制造方法，所述工序为:在安装于基板的电子器件上配置树脂片11的工序;将安装于 基板的电子器件、及配置于电子器件上的树脂片11装入真空包装容器的工序;和将真空包 装容器内的电子器件用树脂片11密封的工序。需要说明的是，该方法被记载于国际公开 W02005/071731号、日本专利第5223657号公报。
[0085] 作为电子器件，可列举：传感器、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、SAW (Surface Acoustic Wave)滤波器等具有中空结构的电子器件（中空型电子器件）；半导体 芯片、1C(集成电路）、晶体管等半导体元件；电容器;电阻等。其中，可以特别适合用于SAW滤 波器。需要说明的是，中空结构是指:在将电子器件搭载于基板时，形成于电子器件与基板 之间的中空部。作为基板，并无特别限定，例如可列举印刷布线基板、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)基板(低温同时烧成陶瓷基板）、陶瓷基板、娃基板、金属 基板等。
[0086] 真空包装容器并无特别限定，例如可以使用具备阻气性的袋等。另外，作为真空包 装容器，优选具备耐热性的容器，具体而言，可以为具有耐受热固化时的温度的耐热性的容 器。另外，作为真空包装容器，优选具备柔软性、热密封性的容器。
[0087] 作为真空包装容器，具体而言，可列举：以聚酯系膜为外层且以具备热密封性的聚 乙烯系膜为内层(密封层)的多层结构的容器。作为内层，也可以适合使用聚丙烯系膜等。作 为外层，也可以适合使用聚酰亚胺膜、聚酰胺膜等。需要说明的是，在外层与内层之间可以 具有中间层。作为中间层，优选阻气性高的层，优选例如铝层等。
[0088] 作为用树脂片11密封电子器件的方法，例如有将电子器件埋入树脂片11的方法、 以软化的树脂片11覆盖电子器件的方法。
[0089] 树脂片11可以作为保护电子器件及其附带的元件免受外部环境影响的密封树脂 来发挥功能。
[0090] [电子器件封装体的制造方法]
[0091] 作为电子器件封装体的制造方法，例如有在真空包装后密封电子器件的第1制造 方法、在真空包装前密封电子器件的第2制造方法等。
[0092] 以下，针对第1制造方法及第2制造方法进行说明。需要说明的是，作为代表例，对 SAW滤波器封装体的制造例进行说明。
[0093] [第1制造方法]
[0094](搭载SAW滤波器的基板的准备工序）
[0095] 在搭载SAW滤波器的基板的准备工序中，准备搭载有多个SAW滤波器13的LTCC基板 12(参照图2)。通过利用公知的方法对形成有规定梳形电极的压电晶体进行切割，使其单片 化，由此可以形成SAW滤波器13。SAW滤波器13在LTCC基板12上的搭载可以使用倒装芯片接 合器、芯片接合器等公知的装置。SAW滤波器13与LTCC基板12借助凸块等突起电极13a进行 电连接。另外，在SAW滤波器13与LTCC基板12之间，以不阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的 传播的方式维持中空部1LSAW滤波器13与LTCC基板12之间的距离可以适当地设定，通常为 15~50ym左右。
[0096] (配置工序）
[0097]在安装于LTCC基板12的SAW滤波器13上配置树脂片11(参照图3)。需要说明的是， 可以在树脂片11的未与SAW滤波器13接触的面设置脱模片(例如，上述支承体）。该状态示于 国际公开W02005/071731号的图5中。
[0098](插入工序）
[0099]接着，将安装于LTCC基板12的SAW滤波器13及SAW滤波器13上的树脂片11装入真空 包装容器21中（参照图4)。
[0100] (真空包装工序）
[0101] 接着，使真空包装容器21的内部减压(例如500Pa以下）后，将真空包装容器21密封 (参照图5)。
[0102] 具体而言，将装有LTCC基板12、SAW滤波器13及树脂片11的真空包装容器21放置于 密闭容器内，接着，利用真空栗对密闭容器内进行脱气，使密闭容器内减压。之后，利用热熔 接用加热器(热封机)将真空包装容器21的开口部的附近从两侧熔接，对真空包装容器21进 行密封(参照图5)。需要说明的是，该情况被示于国际公开W02005/071731号的图3中。真空 包装容器21的开口部也可以用夹具等进行密闭。
[0103]若将密封状态的真空包装容器21从密闭容器取出至大气压中，则因真空包装容器 21内外的压力差，而成为真空包装容器21与LTCC基板12及树脂片11粘附的状态。
[0104]需要说明的是，作为对真空包装容器21的内部进行减压的方法，还可列举:将与真 空栗连接的金属管气密性地插入真空包装容器21的开口部内，对真空包装容器21内进行脱 气的方法等。
