球255可以是或包括锡、铅、银或这些材料或其他类似的材料的某种合金。在其他实施例中，MEMS 205和ASIC 210可以使用其他合适的管芯互连结构来耦合，包括，例如，凸块、倒装样式的凸块、基柱等等。
[0027]如图2所示，MEMS 205可以通过互连215，与ASIC 210直接耦合。通过将MEMS205与ASIC 210直接耦合并形成空腔203，可以实现若干个优点。具体而言，ASIC 210可以取代上文所讨论的通常可以用于保护MEMS205的活动端220的通常所使用的盖/帽。通过从封装200中去除单独的盖/帽，可以简化制造过程，这可能会导致制造更加容易，更快并且更加便宜的封装。
[0028]图3描绘了包括MEMS 305的封装300的示例的截面图，MEMS 305可以类似于图1中的MEMS 105。封装300也可以包括可以类似于图1中的ASIC 110的ASIC 310。MEMS305可以通过可以类似于图1的互连115的互连315来与ASIC 310耦合。在各实施例中，MEMS 305和/或ASIC 310可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图3中未示出。另外，MEMS 305可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图3中未示出)，与ASIC 310耦合。
[0029]在各实施例中，ASIC 310可以具有活动端320和不活动端325。类似于MEMS 305，ASIC 310的活动端320可以包括电路，而ASIC 310的不活动端325可能不包括电路。类似于MEMS，ASIC 310的电路可以包括处理电路、传感器和/或安置在ASIC 310上或内的其他敏感装置。在图3的封装300中，MEMS 305和互连315可以与ASIC 310的活动端320耦合。在各实施例中，活动端可以包括一个或多个重新分布层(RDL)330和335。在各实施例中，RDL 330可以一般与ASIC 310的活动端320齐平。另选地或另外地，RDL 335可以从ASIC 310的活动端320延伸，或嵌入在ASIC 310内。在各实施例中，互连315可以通过RDL 330或335中的一个或多个耦合到ASIC 310。在某些实施例中，RDL 330或335可以导电，并被配置成携带电信号。在各实施例中，RDL 330或335可以包括诸如金、铜、银之类的导电金属或其某种合金或由它们制成。在某些实施例(未示出)中，RDL 330或335可以被诸如氮化硅、二氧化硅、聚酰亚胺之类的电介质或电中性或绝缘材料，或其某种组合来覆盖。在其他实施例中，RDL 330或335可以由其他合适的导电或电中性/绝缘材料组成。
[0030]如此处所使用的，MEMS 305和互连315可以叫做MEMS结构340。如图3所示，封装300可以包括一个以上的MEMS结构340。例如，封装300可以包括可以彼此电隔离的三个MEMS结构340，或至少两个MEMS结构340可以与ASIC 310通电。在各实施例中，MEMS结构340可以和RDL 330或335中的一个或多个接触，或直接与ASIC 310耦合。
[0031]在各实施例中，ASIC 310可以与一个或多个封装级别互连345耦合。在各实施例中，封装级别互连345可以是诸如参考图2中的焊球255讨论的焊接材料之类的焊接材料。在其他实施例中，封装级别互连345可以包括引线键合的引线，引线可以是或包括银、铜、金，或这些材料或其他类似的材料的某种其他合金。在其他实施例中，封装级别互连345可以包括其他合适的互连结构。如上文所指出的，在某些实施例中，RDL 330或335可以导电，并被配置成携带信号。在各实施例中，RDL 330或335可以通过RDL 330或335将信号从MEMS结构340携带到封装级别互连345。封装级别互连345也可以是导电的，并被配置成将信号从封装300携带到计算机板(例如，诸如主板之类的电路板)或使用封装级别互连345耦合到封装300的其他电路(例如，封装衬底)。
[0032]图4描绘了包括MEMS结构440的封装400的替换实施例的截面图，MEMS结构440可以类似于图3中的MEMS结构340，并包括MEMS和互连，它们分别可以类似于MEMS 305和互连315。封装400也可以包括可以类似于图3中的ASIC 310的ASIC 410。在各实施例中，MEMS结构440和/或ASIC 410可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图4中未示出。另外，MEMS结构440的MEMS可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图4中未示出)，与ASIC 410耦合。
[0033]在各实施例中，ASIC 410可以包括下面更详细地描述的一个或多个RDL/TSV430。在各实施例中，MEMS结构440可以与ASIC 410的第一端470耦合。在各实施例中，一个或多个封装级别互连445可以与ASIC 410的与第一端470相对的第二端475耦合。在一个实施例中，第一端470可以是ASIC 410的活动端，该活动端可以类似于图3的ASIC 310的活动端320。在此实施例中，ASIC 410的第二端475可以是ASIC 410的不活动端，该不活动端可以类似于图3的ASIC 310的不活动端325。在其他实施例中，第一端470可以是ASIC 410的不活动端，而第二端475可以是ASIC 410的活动端。
