a的至少一个可以同样直接耦合到模制化合物680，而其他封装级别互连645与诸如RDL630a或630之类的RDL耦合，或直接耦合到ASIC 610。
[0040]图7描绘了包括MEMS结构740的封装700的替换实施例的截面图，MEMS结构740可以类似于图3中的MEMS结构340，并包括MEMS和互连，它们分别可以类似于MEMS 305和互连315。封装700也可以包括可以类似于图3中的ASIC 310的ASIC 710。在各实施例中，MEMS结构740和/或ASIC 710可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图7中未示出。另外，MEMS结构740的MEMS可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图7中未示出)，与ASIC 710耦合。ASIC710可以具有活动端720和不活动端725，它们可以分别类似于活动端320和不活动端325。另外，封装700可以包括一个或多个封装级别互连745，它们可以与封装700的RDL 730耦合和/或直接耦合到ASIC 710。
[0041]ASIC 710可以包括ASIC 710的活动端720中的空腔785。在ASIC 710的制造过程中或在制造ASIC 710之后，空腔可以以化学方式、以机械方式，或激光蚀刻、烧蚀，或以别的方式在ASIC的活动端720中形成。在各实施例中，RDL 730可以延伸到空腔785中，并与空腔785内部的MEMS结构740耦合。在其他实施例中，MEMS结构740可以直接与空腔785内部的ASIC 710耦合。虽然空腔785被示为相对于ASIC 710是有角的，但是，在其他实施例中，空腔785的壁可以垂直于ASIC 710的活动端720，圆形的，或具有某种其他形状或配置。另外，尽管在图7中示出了单一空腔785，但是，在其他实施例中，ASIC 710可以包括诸如空腔785之类的多个空腔。在各实施例中，诸如空腔785之类的一个或多个空腔可以提供不同的优点。例如，空腔785可以缩小诸如封装700之类的封装的厚度。另外，将MEMS结构740安置在空腔785内部可以为特定在物理上敏感的MEMS提供保护，因为空腔可以使得外面的对象更加难以和MEMS和/或MEMS结构740接触。
[0042]图8描绘了包括MEMS结构840的封装800的替换实施例的截面图，MEMS结构840可以类似于图5中的MEMS结构540，并包括MEMS 805和互连，它们分别可以类似于MEMS505和互连315。封装800也可以包括可以类似于图5中的ASIC 510的ASIC 810。在各实施例中，MEMS 805和/或ASIC 810可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图8中未示出。另外，MEMS 805可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图8中未示出)，与ASIC 810耦合。ASIC 810可以具有活动端821和不活动端826，它们可以分别类似于图3的活动端320和不活动端325。
[0043]在各实施例中，MEMS结构840中的一个或多个可以包括带有可以类似于图5的TSV 560的TSV 860的MEMS 805。在某些实施例中，封装级别互连845a中的一个或多个(可以类似于图5的封装级别互连545)可以直接与MEMS 805的不活动端825耦合。在各实施例中，MEMS 805的TSV860可以被配置成通过MEMS 805的本体将电信号从MEMS 805的活动端820携带到一个或多个封装级别互连845a。在各实施例中，TSV 860可以另外与MEMS结构840的互连(为清楚起见，未标记)耦合。在各实施例中，TSV 860可以被配置成通过MEMS触点或互连，在RDL 830中的一个或多个和封装级别互连845a中的一个或多个之间携带电信号。
[0044]在某些实施例中，其他封装级别互连845b (可以类似于图5的封装级别互连545)可以直接与ASIC 810或ASIC 810的RDL 830耦合。在某些实施例中，封装级别互连845a和845b可以是不同的大小，以便封装800具有相对均匀的表面安装级别。换言之，封装级别互连845a和845b可以是不同的大小，以便每一封装级别互连845a和845b都具有相对于封装800的相对类似的最低点，如所描绘的。在某些实施例中，封装级别互连中的至少两个可以是一样大小，例如，两个封装级别互连845a或两个封装级别互连845b。
[0045]图9描绘了包括MEMS结构940的封装900的替换实施例的截面图，MEMS结构940可以类似于图3中的MEMS结构340，并包括MEMS和互连，它们分别可以类似于MEMS 305和互连315。封装900也可以包括可以类似于图3中的ASIC 310的ASIC 910。在各实施例中，MEMS结构940和/或ASIC 910可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图9中未示出。另外，MEMS结构940的MEMS可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图9中未示出)，与ASIC 910耦合。ASIC910可以具有活动端920和不活动端925，它们可以分别类似于活动端320和不活动端325。另外，封装900可以包括一个或多个封装级别互连945，它们可以与封装900的RDL 930或930a耦合和/或直接耦合到ASIC 910。一个或多个封装级别互连945可以类似于封装级别互连345。
