缘体层16g的表面上，由两个长方形的导体层以及一根线状导体层构成。从上侧俯视时，一个长方形的导体层与电容器导体层40a、40b重叠。从上侧俯视时，另一个长方形的导体层与电容器导体层140a、140b重叠。线状导体层连接两个电容器导体层。由此，电容器导体层40a、40b、46、140a、140b构成电容器C23。
[0078]上文所述那样的电感器导体层、电容器导体层、连接导体层以及过孔导体例如由以银为主成分的导电性糊料等制作。
[0079](效果)
根据上文所述那样构成的电子元器件10a，能降低在电感器LI产生的寄生电容。更详细而言，电感器LI的一部分位于平面SI，电感器LI的剩余部分位于相对于平面SI向右侧偏移的位置。由此，降低在电感器LI的一部分和电感器LI的剩余的部分之间产生的寄生电容。结果，降低在电感器LI产生的寄生电容。另外，电感器L2?L4中也以相同的理由降低寄生电容。
[0080]在此，层叠方向中在相邻的电感器导体层30a和电感器30d之间容易产生寄生电容。于是，电感器导体层30a的至少一部分位于相对于电感器导体层30d向右侧偏移的位置。由此，能进一步有效降低电感器LI的寄生电容。另外，电感器L2?L4中也以相同的理由降低寄生电容。
[0081]如上文所述降低在电感器LI?L4产生的寄生电容，则电子元器件1a的通频带变宽。更详细而言，在电感器LI?L4产生的寄生电容增大，则构成LC串联谐振器LCl?LC4的电感器LI?L4分别作为并联谐振器发挥作用。四个LC并联谐振器的阻抗在各自的谐振频率中变为无限大。因此，四个LC并联谐振器的谐振频率的高频信号不流向外部电极14c而流过信号路径SL。由于四个LC并联谐振器的谐振频率比较接近，因此电子元器件1a作为窄频带的带通滤波器发挥作用。
[0082]于是，电子元器件1a中，降低了在电感器LI?L4产生的寄生电容。由此，抑制电感器LI?L4作为LC并联谐振器发挥作用。结果，抑制了电子元器件1a作为窄频带的带通滤波器发挥作用。
[0083]另外，电子元器件1a的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿变得陡峭。更详细而言，电子元器件1a具备低通滤波器LPF1、LPF2。它们的截止频率为频率fcl、fc2。即，低通滤波器LPF1、LPF2分别使频率低于截止频率fcl、fc2的高频信号通过。于是，电子元器件1a中，使截止频率fcl、fc2与电子元器件1a的通过特性中的高频侧的截止频率一致。由此，电子元器件1a的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿变得陡峭。
[0084]进一步地，由于以下的理由，电子元器件1a的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿也会变得陡峭。更详细而言，电子元器件1a具备低通滤波器LPFULPF2。低通滤波器LPF1、LPF2作为阻抗匹配电路发挥作用。由此，降低电子元器件1a内的高频信号的反射。尤其是，降低了略微低于电子元器件1a的通过特性中高频侧的截止频率的较低频率下的高频信号的反射。因此，电子元器件1a的通过特性中略微低于高频侧的截止频率的较低频率下，衰减量减小。结果，到电子元器件1a的通过特性中高频侧的截止频率为止，衰减量都较小，一旦变得高于该截止频率，则衰减量就增大。即，电子元器件1a的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿变得陡峭。
[0085]本申请发明人为了进一步明确电子元器件1a产生的效果，进行了以下所说明的计算机模拟。具体而言，生成了具有电子元器件1a的结构的第一模型。另外，还生成了在电子元器件1a中不设置低通滤波器LPFULPF2的第二模型。第二模型相当于比较例。
[0086]本申请发明人利用第一模型以及第二模型，计算通过特性以及反射特性。图6A是表示第一模型的通过特性(S21)以及反射特性(Sll)的图表。图6B是表示第二模型的通过特性(S21)以及反射特性(Sll)的图表。纵轴表示I Sll |、I S211，横轴表示频率。
[0087]可见，图6B的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿较平缓，而与之相对，图6A的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿较陡峭。由此，可知通过设置低通滤波器LPF1、LPF2，高频侧的截止频率下的下降沿变得陡峭。
[0088]进一步地，图6B的反射特性中，高频侧的截止频率的附近即2.0GHz附近不形成峰值。另一方面，图6A的反射特性中，在高频侧的截止频率的附近即2.0GHz?2.5GHz之间形成两个峰值。这是因为低通滤波器LPFULPF2作为阻抗匹配电路发挥作用。结果，降低了第一模型的通过特性中略低于高频侧的截止频率的频率下的高频信号的反射。由此，第一模型的通过特性中略低于高频侧的截止频率的频率下，衰减量较小，一旦高于该截止频率，则衰减量增大。即，第一模型的通过特性中，高频侧的截止频率下的下降沿变得陡峭。
[0089](第二实施方式)
接着，参照附图对第二实施方式涉及的电子元器件1b的结构进行说明。电子元器件1b的等效电路与电子元器件1a的等效电路相同因此引用图1。电子元器件1b的外观立体图也与电子元器件1a的外观立体图相同因此引用图2。图7至图10是电子元器件1b的分解图。
[0090]对于电感器LI?L4的结构，电子元器件1b与电子元器件1a不同。于是，以下以该不同点为中心对电子元器件1b进行说明。
[0091]另外，电子元器件1a中，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30a的两端与外周侧的电感器导体层30d重叠。另外，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30a的两端以外的部分相对于外周侧的电感器导体层30d位于右侧。同样地，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30c的后端与外周侧的电感器导体层30e重叠。另外，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30c的后端以外的部分相对于外周侧的电感器导体层30e位于右侧。
