法进行室温浸渍，往l〇g载体中滴加8mL浸渍溶 液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置24h，在60°C温度下干燥24h;以2°C/min速率程序升 温到700°C，焙烧lh。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管式反应器中，以正戊烷作为碳源， 通入氢气，在压力〇.5MPa、正戊烧质量空速Ο.δΙΓ 1、氢气与正戊烧体积比500:1条件下，以5 °C/min速率从10(TC程序升温到550°C，恒温6h，进行催化剂前驱体碳化处理，得到碳化钨负 载质量分数10%的负载型催化剂，记为l〇%WC/Al 2〇3。
[0056] 实施例7:10%Ni2C/Si02催化剂制备
[0057]以多孔硅胶作为载体，以Ni(N03)2 · 6H20作为镍源。称取10g的多孔硅胶，由4.5g (1.5474 X 10-2mol)的Ni (NOS)〗· 6H20和蒸馏水制备12mL浸渍溶液，其镍浓度为1.2895 X 10 -3m〇l/mL，浸渍溶液体积与催化剂载体最大吸附水的体积相等。按等体积浸渍方法进行室温 浸渍，往l〇g载体中滴加12mL浸渍溶液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置5h，在90°C温度 下干燥24h;以5°C/min速率程序升温到650°C，焙烧4h。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管 式反应器中，以正戊烧作为碳源，通入氢气，在压力1 .〇MPa、正戊烧质量空速2.01Γ1、氢气与 正戊烷体积比1000:1条件下，以l〇°C/min速率从100°C程序升温到750°C，恒温lh，进行催化 剂前驱体碳化处理，得到碳化钨负载质量分数10%的负载型催化剂，记为10%Ni 2C/Si02。 [0058] 实施例8:10%M〇C/Si0 2催化剂制备
[0059] 以多孔硅胶作为载体，以（NH4)6M〇7〇24 · 4H20作为钼源。称取10g的多孔硅胶，由 1.64g( 1.327 X 10-3mol)的（NH4)6M〇7〇24 · 4H20和蒸馏水制备12mL浸渍溶液，其钼浓度为 7.7409 X l(T4m〇l/mL，浸渍溶液体积与催化剂载体最大吸附水的体积相等。按等体积浸渍方 法进行室温浸渍，往l〇g载体中滴加 12mL浸渍溶液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置5h。 在60°C温度下干燥24h;以5°C/min速率程序升温到650°C，焙烧10h。然后，将干燥的催化剂 前驱体装入管式反应器中，以正戊烷作为碳源，通入氢气，在压力1. 〇MPa、正戊烷质量空速 2.01Γ1、氢气与正戊烷体积比1000条件下，以2°C/min速率从100°C程序升温到750 °C，恒温 lh，进行催化剂前驱体碳化处理，得到碳化钼负载质量分数10%的负载型催化剂，记为10% MoC/Si〇2。
[0060] 实施例9:10%C〇2C/Si02催化剂制备
[0061 ]以多孔硅胶作为载体，以Co(N〇3)2 · 6H20作为钴源。称取10g的多孔硅胶，由4.48g (1.5391 X 10-2mo 1)的Co (N〇3)2 · 6H20和蒸馏水制备12mL浸渍溶液，其钴浓度为1.2826 X 10 -3m〇l/mL，浸渍溶液体积与催化剂载体最大吸附水的体积相等。按等体积浸渍方法进行室温 浸渍，往1 〇g载体中滴加12mL浸渍溶液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置5h。在90°C温度 下干燥6h;以5°C/min速率程序升温到650°C，焙烧1 Oh。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管 式反应器中，以正戊烧作为碳源，通入氢气，在压力1 .〇MPa、正戊烧质量空速2.01Γ1、氢气与 正戊烷体积比1000条件下，以2°C/min速率从100°C程序升温到750°C，恒温lh，进行催化剂 前驱体碳化处理，得到碳化钴负载质量分数10%的负载型催化剂，记为10%C 〇2C/Si02。
[0062] 实施例10:10%WC/Si02-Ll催化剂制备
