b)中粗线所示，在芯片焊盘11的表面，半导体元件31的基材部311的表面以及电极部312的表面，连接构件32的上侧表面，引线12的第一端部17，以及悬吊引线部15的上侧表面涂布硅烷偶联剂。通过此方法，能够不浪费且有效地对芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，以及引线12的表面进行表面处理。
[0065]在本实施方式中，基材部311是由硅形成的。因此，基材部311的表面被形成二氧化硅(S12)膜。另外，电极部312是由铝形成的。因此，在电极部312的表面上形成有氧化铝(Al2O3)膜。
[0066]根据本实施方式的半导体模型(Module)，能够起到与第二实施方式同样的效果。
[0067]与此相对，相比于包含基材部311或者电极部312的第二区域35，在表面露出有机物的第一区域34中，羟基的末端露出数更少。因此，在第一区域34中，硅烷偶联剂的第二官能基难以结合。因此，封装树脂33与第一区域34之间的接合强度比封装树脂33与第二区域35之间的接合强度更弱。
[0068]在进行温度循环试验，断续工作试验等的可靠性试验时，半导体元件31由外部被加热，或者自身发热。通过产生的热量，半导体元件31或者封装树脂33进行热膨胀，根据热膨胀系数的差，在包含电极部312或者基材部311的第二区域35和与第二区域35牢固结合的封装树脂33之间的界面中产生了很大的应力。
[0069]与此相对，由于封装树脂33与第一区域34之间的接合强度比封装树脂33与第二区域35之间的接合强度更弱，因此在第一区域34和封装树脂33之间的界面中不会产生很大的应力。因此，在半导体元件31的第二区域35和封装树脂33之间的界面中产生的应力在与第一区域34相对应的半导体元件或者封装树脂的部分中进行缓和。因此，能够抑制应力对第二区域35的强力作用。
[0070]以下是通过形成第一区域34，从而在半导体元件31和封装树脂33之间的界面中所产生的应力得到缓和的结构。
[0071]当半导体元件31与封装树脂33被加热，半导体元件31与封装树脂分别进行热膨胀。通过热膨胀，半导体元件31与封装树脂33分别向与所述界面平行的方向进行热膨胀。半导体元件31与封装树脂33具有不同的热膨胀系数。因此，半导体元件31与封装树脂33的膨胀长度也不同。以下，假定半导体元件31具有比封装树脂33更大的热膨胀系数。封装树脂33的热膨胀系数更大的情况也是同样。
[0072]在半导体元件31与封装树脂33之间的接合强度大的情况下，膨胀长度更短的封装树脂33随着膨胀长度更长的半导体元件31朝着与所述界面平行的方向发生位移。因此，在所述界面近旁，封装树脂33受到与封装树脂33的位移量成正比的弹性力。位移量与半导体元件31与封装树脂33的膨胀长度的差成正比。因此，在所述界面近旁会产生应力。
[0073]半导体元件31与封装树脂33的膨胀长度与加热前的半导体元件31与封装树脂33的接合面的长度成正比。因此，半导体元件31与封装树脂33的接合面的长度越长，在所述界面近旁所产生的的应力越大。
[0074]在加热前的状态下，在半导体元件31与封装树脂33的接合面的一部分中形成第一区域34。在第一区域34中，由于半导体元件31与封装树脂33之间的接合强度弱，导致封装树脂33难以随着半导体元件31进行位移。因此，半导体元件31与封装树脂33的接合面的长度实质上变短。因此，能够使在所述界面近旁所产生的的应力变小。
[0075]以上是通过形成第一区域34从而应力被缓和的结构。
[0076]另外，由于基材部311以及电极部312与封装树脂之间的结合力很强，因此基材部311与电极部312不容易全部从封装树脂33上剥离。因此，能够不使半导体元件31与封装树脂33的之间的粘合力受到太大破损，便提升半导体元件31的电气特性。
[0077]另外，第一区域34与封装树脂33的之间的接合强度比电连接部的表面与封装树脂33的之间的接合强度更弱。通过这样，便能够保护与电极部312相接合的连接构件32不被剥离。通过这样，便能够提升半导体元件31与连接构件32的连接可靠性。
[0078]另外，在本实施方式中，第一区域34被形成为环状。通过该结构，根据半导体元件31与封装树脂33的热膨胀系数的差异而产生的应力即便朝向第一表面3101的面内任一方向，也能够将产生的应力在与第一区域34相对应的半导体元件或者封装树脂的部分中进行缓和。