[0046]在各实施例中，MEMS结构940中的一个或多个可以至少部分地由底部填充材料990包围或以别的方式与其耦合。在各实施例中，底部填充材料990可以由任何环氧树脂基材料制成，有或者没有填充材料。如上文所描述的，可能希望MEMS结构940的空腔903 —般性地密封，以便其他材料不能侵入空腔903并接触MEMS的活性表面。底部填充材料990可以安置在封装900上，并至少部分地包围或覆盖MEMS结构940，以密封或以别的方式保护MEMS结构940。换言之，底部填充材料990可以充当防止不希望的材料进入MEMS结构940的空腔903的另一屏障。虽然只示出了单一 MEMS结构940与底部填充材料990耦合，但是，在其他实施例中，每一 MEMS结构940，或封装900上的至少一个以上的MEMS结构940可以与底部填充材料990耦合或以别的方式至少部分地由底部填充材料990包围。
[0047]在某些实施例中，诸如RDL 930a之类的RDL可以横跨整个MEMS结构940，以一般性地完全覆盖MEMS结构940903空腔。在各实施例中，此RDL 930a可以提供类似于底部填充材料990的用途的用途，它可以有助于密封空腔903，使得不希望的材料不能进入空腔903。
[0048]在某些实施例中，ASIC 910的活动端920可以被可以类似于图6的模制化合物680的包胶模或前端模制材料980覆盖。在各实施例中，底部填充材料990和/或延伸的RDL 930a可以防止包胶模材料980进入MEMS结构940的空腔903中。在其他实施例中，包胶模材料980可以提供如上文对底部填充材料990所描述的类似的用途，它可以有助于密封空腔903，使得不希望的材料不能进入空腔903。
[0049]上文所描述的示例实施例旨在作为示例，不旨在限制其他实施例或除去其他实施例。一些实施例的特征可以在其他实施例中组合起来或省去。例如，在某些实施例中，图9的封装900可以不包括包胶模材料980。在其他实施例中，封装900可以不包括跨越整个MEMS结构940的RDL 930a。一些实施例可以包括特征的组合。例如，诸如封装900之类的封装可以包括图5的MEMS TSV 560和引线键合565。在各实施例中，某些元件，例如，MEMS结构740或空腔785被描述为位于诸如ASIC 710之类的ASIC的活动端，在其他实施例中，MEMS结构740和/或空腔785可以另选地或另外地位于ASIC 710的不活动端725，并通过诸如RDL/TSV 430之类的RDL/TSV，耦合到封装级别互连745。在其他实施例中，可以实现特征的其他组合，或某些排除特征。
[0050]在某些实施例中，不同类型的MEMS可以与相同ASIC耦合。例如，参考图3，MEMS305可以是加速度计。另外，另一 MEMS结构340中的一个MEMS可以是陀螺仪，而第三MEMS结构340中的MEMS可以是磁力计。在其他实施例中，至少两个相同类型的MEMS可以耦合到诸如ASIC310之类的ASIC。例如，ASIC 310可以与两个扬声器类型的MEMS和单一麦克风类型的MEMS耦合。在其他实施例中，可以组合MEMS的不同的合适的组合，以便带有不同的功能的不同的MEMS可以耦合到诸如ASIC310之类的相同ASIC。
[0051]图10 描绘了用于构建诸如封装 100、200、300、400、500、600、700、800 或 900 之类的封装的制造过程的示例。在各实施例中，在1000，MEMS可以耦合到一个或多个互连。MEMS可以是诸如MEMS 105、205、305、505或805之类的MEMS。一个或多个互连可以是诸如互连115、215或315之类的一个或多个互连。在某些实施例中，如上文所指出的，在MEMS的制造过程中，MEMS可以耦合到互连。在其他实施例中，在制造MEMS之后，MEMS可以耦合到互连。
[0052]在1010，一个或多个互连可以耦合到诸如 ASIC 110、210、310、410、510、610、710、810或910之类的ASIC。在各实施例中，一个或多个互连可以是ASIC的元件，该元件在ASIC的制造过程中或在制造ASIC之后耦合到ASIC。在某些实施例中，在在1000将MEMS耦合到一个或多个互连之前，一个或多个互连可以耦合到ASIC I10在各实施例中，示例制造过程可以不依赖于顺序。
[0053]在某些实施例中，一个或多个互连可以通过诸如回流、热压键合或层叠之类的过程，耦合到MEMS或ASIC中的一个或两个。
[0054]可在使用任何合适硬件和/或软件按需配置的系统中实现本公开的实施例。图11示意地示出了根据本发明的一个实现的计算设备1100。计算设备1100可以容纳诸如主板1102之类的板(例如，外壳1152)。母板1102可包括多个组件，包括但不限于处理器1104和至少一个通信芯片1106。处理器1104可物理地和电气地耦合至母板1102。在一些实现中，至少一个通信芯片1106也可物理地和电气地耦合至母板1102。在进一步实现中，通信芯片1106可以是处理器1104的一部