芯片焊盘11以及半导体元件31与封装树脂33之间的粘合力高，且半导体元件31的电气特性出色的半导体封装件30。
[0090][第二实施方式]
[0091]以下，将参照图7，对本实施方式涉及的半导体封装件30b进行说明。以下，对与图1至图6中相同的结构要素，用相同的符号表示而省略说明。
[0092]如图7所示，在本实施方式中，连接构件32不是键合线，而是卡夹式(Clip)接线端子。在这一点上，与第一实施方式不同。
[0093]卡夹式接线端子是长条板状的连接构件，是将导电性板材弯曲而形成的。卡夹式接线端子的一端的面经由焊锡或者银膏等的接合构件从而与引线12的第一端部17的面相接合。卡夹式接线端子的另一端的面经由焊锡或者银膏等的接合构件从而与电极部312的面相接合。
[0094]卡夹式接线端子例如是包含第一卡夹式接线端子(省略图示)和第二卡夹式接线端子322b。第一电极3121(参照图1以及图2)与第一卡夹式接线端子相连接。第二电极3122与第二卡夹式接线端子322b相连接。
[0095]本实施方式的半导体封装件30b通过与第一实施方式相同的方式被制造。根据本实施方式，能够起到与第一实施方式同样的效果。
[0096]以上，参照附图对本发明涉及的适用的实施方式的示例例进行了说明，但本发明并不仅限定于所涉及的示例。在上述示例中所示的各个结构构件的各种形状或者组合等仅为一个示例，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以根据设计要求进行各种变更。
【实施例】
[0097]以下，将采用实施例对本发明进行更详细地说明。
[0098]不过本发明不仅被限定于以下所示的实施例。
[0099]【实施例】
[0100]采用封装树脂(环氧(epoxy)树脂)制造半导体封装件。在制造过程汇中进行上述表面处理工序。使用3-巯丙基三甲氧基硅烷作为进行喷雾的硅烷偶联剂。
[0101]对于如上述这样制造的半导体封装件的样品(Sample)，在预处理之后进行温度循环试验。预处理为依次进行以下三步处理。
[0102](预处理一)Ta(周围温度)=125°C，24小时
[0103](预处理二)Ta= 85°C，RH(相对湿度)=85%，168 小时
[0104](预处理三)IR回流焊(260°C，循环两次)
[0105]温度循环试验在以下条件下进行。
[0106](条件)最低保存温度=-55°C，最高保存温度=150°C，循环1000次
[0107]在上述条件下，对各个数量相同的样品进行温度循环试验，且对半导体封装件的热电阻特性的变动进行评价。
[0108]【比较例】
[0109]对半导体封装件不进行上述表面处理而制造。其他制造条件与实施例相同。对比较例也实行与实施例相同的温度循环试验，也对其热电阻特性的变动进行评价。
[0110]【试验结果】
[0111]在实行了表面处理的实施例中，直到完成1000次循环时都没有产生不良品。与此相对，在没有实行表面处理的比较例中，在完成300次循环时已经产生不良品，在完成1000次循环时，在比较例中产生的不良品占全部样品的77%。
[0112]如以上所示，在实行了表面处理的实施例中，不会产生不良品，而在没有实行表面处理的比较例中，产生了不良品。
[0113]从该结果可知，采用本发明，能够在提升芯片焊盘以及半导体元件与封装树脂33之间的粘合力的同时，还能够提升半导体元件与连接构件之间的连接可靠性。
[0114]符号说明
[0115]11 芯片焊盘
[0116]12 引线
[0117]31半导体元件
[0118]32连接构件
[0119]33封装树脂
[0120]30半导体封装件
[0121]312电极部
[0122]34第一区域
[0123]35第二区域
[0124]41接合构件
[0125]SI装载工序
[0126]S2连接工序
[0127]S3表面处理工序
[0128]S31喷雾工序
[0129]S32加热工序
[0130]S4封装工序
【主权项】
1.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，依次包括: 将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序， 将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序， 将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理的表面处理工序，以及 将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装的封装工序， 其中，在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域， 所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于: 其中，在所述半导体元件的所述第一表面上设有与所述连接构件电连接的电极部， 通过所述电极部与所述连接构件构成电连接部， 所述电连接部的表面由无机物构成， 所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比述电连接部的表面与所述封装树脂之间的接合强度更弱。3.根据权利要求1或2所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于: 其中，在所述装载工序中，采用接合构件将所述芯片焊盘与所述半导体元件接合， 在所述表面处理工序中，通过所述过硅烷偶联剂对所述接合构件的表面进行表面处理， 所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强， 所述芯片焊盘的所述上表面与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强。4.根据权利要求1?3中任意一项所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于: 其中，所述表面处理工序依次包含: 将含有所述硅烷偶联剂的溶液向所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面，以及悬吊引线部15的表面进行喷雾的喷雾工序， 将所述溶液进行加热的加热工序。5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于: 其中，在所述加热工序中，在25°C?150°C的温度下对含有所述芯片焊盘以及所述引线的引线框架进行加热。6.根据权利要求1?5中任意一项所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于: 其中，在所述封装树脂中含有硅烷偶联剂。7.一种半导体封装件，其特征在于，包括: 芯片焊盘， 被接合在所述芯片焊盘的上表面的半导体元件， 引线， 将所述半导体元件与所述引线进行连接的连接构件，以及 将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线进行封装的封装树脂，其中，所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面由硅烷偶联剂进行表面处理， 所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的所述第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域， 所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于: 其中，在所述半导体元件的所述第一表面中，设有与所述连接构件电连接的电极部， 通过所述电极部与所述连接构件构成电连接部， 所述电连接部的表面由无机物构成， 所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述电连接部与所述封装树脂之间的接合强度更弱。9.根据权利要求7或8所述的半导体封装件，其特征在于: 其中，所述第一区域被形成为环状。10.根据权利要求7?9中任一项所述的半导体封装件，其特征在于: 其中，所述芯片焊盘与所述半导体元件采用接合构件被接合， 所述接合构件所露出的表面由所述硅烷偶联剂进行表面处理， 所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强， 所述芯片焊盘的所述上表面与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强。11.根据权利要求7?10中任一项所述的半导体封装件，其特征在于: 其中，在所述封装树脂中含有硅烷偶联剂。
【专利摘要】在半导体封装件中，芯片焊盘，半导体元件，连接构件以及引线的表面通过硅烷耦合剂被进行表面处理，半导体元件的表面中接合有连接构件的半导体元件的一面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，第一区域与封装树脂之间的接合强度比第二区域与封装树脂之间的接合强度弱。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/48, H01L23/29
【公开号】CN105684142
【申请号】
【发明人】见泽有市, 长瀬健男
【申请人】新电元工业株式会社
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2014年9月29日