[0063] 称取10g的多孔硅胶载体，由1 · 3g(4 · 3974 X 10-4mol)的偏钨酸铵、1 · 1089g(5 · 277 Xl(T3m〇l)的柠檬酸和蒸馏水制备12mL浸渍溶液，其钨和柠檬酸浓度均为4.3974XUT 4mol/mL，浸渍溶液中柠檬酸与偏钨酸铵中钨的摩尔比为1:1，浸渍溶液体积与催化剂载体 最大吸附水的体积相等。按等体积浸渍方法进行室温浸渍，往l〇g载体中滴加12mL浸渍溶 液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置6h，在80 °C温度下干燥12h;以5 °C/min速率程序升温 至|J650°C，焙烧4h。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管式反应器中，以正戊烷作为碳源，通 入氢气，在压力l.OMPa、正戊烷质量空速2.01Γ 1、氢气与正戊烷体积比1000:1条件下，以10 °C/min速率从10(TC程序升温到750°C，恒温lh，进行催化剂前驱体碳化处理，得到碳化钨负 载质量分数10%的负载型催化剂，记为10%WC/Si0 2-Ll。
[0064] 实施例11:10%WC/Si02_L4催化剂制备
[0065] 称取10g的多孔硅胶载体，由1 · 3g(4 · 3974 X 10-4mol)的偏钨酸铵、4 · 4356g(2 · 1108 X ΙΟΛιοΙ)的柠檬酸和蒸馏水制备12mL浸渍溶液，其钨和柠檬酸浓度分别为4.3974 X 10- 4mol/mL和1.759Χ l(T3m〇l/mL，浸渍溶液中柠檬酸与偏钨酸铵中钨的摩尔比为4:1，浸渍溶 液体积与催化剂载体最大吸附水的体积相等。按等体积浸渍方法进行室温浸渍，往l〇g载体 中滴加12mL浸渍溶液，并不断搅拌。滴加完毕后，室温静置6h，在80 °C温度下干燥12h;以5 Γ/min速率程序升温到650°C，焙烧4h。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管式反应器中，以 正戊烷作为碳源，通入氢气，在压力l.OMPa、正戊烷质量空速2.01Γ 1、氢气与正戊烷体积比 1000:1条件下，以10°C/min速率从100°C程序升温到750°C，恒温lh，进行催化剂前驱体碳化 处理，得到碳化钨负载质量分数10 %的负载型催化剂，记为10 % WC/S i02-L4。
[0066] 实施例12:10%WC/Si02-U30催化剂制备
[0067]称取10g的多孔硅胶载体，由1.3g(4.3974Xl(T4m〇l)的偏钨酸铵和蒸馏水制备 12mL浸渍溶液，其钨浓度为4.3974 X l(T4m〇l/mL，浸渍溶液体积与催化剂载体最大吸附水的 体积相等。在昆山市超声仪器有限公司生产的KQ-100DE型数控超声波清洗器中，在室温烧 杯中向l〇g载体滴加17mL浸渍溶液，并不断搅拌;加完浸渍溶液后，在室温、超声频率40kHz、 超声功率30W条件下超声处理60min;室温静置6h，在80°C温度下干燥12h;以5°C/min速率程 序升温到650°C，焙烧4h。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管式反应器中，以正戊烷作为碳 源，通入氢气，在压力l.OMPa、正戊烷质量空速2.01Γ 1、氢气与正戊烷体积比1000:1条件下， 以10°C/min速率从10(TC程序升温到750°C，恒温lh，进行催化剂前驱体碳化处理，得到碳化 钨负载质量分数10%的负载型催化剂，记为10%WC/Si0 2-U30。
[0068] 实施例13:10%WC/Si02-U100催化剂制备
[0069] 称取10g的多孔硅胶载体，由1.3g(4.3974Xl(T4m〇l)的偏钨酸铵和蒸馏水制备 36mL浸渍溶液，其钨浓度为1.4658 X l(T4m〇l/mL，浸渍溶液体积是催化剂载体最大吸附水体 积的3倍。在昆山市超声仪器有限公司生产的KQ-100DE型数控超声波清洗器中，在室温烧杯 中向l〇g载体滴加36mL浸渍溶液，并不断搅拌;加完浸渍溶液后，在室温、超声频率40kHz、超 声功率100W条件下超声处理lOmin;室温静置6h，在80°C温度下干燥12h;以5°C/min速率程 序升温到650°C，焙烧4h。然后，将干燥的催化剂前驱体装入管式反应器中，以正戊烷作为碳 源，通入氢气，在压力l.OMPa、正戊烷质量空速2.01Γ 1、氢气与正戊烷体积比1000:1条件下， 以10°C/min速率从10(TC程序升温到750°C，恒温lh，进行催化剂前驱体碳化处理，得到碳化 钨负载质量分数10%的负载型催化剂，记为I0%wc/Si02-U100。
[0070] 实施例14:催化剂性能评价
[0071] 采用固定床反应装置，在温度320°C、压力2.0MPa、乙酸质量空速0.51Γ1、氢气与乙 酸进料摩尔比10:1的反应条件下，用上述制备的催化剂进行乙酸加氢反应，评价催化剂的 催化性能，实验结果列于表1。
[0072] 表1各种催化剂的乙酸加氢反应结果
[0075]从表1可以看出，随着催化剂过渡金属碳化物负载量增大，乙酸转化率逐渐增大， 催化剂加氢催化活性逐渐