储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。替换地，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。
[0045]在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，其包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是可被通用或专用计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可以包括RAM、R0M、EEPR0M、CD_R0M或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的指定程序代码手段且能被通用或专用计算机、或者通用或专用处理器访问的任何其他介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其他远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
[0046]提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变型而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。
【主权项】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括: 以第一热预算处理第一材料的第一基板以制造P型器件； 将第二材料的第二基板耦合到所述第一基板；以及 以小于所述第一热预算的第二热预算处理所述第二基板以制造η型器件，其中所述P型器件和所述η型器件协作以形成互补器件。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一基板上制造附加层；以及 将所述第二基板耦合到所述附加层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一基板是硅基板。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热预算大于1000摄氏度。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述第二热预算处理所述第二基板基本保持了所述P型器件的性能。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二基板是II1-V族基板。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二热预算小于700摄氏度。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括电耦合所述第一基板的所述P型器件和所述第二基板的所述η型器件，其中所述第二基板在所述第一基板上。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。10.—种用于制造半导体器件的方法，包括: 以第一热预算处理第一材料的第一基板以制造P型器件的步骤； 将包括第二材料的第二基板耦合到所述第一基板的步骤；以及 以低于所述第一热预算的第二热预算处理所述第二基板以制造η型器件的步骤，其中所述P型器件和所述η型器件协作以形成互补器件。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一基板上制造附加层的步骤；以及 将所述第二基板耦合到所述附加层的步骤。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一基板是硅基板。13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一热预算大于1000摄氏度。14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，以所述第二热预算处理所述第二基板的步骤基本保持了所述P型器件的性能。15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二基板是II1-V族基板。16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二热预算小于700摄氏度。17.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括电耦合所述第一基板的所述P型器件和所述第二基板的所述η型器件的步骤，其中所述第二基板在所述第一基板上。18.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。19.一种半导体器件，包括: 具有第一热预算的第一材料的第一基板，所述第一基板包括P型器件；以及 耦合到所述第一基板的具有第二热预算的第二材料的第二基板，所述第二基板包括η型器件，其中所述P型器件和所述η型器件协作以形成互补器件。20.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述第二基板在所述第一基板上，并且所述第一基板的所述P型器件电耦合到所述第二基板的所述η型器件。21.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述第一基板上的且耦合到所述第二基板的附加层。22.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述第一基板是硅基板，且所述第二基板是II1-V族基板。23.如权利要求19所述的半导体器件，特征在于，所述第一热预算大于1000摄氏度，以及所述第二热预算小于700摄氏度。24.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。25.—种半导体器件，包括: 用于在具有第一热预算的第一材料的第一基板中传导第一载荷子类型的第一装置；以及 用于在耦合到所述第一基板的具有第二热预算的第二材料的第二基板中传导第二载荷子类型的第二装置，其中所述第一装置和所述第二装置协作以形成互补器件。26.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述第二基板在所述第一基板上，并且所述第一基板的第一装置电耦合到所述第二基板的第二装置。27.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述第一基板上的且耦合到所述第二基板的附加层。28.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述第一基板是硅基板，且所述第二基板是II1-V族基板。29.如权利要求25所述的半导体器件，特征在于，所述第一热预算大于1000摄氏度，以及所述第二热预算小于700摄氏度。30.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。
【专利摘要】用于将异构沟道材料集成到半导体器件中的方法，以及集成异构沟道材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法包括以第一热预算来处理第一材料的第一基板以制造p型器件。该方法进一步包括将第二材料的第二基板耦合到该第一基板。该方法还包括以小于该第一热预算的第二热预算处理该第二基板以制造n型器件。该p型器件和n型器件可以协作以形成互补器件。
【IPC分类】H01L27/092, H01L21/762, H01L21/8258, H01L27/06, H01L21/822
【公开号】CN105684141
【申请号】
【发明人】S·S·宋, C·F·耶普, Z·王, N·N·莫江德
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2014年9月3日