分。
[0055]根据其应用，计算设备1100可包括可能或可能不物理和电耦合至主板1102的其他部分。这些其他组件可以包括，但不仅限于，易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如，ROM)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、密码处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、罗盘、加速度计、陀螺仪、扬声器、照相机、以及大容量存储设备(诸如硬盘驱动器、光盘(⑶)、数字多功能盘(DVD)，等等)。在图11中未示出的进一步的组件可以包括麦克风、滤波器、振荡器、压力传感器或RFID芯片。在各实施例中，组件中的一个或多个可以是诸如 MEMS 105、205、305、505、或 805 之类的 MEMS，或诸如 MEMS 结构 340、440、540、640、740,840或940之类的MEMS结构。在某些实施例中，组件中的一个或多个可以是包含组件中的一个或多个的诸如封装100、200、300、400、500、600、700、800或900之类的封装的泛称。
[0056]通信芯片1106可实现无线通信以用于去往计算设备1100和来自计算设备1100的数据传输。术语“无线”及其派生词可用于描述可通过使用通过非固态的介质的经调制的电磁辐射传播数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等等。术语不隐含相关联的设备不包含任何有线，虽然在一些实施例中它们可能不包括。通信芯片1106可实现多个无线标准或协议中的任一个，包括但不限于包括W1-Fi (IEEE802.11系列)、IEEE 802.16标准(例如，IEEE802.16-2005修订)的电子与电气工程师协会(IEEE)标准、长期演进(LTE)项目以及任何修改、更新和/或修订(例如，先进的LTE项目、超移动宽带(UMB)项目(也被称为“3GPP2”)等等)。可兼容BWA网络的IEEE 802.16 一般被称为WiMAX网络，代表全球微波接入互操作性的首字母的缩写是用于通过针对IEEE 802.16标准的整合和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片1106可根据全球移动通信系统(GSM)、通用分组无线业务(GPRS)、通用移动电信系统(UMTS)、高速分组接入(HSPA)、演进的HSPA(E-HSPA)或LTE网络操作。通信芯片1106可根据用于GSM演进的增强型数据(EDGE)、GSM EDGE无线电接入网络(GERAN)、通用陆地无线接入网络(UTRAN)或演进的UTRAN(E-UTRAN)操作。通信芯片1106可根据码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳通信(DECT)、演进数据优化(EV-DO)、它们的衍生物以及被指定为3G、4G、5G及以上的任何其他无线协议操作。在其他实施例中，通信芯片1106可根据其他无线协议操作。
[0057]计算设备1100可包括多个通信芯片1106。例如，第一通信芯片1100可致力于更短范围的无线通信(诸如，W1-Fi和蓝牙)以及第二通信芯片1106可致力于更长范围的无线通信(诸如，GPS、EDGE、GPRS, CDMA, WiMAX、LTE, Ev-DO 及其他)。
[0058]计算设备1100的处理器1104可以包括IC封装组件中的半导体管芯。术语“处理器”可表示任何设备或设备的一部分，其处理来自寄存器和/或存储器的电子数据，以将该电子数据转换成可存储于寄存器和/或存储器中的其它电子数据。
[0059]通信芯片1106也可以包括IC封装组件中的管芯。在进一步的实现中，在计算设备1100内的另一组件(例如，存储器设备或其他集成电路设备)可以包含IC封装组件中的管芯。
[0060]在多个实现中，计算设备1100可以是膝上型计算机、上网本、笔记本、超极本、智能手机、平板、个人数字助理(PDA)、超移动OC、移动电话、桌面计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器或数字视频记录仪。在进一步的实现中，计算设备1100可以是处理数据的任何其他电子设备，例如，诸如传真或打印一体机之类的一体机设备。
[0061]示例
[0062]示例I可以包括封装组件，包括:具有活动端和与所述活动端相对的不活动端的专用集成电路(ASIC);具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS);以及，一个或多个互连；其中MEMS通过所述一个或多个互连，直接耦合到所述ASIC ;以及，其中，MEMS, ASIC以及一个或多个互连构成MEMS、ASIC以及一个或多个互连之间的空腔。
[0063]示例2可以包括示例I的封装组件，其中，MEMS是第一 MEMS，空腔是第一空腔，一个或多个互连是第一一个或多个互连，封装组件进一步包括:第二 MEMS ;以及，第二一个或多个互连；其中所述第二 MEMS通过第二一个或多个互连，直接耦合到所述ASIC，其中，第二MEMS、ASIC以及第二一个或多个互连构成第二 MEMS、ASIC以及第二一个或多个互连之间的空腔。
[0064]示例3可以包括示例2的封装组件，其中，所述第一 MEMS是陀螺仪、加速度计、磁力计、麦克风、滤波器、振荡器、压力传感器、射频标识(RFID)芯片，或扬声器。
[0065]示例4可以包括示例2的封装组件，进一步包括与ASIC耦合的一个或多个封装级别互连。