[0034]在各实施例中，信号可以通过一个或多个硅通孔(TSV)从ASIC 410的第一端470传输到ASIC 410的第二端475，在图4中，硅通孔被示为与两个RDL集成。具体而言，RDL/TSV 430可以是指集成结构，该集成结构包括ASIC 410的第二端475上的RDL 430a、ASIC410的第一端470上的RDL 430b，以及将两个RDL 430a和430b彼此耦合的TSV 430c。然而，为便于参考，RDL 430a和430b，以及TSV 430c被称为单一的RDL/TSV 430oRDL/TSV 430可以导电，并被配置成通过RDL/TSV 430将信号从MEMS结构440的MEMS携带到封装级别互连445，封装级别互连445被配置成将信号从封装400携带到计算机板或耦合到封装400的其他电路。ASIC 410可以包括比所描绘的较多或较少的RDL，和/或用于在第一端470和第二端475之间路由电信号的替换的装置，诸如，在第一端470和第二端475之间形成一个或多个互连层的沟道或通孔。
[0035]图5描绘了包括MEMS结构540的封装500的替换实施例的截面图，MEMS结构540可以类似于图4中的MEMS结构440，并包括MEMS 505和互连，它们分别可以类似于MEMS305和互连315。封装500也可以包括可以类似于图4中的ASIC 410的ASIC 510。在各实施例中，MEMS结构540中的一个或多个可以通过一个或多个RDL/TSV 530 (可以类似于图4的RDL/TSV 430)与一个或多个封装级别互连545耦合，封装级别互连545可以类似于图4的封装级别互连445。ASIC 510可以具有第一端570 (可以类似于图4的ASIC 410的第一端470)以及第二端575 (可以类似于图4的ASIC 410的第二端475)。
[0036]在如图5所示的实施例中，MEMS结构540的MEMS 505可以不包括MEMS触点230或235。另选地或另外地，ASIC 510可以不包括诸如ASIC触点240或245之类的ASIC触点。在某些实施例中，可以存在MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245中的至少某些。因此，MEMS 505可以包括一个或多个TSV 560，它们被配置成通过MEMS 505的本体，将电信号从MEMS 505的活动端520携带到MEMS的第二端(为清楚起见，在图5中未标记)。在各实施例中，TSV 560可以通过引线键合565，与RDL/TSV 530中的一个或多个耦合，引线键合565可以是或包括银、铜、金，或这些材料或其他类似的材料的某种其他合金。如此，电信号可以从MEMS 505的活动端520通过TSV 560携带到引线键合565。然后，信号可以通过引线键合565传输到RDL/TSV 530，并通过封装级别互连545，从RDL/TSV 530传输到电路板或其他电路。在各实施例中，MEMS结构540可以与ASIC 510的第一端570耦合，而封装级别互连545与ASIC 510的第二端575耦合。在某些实施例中，第一端570可以是ASIC510的活动端，而第二端575可以是ASIC 510的不活动端。在其他实施例中，第一端570可以是ASIC 510的不活动端，而第二端575可以是ASIC 510的活动端。
[0037]图6描绘了包括MEMS结构640的封装600的替换实施例的截面图，MEMS结构640可以类似于图3中的MEMS结构340，并包括MEMS和互连，它们分别可以类似于MEMS 305和互连315。封装600也可以包括可以类似于图3中的ASIC 310的ASIC 610。在各实施例中，MEMS结构640和/或ASIC 610可以包括MEMS触点230或235，或ASIC触点240或245，为清楚起见，在图4中未示出。另外，MEMS结构640的MEMS可以通过在图2中所描述的管芯级别互连中的一个或多个(为清楚起见，在图6中未示出)与ASIC 410耦合。ASIC610可以具有活动端620和不活动端625，它们可以分别类似于活动端320和不活动端325。
[0038]在各实施例中，ASIC 610可以至少部分地被模制化合物680覆盖。在某些实施例中，封装600可以被视为嵌入式晶片级球栅阵列(eWLB)封装。在各实施例中，模制化合物680可以由任何环氧树脂基材料制成或包括任何环氧树脂基材料，该材料包括各种增强和填充材料。在其他实施例中，模制化合物680可以由其他合适的材料制成。
[0039]在某些实施例中，诸如RDL 630a之类的一个或多个RDL可以安置在模制化合物680而并非ASIC 610内部或以别的方式与其耦合。其他RDL，例如，RDL 630可以安置在ASIC 610内部或以别的方式与其耦合，例如，如上文参考RDL 330或335所描述的。RDL630a与模制化合物680的親合可以增大封装600的扇形展开区域。扇形展开(fan-out)区域可以被视为由封装600占据的侧区域，增大扇形展开区域可以允许更多组件与封装耦合，提供更好的结构支撑，或提供封装600的更好的热分布。如图6所示，封装级别互连645