轴方向)。方向D2是铅垂方向的这种结构有利于基板处理装置I的设置面积(占地面积)的减少。
[0050]当配置在第一位置LI的第一基板SUBl的第一面SI被处理部P (第一处理部Pl)处理后，能够由处理部P同时地处理第一基板SUBl的第二面S2和第二基板SUB2的第一面SI。第一基板SUBl的第二面S2和第二基板SUB2的第一面SI的同时处理在如下状态下进行，该状态为:第一基板SUBl配置在第二位置L2，第二基板SUB2配置在第一位置LI，温度调整部TA配置在第一基板SUBl和第二基板SUB2之间。
[0051]基板处理装置I还能够具备:第一推压部件Ml，该第一推压部件Ml将配置在第一位置LI的基板SUB向温度调整部TA推压；第二推压部件M2，该第二推压部件M2将配置在第二位置L2的基板SUB向温度调整部TA推压。在此，第一推压部件Ml能够作为用于处理基板SUB的第一面SI的一部分的掩模(mask)发挥作用，第二推压部件M2能够作为用于处理基板SUB的第二面S2的一部分的掩模发挥作用。
[0052]基板处理装置I能够构成为:在处理室200中，基板SUB的第一面SI和第二面S2被处理部P处理。基板处理装置I还能够具备分别与处理室200连接的装载室(装载锁定室)100和卸载室(装载锁定室)300。装载室100具有第一阀110和第二阀120。卸载室300具有第三阀310和第四阀320。
[0053]第一阀110是在将基板SUB从外部环境(例如，大气环境)搬入装载室100中时打开的阀。第二阀120是在将基板SUB从装载室100输送至处理室200中时打开的阀。第三阀310是在将基板SUB从处理室200输送至卸载室300中时打开的阀。第四阀320是在将基板SUB从卸载室300搬出至外部环境(例如，大气环境)时打开的阀。
[0054]基板处理装置I还能够具备第二输送部CNV2。第二输送部CNV2沿着与第一位置LI中的基板SUB的第一面SI平行的方向(X轴方向)，将应处理的基板SUB从处理室200外输送至处理室200中。另外，第二输送部CNV2沿着与第一位置LI中的基板SUB的第一面SI平行的方向(X轴方向)，将处理完毕的基板SUB从处理室200中输送至处理室200外。第二输送部CNV2的结构没有特别地限定，第二输送部CNV2也能够例如由齿条和小齿轮或直线电动机等构成。
[0055]输送部CNVl和第二输送部CNV2能够构成为通过输送保持基板SUB的基板支架SH来输送基板SUB。
[0056]以下，参照图3?图25例示地说明基板处理装置I中的多个基板SUB的连续的处理。此外，在图3?图25中，为了提高可视性，省略了输送部CNVl和第二输送部CNV2