[0066]示例5可以包括示例4的封装组件，其中，所述一个或多个封装级别互连的单个封装级别的互连与所述第一 MEMS的所述不活动端耦合；以及，其中，所述单个封装级别互连通过从所述MEMS的所述不活动端到所述MEMS的所述活动端的硅通孔(TSV)，与所述ASIC耦合，其中所述TSV与所述ASIC耦合。
[0067]示例6可以包括示例2的封装组件，其中，所述第一一个或多个互连中的互连与所述ASIC的重新分布层(RDL)耦合。
[0068]示例7可以包括示例6的封装组件，其中所述第一一个或多个互连和所述ASIC与底部填充料耦合；其中，所述底部填充料被配置成密封所述第一空腔；以及，其中，所述第一空腔基本上无所述底部填充料。
[0069]示例8可以包括示例7的封装组件，其中，所述RDL与所述第一一个或多个互连以及所述底部填充料中的每一个耦合，所述RDL被配置成进一步密封所述第一空腔。
[0070]示例9可以包括示例7的封装组件，进一步包括封装至少所述第一 MEMS的所述不活动端、所述底部填充料，以及所述ASIC的至少一部分的模制化合物，其中，所述空腔基本上无所述模制化合物。
[0071]示例10可以包括示例2-6中的任何一个的封装组件，进一步包括覆盖所述所述ASIC的活动端或不活动端中的一个的至少一部分的模制化合物，其中所述第一 MEMS与所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的另一个耦合。
[0072]示例11可以包括示例2-6中的任何一个的封装组件，其中，所述ASIC包括安置在所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的第三空腔；以及，其中，第一 MEMS与第三空腔内的ASIC耦合。
[0073]示例12可以包括示例2-4中的任何一个的封装组件，第一 MEMS通过所述第一一个或多个互连，耦合到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的一个；以及，其中，所述第一 MEMS通过所述ASIC中的一个或多个硅通孔(TSV)，电耦合到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的另一个，其中，所述一个或多个TSV被配置成提供从所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的所述一个到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的另一个的电气通道。
[0074]示例13可以包括示例12的封装组件，其中，所述第一 MEMS通过一个或多个引线键合，电耦合到所述TSV中的一个或多个。
[0075]示例14可以包括一种制造封装组件的方法，所述方法包括:将具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)耦合到一个或多个互连；以及，将所述一个或多个互连直接耦合到具有活动端和与所述活动端相对的不活动端的专用集成电路(ASIC);其中，所述MEMS、所述ASIC，以及所述一个或多个互连定义所述MEMS、所述ASIC，以及所述一个或多个互连之间的空腔。
[0076]示例15可以包括示例14的方法，其中，所述MEMS是第一 MEMS，所述空腔是第一空腔，所述一个或多个互连是第一一个或多个互连，进一步包括:将第二 MEMS耦合到第二一个或多个互连；以及，将所述第二一个或多个互连直接耦合到所述ASIC ;其中，所述ASIC、所述第二 MEMS，以及所述第二一个或多个互连定义第二空腔。
[0077]示例16可以包括示例15的方法，其中，将所述第一互连耦合到所述ASIC包括将所述第一互连耦合到所述ASIC的重新分布层(RDL)。
[0078]示例17可以包括示例15或16的方法，进一步包括利用模制化合物，覆盖所述ASIC的所述活动或不活动端中的一个的至少一部分，其中，所述第一空腔基本上无所述模制化合物。
[0079]示例18可以包括示例15或16的方法，进一步包括:在所述ASIC中构成第三空腔；以及，在所述第三空腔内，将所述第一 MEMS与所述ASIC耦合。
[0080]示例19可以包括示例15或16的方法，进一步包括通过引线键合，将所述第一MEMS与所述ASIC耦合。
[0081]示例20可以包括示例15或16的方法，进一步包括通过封装级别互连，将所述ASIC与电路板耦合。
[0082]示例21可以包括示例20的方法，进一步包括将所述封装级别互连与所述第一MEMS的所述不活动端耦合；以及，通过从所述MEMS的所述不活动端到所述MEMS的所述活动端的硅通孔(TSV)，将所述封装级别互连与所述ASIC耦合，其中所述TSV与所述ASIC耦入口 ο
[0083]示例22可以包括示例15或16的方法进一步包括:通过所述第一一个或多个互连，将所述第一 MEMS耦合到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的一个；以及，通过所述ASIC中的一个或多个硅通孔(TSV)，将所述第一 MEMS电耦合到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的另一个，其中，所述一个或多个TSV被配置成提供从所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的所述一个到所述ASIC的所述活动端或所述不活动端中的另一个的电气通道。
[0084]示例23可以包括一种带有尺寸缩小的封装组件的系统，所述系统包括:电路板；与所述电路板耦合的封装组件，所述封装组件包括:具有活动端和与所述活动端相对的不活动端的专用集成电路(ASIC);具有活动端和不活动