[0105] (加热工序）
[0106] 加热工序中，连同真空包装容器21-起对树脂片11进行加热使其软化。加热温度 通常为低于树脂片11的固化温度，例如为50 °C~140 °C。
[0107] 由此，使软化的树脂片11浸入安装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间。结果，SAW 滤波器13被树脂片11覆盖。
[0108] 加热工序中，可以在比真空包装容器21的内部高的压力下(例如大气压下)加热真 空包装容器21。由此，利用真空包装容器21的内外的压力差，可以使软化的树脂片11浸入安 装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间。
[0109] 需要说明的是，如国际公开W02005/071731号的图8、9及日本专利第5223657号公 报的图8等所示，利用加热·加压辊或压制机等对真空包装容器21进行加热及加压，可以使 软化的树脂片11浸入安装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间。
[0110] (热固化工序）
[0111] 接着，连同真空包装容器21 -起对树脂片11进行加热，使树脂片11热固化。
[0112] 作为具体的方法，例如有如下方法:在将密封后的真空包装容器21装入密闭容器 后，利用填充于密闭容器内的压力介质对真空包装容器21施加压力，并在该状态下，对真空 包装容器21进行加热，使树脂片热固化。在该方法中，可以借助压力介质对真空包装容器21 进行加压及加热，因此容易管理中空部14的形状或尺寸。作为压力介质，可列举空气、水、油 等。需要说明的是，该情况被示于国际公开W02005/071731号的图4中。
[0113] 加热温度为例如60°C~150°C。
[0114] 作为其他的具体方法，例如也适合为:利用压制机对真空包装容器21进行热压，使 树脂片11热固化的方法;在比真空包装容器21的内部高的压力下(例如大气压下)对真空包 装容器21进行加热，使树脂片11热固化的方法等。该情况示于日本专利第5223657号公报的 图8、图9中。
[0115] (分割工序）
[0116] 之后，从真空包装容器21取出被树脂片11密封的SAW滤波器13,将LTCC基板12按照 SAW滤波器13进行分害U(参照图6及图7)。由此，可获得SAW滤波器封装体16。作为分割方法， 可列举例如切割、剪切-断开(力分· 等。
[0117] 上述例子的方法由于能够在减压下密封SAW滤波器，因此具有能够降低孔隙的产 生、能够利用简易的减压装置来实施等优点。
[0118] 需要说明的是，在上述的例子中，在代替SAW滤波器13而使用半导体芯片的情况 下，可以在半导体芯片与基板之间填充底部填充材料。需要说明的是，该情况示于国际公开 W02005/071731 号的图 7中。
[0119] 在上述的例子中示出以2阶段进行加热工序和热固化工序的方法，也适合为将它 们合并而以1个工序进行的方法。
[0120] 如上所述，关于第1制造方法，可以通过包括下述工序的方法来制造电子器件封装 体，所述工序例如为:在安装于基板的电子器件上配置树脂片11的工序;将安装于基板的电 子器件、及配置于电子器件上的树脂片11装入真空包装容器的工序;对装入真空包装容器 的基板、电子器件及树脂片11进行真空包装的工序;和将真空包装容器内的电子器件用树 脂片11密封的工序。
[0121]需要说明的是，真空包装后的真空包装容器内的真空度为例如500Pa以下。
[0122] 通常，第1制造方法还包括:使密封体的来自树脂片11的部分固化的工序，该密封 体通过用树脂片11密封电子器件而得到；自真空包装容器取出使密封体的来自树脂片11的 部分固化而得到的固化体的工序;和对固化体进行切割的工序。
[0123] 第1制造方法中，对于用树脂片11密封电子器件的工序而言，例如通过使安装于基 板的电子器件及配置于电子器件上的树脂片11连同真空包装容器一起加热而使树脂片11 软化，并用软化的树脂片11覆盖电子器件，由此用树脂片11密封真空包装容器内的电子器 件。该工序中，优选在比真空包装容器的内部高的压力下(例如大气压下），使树脂片11等连 同真空包装容器一起加热。
[0124] 对于使密封体的来自树脂片11的部分固化的工序而言，例如通过对密封体连同真 空包装容器一起进行加热，从而使密封体的来自树脂片11的部分固化。该工序中，优选在比 真空包装容器的内部高的压力下(例如大气压下），使密封体连同真空包装容器一起加热。
[0125] [第2制造方法]
[0126] 第1制造方法中，示出了在密封真空包装容器