>[0036]如图3以及图4所示，半导体元件31包含保护环(Guard Ring)341。保护环341被形成为环(Loop)状。保护环341例如是由铝(Aluminium)形成的。保护环341被设置在基材部311的第一主表面3111上。保护环341被设为用于保护半导体元件31以防止在进行划片(Scribing)时所产生的断裂。在保护环341的表面形成有绝缘层342。绝缘层342是例如当在保护环341的表面形成TE0S(四乙氧基娃烧(Tetraethoxy Silane))层之后，通过将有机物的层在TEOS层上进行层积从而被制备。有机物例如是聚酰亚胺(Polyimide)。绝缘层342的表面是由有机物构成的。
[0037]半导体元件31包含电极部312。电极部312被设为用于连接半导体元件31与引线12，且是板状的金属构件。电极部312被设置在基材部311的第一主表面3111中，在平面上看被设在由保护环341包围的部分中。
[0038]电极部312由金属构成。电极部312例如是由铝形成的。在电极部312的表面上形成有金属氧化物，例如是氧化铝(Al2O3)膜。电极部312例如是包含第一电极3121，第二电极3122ο
[0039]以下，将在半导体元件31的表面中，接合有连接构件32的半导体31的表面称为第一表面3101。第一表面3101在半导体元件31中的第一主表面3111侧的最外层的表面。在第一表面3101中，包含基材部311的第一主表面3111，绝缘层342的表面以及电极部312的表面。基材部311的表面由半导体或者半导体的氧化膜等的无机物构成，绝缘层342的表面由含聚酰亚胺等的有机物的有机膜构成，电极部312的表面由金属或者金属氧化物等的无机物构成。因此，第一表面3101含有露出有机物的第一区域34，露出无机物的第二区域35。
[0040]第一区域34含有绝缘层342的表面。第二区域35包含电极部312的表面，基材部311的第一主表面3111。另外，在电极部312的表面存在被形成有机膜部分亦可。在该情况下，第一区域34包含被设在电极部312上的有机物的表面。电极部312的表面的至少一部分被包含在第二区域35中。
[0041 ]如图1及图2所示，连接构件32例如是键合线(Bonding Wire)。键合线与电极部312为相同的无机物，例如是由铝形成的。连接构件32包含第一连接构件321a，第二连接构件322a0
[0042]第一连接构件321a通过引线键合(WireBonding)被接合在被包含在第一电极3121的第二区域35部分的表面上。第二连接构件322a通过引线键合被接合在被包含在第二电极3122的第二区域35部分的表面上。
[0043]第一连接构件321a通过引线键合被接合在被包含在第一电极3121的第二区域35部分的表面上。第二连接构件322a通过引线键合被接合在被包含在第二电极3122的第二区域35部分的表面上。
[0044]如图2以及图4所示，半导体元件31包含第三电极313。第三电极313被形成在基材部311的第二主表面3112上。半导体元件31例如是双极型晶体管(Bipolar Transistor)，第一电极3121是栅极(Gate)电极，第二电极3122是源极(Source)电极，第三电极313是漏极(Drain)电极。
[0045]引线12包含第一端部17，第二端部18。在第一端部17上连接有连接构件32。在引线12的第一端部17上例如实施镀镍(Nickel)。
[0046]引线12在平面上看到的芯片焊盘11的一端侧上配有间隔。引线12被形成为沿着芯片焊盘11的主表面1101,1102往远离芯片焊盘11的一端的方向延伸。在引线12的长度方向的两端部中，与芯片焊盘11相邻接的端部是第一端部17。远离芯片焊盘11而设置的端部是第二端部18。
[0047]引线12在平面上看到的芯片焊盘11的一端侧上配有间隔。引线12被形成为沿着芯片焊盘11的主表面1101,1102往远离芯片焊盘11的一端的方向延伸。在引线12的长度方向的两端部中，与芯片焊盘11相邻接的端部是第一端部17。远离芯片焊盘11而设置的端部是第二端部18。
[0048]回到图1，悬吊引线部15从芯片焊盘11的一端往引线12的长度方向延伸。悬吊引线部15例如是地线。悬吊引线部15经由芯片焊盘11与第三电极313电连接。
