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【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元器件，特别涉及具备包含电感器以及电容器的谐振器的电子元器件。
【背景技术】
[0002]作为以往的电子元器件，例如已知专利文献I记载的层叠带通滤波器。该层叠带通滤波器包含多个LC并联谐振器。通过连接过孔电极以及电感器电极，各LC并联谐振器具备从垂直于层叠方向的方向俯视时呈矩形的电感器。
[0003]然而，专利文献I记载的层叠带通滤波器的电感器中，希望得到更大的电感值。像这样的情况下，考虑使电感器形成螺旋状。
[0004]然而，电感器呈螺旋状，则相互相邻的内周侧的电感器电极和外周侧的电感器电极相对，因此在它们之间产生较大的寄生电容。因此，在层叠带通滤波器中，难以得到所期望的通过特性。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:国际专利公开第2007/119356号
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]于是，本发明的目的在于提供一种能降低在电感器产生的寄生电容的电子元器件。
解决技术问题所采用的技术方案
[0007]本发明的一个方式涉及的电子元器件，其特征在于，包括:层叠体，该层叠体是多个绝缘体层在层叠方向上层叠形成；以及第一谐振器，该第一谐振器包含设置在所述层叠体的第一电感器以及第一电容器，通过连接设置在所述绝缘体层上的导体层和沿层叠方向贯通所述绝缘体层的层间连接导体，从相对于所述层叠方向垂直的垂直方向俯视时，所述第一电感器呈螺旋状，所述第一电感器的一部分位于相对于所述垂直方向垂直的规定平面上，该第一电感器的剩余部分位于相对于该规定平面向该垂直方向偏移的位置。
发明效果
[0008]根据本发明，能降低在电感器产生的寄生电容。
【附图说明】
[0009]图1A是第一实施方式涉及的电子元器件10a、10b的等效电路图。
图1B是电子元器件1a?1d的外观立体图。
图2是电子元器件1a的分解图。
图3是电子元器件1a的分解图。 图4是电子元器件1a的分解图。
图5是电子元器件1a的分解图。
图6A是示出了第一模型的通过特性以及反射特性的图表。
图6B是示出了第二模型的通过特性以及反射特性的图表。
图7是电子元器件1b的分解图。
图8是电子元器件1b的分解图。
图9是电子元器件1b的分解图。
图10是电子元器件1b的分解图。
图11是示出了第一模型、第三模型以及第四模型的通过特性的图表。
图12是第三实施方式涉及的电子元器件1c的等效电路图。
图13是电子元器件1c的分解图。
图14是电子元器件1c的分解图。
图15是电子元器件1c的分解图。
图16是示出了第五模型以及第六模型的通过特性的图表。
图17是第四实施方式涉及的电子元器件1d的等效电路图。
图18是电子元器件1d的分解图。
图19是电子元器件1d的分解图。
图20是电子元器件1d的分解图。
【具体实施方式】
[0010]下面，参照附图对本发明的实施方式涉及的电子元器件进行说明。
[0011](第一实施方式)
(电子元器件的结构)
首先，参照附图对第一实施方式涉及的电子元器件1a的电路结构进行说明。图1A是第一实施方式涉及的电子元器件1a的等效电路图。
[0012]电子元器件1a是带通滤波器，如图1所示，包括外部电极14a?14c、电感器LI?L4、L11、L12 以及电容器 Cl ?C4、Cll、C12、C21 ?C25。
[0013]外部电极14a、14b是高频信号的输入输出端子。外部电极14c是连接接地电位的接地端子。外部电极14a和外部电极14b利用信号路径SL连接。
[0014]电感器LI 1、电容器C21?C25以及电感器L12设置在信号路径SL上，从外部电极14a向外部电极14b依次电性串联连接。
[0015]电容器Cll连接在信号路径SL和外部电极14c之间，更详细而言，连接在电感器Lll和电容器C21之间与外部电极14c之间。由此，电感器LI I和电容器Cl I构成低通滤波器LPFl。低通滤波器LPFl的截止频率为频率fcl。
[0016]电容器C12连接在信号路径SL和外部电极14c之间，更详细而言，连接在电感器L12和电容器C25之间与外部电极14c之间。由此，电感器L12和电容器C12构成低通滤波器LPF2。低通滤波器LPF2的截止频率为频率fc2。频率fcl和频率fc2实质相等。
[0017]电感器LI以及电容器Cl通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性串联连接，构成LC串联谐振器LCl。本实施方式中，电感器LI以及电容器Cl在电容器C21和电容器C22之间与外部电极14c之间电性串联连接。LC串联谐振器LCl的谐振频率是频率fal。
[0018]电感器L2以及电容器C2通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性串联连接，构成LC串联谐振器LC2。本实施方式中，电感器L2以及电容器C2在电容器C22和电容器C23之间与外部电极14c之间电性串联连接。LC串联谐振器LC2的谐振频率是频率fa2。
[0019]电感器L3以及电容器C3通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性串联连接，构成LC串联谐振器LC3。本实施方式中，电感器L3以及电容器C3在电容器C23和电容器C24之间与外部电极14c之间电性串联连接。LC串联谐振器LC3的谐振频率是频率fa3。