[0079]另外，在接合构件41中，由于相比于在表面露出无机物的第二区域35或者芯片焊盘11的上表面，羟基的末端露出数更少，因此硅烷偶联剂的羟基末端难以结合。因此，封装树脂33与接合构件41之间的接合强度比封装树脂33与第二区域35之间的接合强度或者封装树脂33与芯片焊盘11之间的接合强度更弱。因此，能够将由半导体元件31或者芯片焊盘11与封装树脂33的热膨胀系数的差所产生的半导体元件31与芯片焊盘11之间的应力在接合构件41的表面进行缓和。通过这样，能够不使半导体元件31或者芯片焊盘11与封装树脂33的之间的粘合力受到太大破损，便抑制在接合构件41产生断裂的情况。因此，便能够提升半导体元件31的电气特性。
[0080]另外，形成基材部311的材料以及形成电极部312的材料不仅限定于上述组合。可以对半导体材料以及金属材料进行适当选择，另外，还可以通过根据材料的特性进行适当的表面处理，从而控制表面的羟基个数。因此，对于各种各样的材料的组合，能够使电极部312与封装树脂33之间的接合强度比基材部311与封装树脂33之间的接合强度更弱。
[0081]在加热工序S32中，对所述溶液喷雾后的引线框架进行加热。在加热工序S32中，例如在25°C?250 °C (50 °C?150 V更佳)的温度下对所述溶液喷雾后的引线框架进行加热。由于加热温度较低，硅烷偶联剂的脱水缩合反应在电极部中难以进行。因此，电极部312与封装树脂33之间的粘合力过强的情况便能够被抑制。
[0082](封装工序S4)
[0083]接着，如图5所示，用封装树脂33将芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，引线12，以及悬吊引线部15进行封装。在进行封装工序时，预先准备匹配于半导体封装件30的外侧形状而制作的成型模具(省略图示)。在封装工序S4中，将芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，引线12，以及悬吊引线部15设置在成型模具中。之后，使封装树脂33在成型模具中浇注硬化。
[0084]在本实施方式中，在封装树脂33中含有硅烷偶联剂。通过该结构，由于被包含在封装树脂33中的硅烷偶联剂具有作为增粘剂的功能，因此能够使封装树脂33与芯片焊盘11以及半导体元件31的粘合力增大。另外，被包含在封装树脂33中的硅烷偶联剂有时会被用来作为使封装树脂33硬化时的硬化促进剂等，并非要求要与被用在表面处理工序S3中的硅烷偶联剂所发挥的功能一致。如果被包含在封装树脂33中的硅烷偶联剂与被用在表面处理工序S3中的硅烷偶联剂不同，可以分别根据所需的功能对硅烷偶联剂进行适当地选择。
[0085]通过以上的封装工序S4，除去悬吊引线部15的芯片焊盘侧的一端的连结框架部(省略图示)，以及引线12的第二端部18被配置在封装树脂33的外侧。
[0086]在封装工序S4之后，将除去悬吊引线部15的芯片焊盘侧的一端的连结框架部切除。另外，根据需要，在各个引线12的第二端部18中实施弯折加工。通过这样，便得到了图1以及图2所示的半导体封装件30。另外，在图示例中，露出第一主表面1101地形成封装树脂33，但将引线框架以及成型模具设计为第一主表面1101埋没在封装树脂33中亦可。
[0087]以上，对本发明的第一实施方式进行了说明。在本实施方式中，由于芯片焊盘11与半导体元件31的表面通过硅烷偶联剂被实行表面处理，因此不仅是芯片焊盘11与封装树脂33之间的粘合力，半导体元件31与封装树脂33之间的粘合力也得到提升。因此，即便进行温度循环试验等，半导体元件31与封装树脂33之间也难以产生剥离，便能够抑制在连接半导体元件31与芯片焊盘11的接合构件41中产生断裂。
[0088]另外，由于第一区域34与封装树脂33之间的粘合力比基材部311或者电极部312与封装树脂33之间的粘合力更弱，因此在进行可靠性试验时，在半导体元件31的第二区域35和封装树脂33之间的界面中产生的应力能够在与第一区域34相对应的半导体元件或者封装树脂的部分中进行缓和。因此，能够抑制产生在封装树脂3 3内部的应力对电极部312的强力作用。与此相对，由于基材部311以及电极部312与封装树脂33之间的结合力很强，因此基材部311与电极部312不容易全部从封装树脂33上剥离。因此，能够不使半导体元件31与封装树脂33的之间的粘合力受到太大破损，便提升半导体元件31的电气特性。
[0089]因此，根据本实施方式，能够提供一种