[0049]芯片焊盘11，引线12，以及悬吊引线部15通过封装树脂33被封装。引线12的第一端部17通过封装树脂33被封装。引线12的第二端部18从封装树脂33起延伸。另外，芯片焊盘11的第一主表面1101露出在封装树脂33的外部。
[0050]在封装树脂33中含有硅烷偶联剂。被包含在封装树脂33中的硅烷偶联剂例如是作为硬化封装树脂33时的硬化促进剂，或者是作为提升封装树脂33与芯片焊盘11以及半导体元件31的粘着性的粘着性增强剂发挥作用。另外，封装树脂33所含有的硅烷偶联剂例如是被用作于与后述的被用于表面处理的硅烷偶联剂不同的硅烷偶联剂，亦可是与被用于表面处理的娃烧偶联剂相同的娃烧偶联剂。
[0051]芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，引线12，以及悬吊引线部15的表面在半导体元件被接合在芯片焊盘上，同时半导体元件以及引线通过连接构件被连接的状态下，通过硅烷偶联剂被进行表面处理，从而与封装树脂33之间的接合强度被提升。硅烷偶联剂的分子具有末端与有机材料化学结合的第一官能基以及末端与无机材料化学结合的第二官能基这两种官能基结合成硅原子的结构。第二官能基例如是通过水解作用将无机材料表面的羟基脱水缩合，从而与无机材料结合。因此，采用硅烷偶联剂能够使有机材料封装树脂33与无机材料芯片焊盘I I等结合。能够使用公知的3-巯丙基三甲氧基硅烷(Mercaptopropyltrimethoxysilane)或者3_丙稀酰氧基丙基三甲氧基娃烧(Acryloxypropyltrimethoxysilane)。
[0052](制造方法)
[0053]以下，将主要参照图5以及图6，对本实施方式涉及的制造方法进行说明。
[0054]在对半导体封装件30进行制造时，准备如图1所示的具有芯片焊盘11，引线12以及悬吊引线部15的引线框架。引线框架还包含将芯片焊盘11以及多个引线12—体连结的连结框架部(省略图示)。引线框架是通过例如对像铜板材那样具有导电性的板材实施冲压(Press)加工而得到的。
[0055]在本实施方式的制造方法中，将悬吊引线部15弯折，从而将芯片焊盘11在其厚度方向上相对于引线12错开。通过这样，引线12相比于芯片焊盘11的第二主表面1102位于更上方的位置(参照图2)。
[0056](装载工序SI)
[0057]如图5所示，在本实施方式的半导体封装件30的制造方法中，首先，将半导体元件31装载到芯片焊盘11的第二主表面(上表面)1102上(参照图1以及图2)。
[0058]如图1以及图2所示，在装载工序SI中，将半导体元件31装载到芯片焊盘11的第二主表面(上表面)1102上。半导体元件31被装载为基材部311的第二主表面3112与芯片焊盘11的第二主表面1102对向。将被形成在半导体元件31的第一表面3101的相反侧的面第二面3102的第三电极313，通过焊锡或者银膏等的接合构件41与芯片焊盘11的第二主表面1102相接合。采用焊锡的接合例如通过回流焊(Reflow)的方式进行。通过接合构件，第三电极313与芯片焊盘11电连接。
[0059](连接工序S2)
[0060]接着，如图5所示，将半导体元件31与引线12通过接合构件32进行电连接。在连接工序中，将接合构件32的两端，半导体元件31以及引线12相连接(参照图1以及图2)。
[0061]在连接工序S2中，如图1以及图2所示，通过第一键合线321a，将半导体元件31与第一引线121相连接。另外，通过第二键合线322a，将半导体元件31的第二电极3122与第二引线122相连接。
[0062](表面处理工序S3)
[0063]接着，如图5所示，将芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，引线12，以及悬吊引线部15的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理(参照图1以及图2)。在表面处理工序S3中，例如是依次包括喷雾工序S31，加热工序S32。
[0064]在喷雾工序S31中，将以乙醇(Ethanol)，甲醇(Methanol)，异丙醇(IsoprepylAlcohol)等使硅烷偶联剂稀释从而到的溶液，例如从芯片焊盘11的第二主表面1102侧起向芯片焊盘11，半导体元件31，连接构件32，引线12，以及悬吊引线部15的表面进行喷雾。如图6(a)中虚线所示，喷雾区域是包含被封装树脂33 (参照图1)封装的面的全部区域的区域A。于是，如图6(