[0020]电感器L4以及电容器C4通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性串联连接，构成LC串联谐振器LC4。本实施方式中，电感器L4以及电容器C4在电容器C24和电容器C25之间与外部电极14c之间电性串联连接。LC串联谐振器LC4的谐振频率是频率fa4。
[0021]在此，设计电子元器件10a，使频率fcl、fc2高于频率fal?fa4。由此，LC串联谐振器LCl?LC4以及低通滤波器LPFULPF2构成使频率fcl、fc2和频率fal?fa4之间的频带的高频信号从外部电极14a向外部电极14b通过的带通滤波器。
[0022]另外，电感器LI以及电容器C21、C22构成高通滤波器HPFl。高通滤波器HPFl使高于截止频率fell的高频带的高频信号通过信号路径SL。
[0023]电感器L2以及电容器C22、C23构成高通滤波器HPF2。高通滤波器HPF2使高于截止频率fcl2的高频带的高频信号通过信号路径SL。
[0024]电感器L3以及电容器C23、C24构成高通滤波器HPF3。高通滤波器HPF3使高于截止频率fcl3的高频带的高频信号通过信号路径SL。
[0025]电感器L4以及电容器C24、C25构成高通滤波器HPF4。高通滤波器HPF4构成使高于截止频率fcl4的高频带的高频信号通过信号路径SL的高通滤波器HPF4。
[0026]接着，参照附图对电子元器件1a的具体结构进行说明。图1B是电子元器件1a的外观立体图。图2至图5是电子元器件1a的分解图。电子元器件1a中，将层叠体12的层叠方向定义为上下方向。另外，从上侧俯视电子元器件1a时，电子元器件1a的上表面的长边延伸的方向定义为左右方向，电子元器件1a的上表面的短边延伸的方向定义为前后方向。
[0027]如图1B至图5所示，电子元器件1a包括层叠体12、外部电极14a?14c、电感器导体层 18a、18b、42a ?42d、30a ?30f、118a、118b、142a ?142d、130a ?130f、电容器导体j!20a?20c、21、22、32、40a、40b、44、46、60、120a?120c、121、122、132、140a、140b、144、3i接导体层47、147以及过孔导体(层间连接导体的一例)vl?v8、vlO?vl4、v51?v55、V101 ?V108、V110 ?V114。
[0028]层叠体12呈长方体，通过绝缘体层16a?16q从上侧向下侧依次层叠而构成。从上侧俯视时，绝缘体层16a?16q呈沿左右方向延伸的长方形，例如由陶瓷等制作。下面，将绝缘体层16a?16q的上表面称为表面，将绝缘体层16a?16q的下表面称为背面。
[0029]如图1B所示，外部电极14a、14b分别设置在层叠体12的左面以及右面，呈沿上下方向延伸的带状。另外，外部电极14a、14b的上端以及下端在层叠体12的上表面以及下表面折返。
[0030]如图1B所示，外部电极14c设置在层叠体12的下表面的中央，呈长方形。外部电极14a?14c例如通过在银等构成的基底电极上实施镀Ni以及镀Sn来制作。
[0031]电感器导体层18a是设置在绝缘体层16j的表面上，将绝缘体层16j的左侧的短边的中央作为起点，将绝缘体层16j的左半边的区域的中央作为终点的线状导体层。电感器导体层18a从起点朝向终点逆时针旋转。电感器导体层18a和外部电极14a连接。
[0032]电感器导体层18b是设置在绝缘体层16i的表面上，将绝缘体层16i的左半边的区域的中央作为起点，将位于起点右侧的点作为终点的线状导体层。电感器导体层18b从起点朝向终点逆时针旋转。
[0033]过孔导体Vl沿上下方向贯通绝缘体层16i，连接电感器导体层18a的终点和电感器导体层18b的起点。由此，电感器导体层18a、18b以及过孔导体vl构成螺旋状的电感器LU。
[0034]电容器导体层20a设置在绝缘体层16g的表面上，由长方形的导体层和两根线状导体层组合构成。电容器导体层20a设置在绝缘体层16g的左半边的区域。一个线状导体层从长方形的导体层的右侧的边向右侧延伸。另一个线状导体层从长方形的导体层的后侧的边向后侧延伸。
[0035]电容器导体层20b设置在绝缘体层16f的表面上，由长方形的导体层和一根线状导体层组合构成。电容器导体层20b设置在绝缘体层16f的左半边区域，从上侧俯视时，与电容器导体层20a重叠。线状导体层从长方形的导体层的前侧的边向前侧延伸。
[0036]电容器导体层20c设置在绝缘体层16h的表面上，由长方形的导体层和一根线状导体层组合构成。电容器导体层20c设置在绝缘体层16h的左半边区域，从上侧俯视时，与电容器导体层20a重叠。线状导体层从长方形的导体层的前侧的边向前侧延伸。由此，电容器导体层20a?20c构成电容器C21。
[0037]过孔导体v2沿上下方向贯通绝缘体层16g、16h，连接电感器导体层18b的终点和电容器导体层20a的右端。由此，电感器Lll和电容器C21电性串联连接。
[0038]电容器导体层22是设置在绝缘体层16ο的表面上的长方形的导体层。电容器导体层22设置在绝缘体层16ο的左半边的区域的后端附近。
[0039]电容器导体层60是设置在绝缘体层16p的表面上的长方形的导体层。电容器导体层60几乎覆盖绝缘体层16p的整面，从上侧俯视时，与电容器导体层22重叠。由此，电容器导体层22、60构成电容器Cl I。
[0040]过孔导体v3沿上下方向贯通绝缘体层16g?16η，连接电容器导体层20a的后端和电容器导体层22。由此，电容器Cl 1、电感器Lll和电容器C21连接。
[0041]过孔导体v51?v55沿上下方向贯通绝缘体层16p、16q，连接电容器导体层60和外部电极14c。由此，连接电容器Cll和外部