[0092]另一方面，电子元器件1b中，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30a的整体相对于外周侧的电感器导体层30d位于右侧。另外，从上侧俯视时，内周侧的电感器导体层30c相对于外周侧的电感器导体层30e位于右侧。由此，过孔导体v6、v7位于平面SI，过孔导体V4、v5不位于平面SI。S卩，相互相邻的内周侧的过孔导体v4和外周侧的过孔导体v6位于向左右方向偏移的位置。另外，相互相邻的内周侧的过孔导体v5和外周侧的过孔导体v7位于向左右方向偏移的位置。另外，电感器L2?L4也具有与电感器LI同样的结构。
[0093]如上述那样构成的电子元器件1b中，也能起到与电子元器件1a同样的效果。
[0094]进一步地，电子元器件1b中，由于以下的理由，进一步有效降低电感器LI的寄生电容。更详细而言，电感器LI中，在相互相邻的过孔导体v4和过孔导体v6之间容易产生寄生电容。在相互相邻的过孔导体v5和过孔导体v7之间容易产生寄生电容。于是，相互相邻的内周侧的过孔导体v4和外周侧的过孔导体v6位于向左右方向偏移的位置。另外，相互相邻的内周侧的过孔导体v5和外周侧的过孔导体v7位于向左右方向偏移的位置。由此，能进一步有效降低电感器LI的寄生电容。另外，电感器L2?L4中也以相同的理由降低寄生电容。
[0095]本申请发明人为了进一步明确电子元器件10a、1b产生的效果，进行了以下所说明的计算机模拟。更详细而言，生成了具有电子元器件10a、10b的结构的第一模型以及第三模型。另外，生成在电子元器件1b中，电感器LI?L4整体分别位于平面SI?S4的电子元器件作为第四模型。第四模型为比较例。并且，本申请发明人计算第一模型、第三模型以及第四模型的通过特性。图11是示出了第一模型、第三模型以及第四模型的通过特性(S21)的图表。纵轴表示I S211，横轴表示频率。
[0096]参照图11，可知第三模型的通频带最宽，第四模型的通频带最窄。第四模型中，电感器导体以及过孔导体均不向左右方向偏移。第一模型中，仅电感器导体向左右方向偏移。第三模型中，电感器导体以及过孔导体均向左右方向偏移。由此，第四模型中电感器的寄生电容最大，第三模型中电感器的寄生电容最小。根据本模拟，可知随着电感器的寄生电容变小，电子元器件的通频带变宽。
[0097](第三实施方式)(电子元器件的结构)
首先，参照附图对第三实施方式涉及的电子元器件1c的电路结构进行说明。图12是第三实施方式涉及的电子元器件1c的等效电路图。
[0098]在具备LC并联谐振器LCll?LC14代替LC串联谐振器LCl?LC4这一点上，电子元器件1c与电子元器件1a不同。电子元器件1c是带通滤波器，如图12所示，包括外部电极14a?14c、电感器LI?L4以及电容器Cl?C4、C31?C35。
[0099]外部电极14a、14b是高频信号的输入输出端子。外部电极14c是连接接地电位的接地端子。外部电极14a和外部电极14b利用信号路径SL连接。
[0100]电容器C31?C35设置在信号路径SL上，从外部电极14a向外部电极14b依次电性串联连接。
[0101]电感器LI以及电容器Cl通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性并联连接，构成LC并联谐振器LClI。本实施方式中，电感器LI以及电容器Cl在电容器C31和电容器C32之间与外部电极14c之间电性并联连接。LC并联谐振器LCl I的谐振频率是频率fal I。
[0102]电感器L2以及电容器C2通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性并联连接，构成LC并联谐振器LC12。本实施方式中，电感器L2以及电容器C2在电容器C32和电容器C33之间与外部电极14c之间电性并联连接。LC并联谐振器LC12的谐振频率是频率fal2。
[0103]电感器L3以及电容器C3通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性并联连接，构成LC并联谐振器LC13。本实施方式中，电感器L3以及电容器C3在电容器C33和电容器C34之间与外部电极14c之间电性并联连接。LC并联谐振器LC13的谐振频率是频率fal3。
[0104]电感器L4以及电容器C4通过在信号路径SL和外部电极14c之间电性并联连接，构成LC并联谐振器LC14。本实施方式中，电感器L4以及电容器C4在电容器C34和电容器C35之间与外部电极14c之间电性并联连接。LC并联谐振器LC14的谐振频率是频率fal4。
[0105]在此，频率fall?fal4具有不同的频率。由此，LC并联谐振器LCll?LC14构成使频率fall?fal4的频带的高频信号从外部电极14a向外部电极14b通过的带通滤波器。
[0106]接着，参照附图对电子元器件1c的具体结构进行说明。图13至图15是电子元器件1c的分解图。电子元器件1c的外观立体图也与电子元器件1a的外观立体图相同因此引用图1B0
[0107]如图13至图15所示，电子元器件1c包括:层叠体12、外部电极14a?14c、电容器导体层 218a ?218c、220、221、222、224a、224b、250、260、318a ?318c、320、321、322、324a、324b、电感器导体层 230a ?230e、232a ?232c、330a ?330e、332a ?332c 以及过孔导体 v201 ?v214、v301 ?v314。
[0108]层叠体12呈长方体，通过绝缘体层16a?16m从上侧向下侧依次层叠而构成。由于电子元器件1c的层叠体12与电子元器件1a的层叠体12相同因此省略说明。
[0109]由于电子元器件1c的外部电极14a?14c与电子元器件1a的外部电极14a?14c相同因此省略说明。
[0110]电容器导体层218a是设置在绝缘体层16f的表面上的长方形的导体层。电容器导体层218a设置在绝缘体层16f的左半边的区域，