层 120设为从基板110侧起按顺序将Gd2Zr2〇7层、LaMn〇3层、MgO层、Ce〇2层层叠而成的中间层。另 外，这些中间层也可以是在以LaMn〇3层为基底层的MgO层与Ce〇2层之间分别形成有LaMn〇3层 等而得到的结构。根据将中间层的结构替换为上述结构的各个氧化物超导线材，与氧化物 超导线材100同样，在LaMn〇3层上，与该LaMn〇3层接触而形成的MgO层中提高了双轴取向性。 由此，能够使制膜于MgO层上的Ce〇2层高取向化。伴随于此，能够实现YBC0超导层130的超导 特性、也就是氧化物超导线材100的超导特性的提高。
[0060] 虽然构成为通过MOD法将YBC0超导层130形成于中间层120上，但是不限于此，例如 也可以通过PLD法、CVD( Chemical Vapor Deposit ion:化学气相沉积)法等形成YBC0超导层 130〇
[0061]另外，也可以在涂敷分散有作为磁通钉扎点的、含Zr的50[nm]以下的氧化物颗粒 的有机金属络合物溶液后，进行煅烧来制作YBC0超导层130。通过这样做，能够得到磁场施 加角度依存性优异的RE系的氧化物超导线材。在此，对于磁通钉扎点，由于是已知的技术所 以省略在此的说明。
[0062]下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
[0063] 实施例
[0064]〈实施例1>
[0065]在Ra = 2 [ nm ]的哈氏合金(注册商标)基板(基板110)上，通过射频溅射以膜厚100 [rnn]对作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，通过射频溅射在制膜温度50[°C]下 以膜厚5[nm]对LaMn0 3层122进行制膜，来作为第二中间层，在该膜之上，通过IBAD法以膜厚 5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射在制膜温度 800 [ °C ]下以膜厚10 [ nm]对LaMn03层(第四中间层）124进行制膜，接着，在制膜温度650 [ °C ] 下以膜厚500[nm]对Ce02层(第五中间层）125进行制膜，得到了 Ce02层中的Δ φ ("Ce02A Φ"）= 3.2[deg.]的高取向基板。此外，△ Φ是作为表示面内结晶取向度的指数的面内方向 的晶轴分散的半宽度(FWHM:Full Width at Half Maximum半宽度）。在该膜上通过TFA-M0D 法以膜厚1.5[μπι]对YBC0超导层130进行了制膜。其结果，得到了如以下的表1所示那样的超 导特性（由临界电流值即"YBC0特性Ic"表示）=420[A/cm-w]的氧化物超导线材。
[0066]〈实施例2>
[0067]在与实施例1同样的Ra = 2[nm]的哈氏合金基板(基板110)上，通过射频溅射以膜 厚100[nm]对作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，通过射频溅射在制膜温度50 [°C ]下以膜厚20[nm]对LaMn03层122进行制膜，作为第二中间层，在该膜之上，通过IBAD法 以膜厚5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射在制膜 温度800 [ °C ]下以膜厚10 [nm]对LaMn03层(第四中间层）124进行制膜，接着，在制膜温度650 [°C ]下以膜厚500 [nm]对Ce02层（第五中间层）125进行制膜，得到了Ce02层中的Δ φ ( "Ce02 Δ (}>"）=3.0[(1叫.]的高取向基板。在该膜上通过了?八-100法以膜厚1.5&111]对￥80)超导层 130进行了制膜。其结果，得到了如以下的表1所示那样的超导特性（由临界电流值即"YBC0 特性I c"表示）=460 [ A/cm-w ]的氧化物超导线材。
[0068]〈实施例3>
[0069]在与实施例1同样的哈氏合金基板(基板110)上，通过射频溅射以膜厚100 [ nm ]对 作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，在Al2〇3层121上，通过射频溅射在制膜温 度50[ °C ]下以膜厚50[nm]对LaMn03层122进行制膜，来作为第二中间层，在该膜之上，通过 IBAD法以膜厚5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射 在制膜温度800 [ °C ]下以膜厚10 [nm]对LaMn〇3层(第四中间层）124进行制膜，接着，在制膜 温度650[ °C ]下以膜厚500[nm]对Ce02层(第五中间层）125进行制膜，得到了Ce02层中的Δ φ ("Ce02 Δ φ "）= 3.1 [deg.]的高取向基板。在该膜上通过TFA-M0D法以膜厚1.5 [μπι]对YBC0 超导层130进行了制膜。其结果，得到如以下的表1所示那样的超导特性（由临界电流值即 "YBC0特性I c"表示）=450 [ A/cm-w ]的氧化物超导线材。
[0070]〈实施例4>
[0071 ]在与实施例1同样的哈氏合金基板(基板110)上，通过射频溅射以膜厚100 [ nm ]对 作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，在Al2〇3层121上，通过射频溅射在制膜温 度50[°C]下以膜厚100[nm]对LaMn0 3层122进行制膜，来作为第二中间层，在该膜之上，通过 IBAD法以膜厚5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射 在制膜温度800 [ °C ]下以膜厚10 [nm]对LaMn〇3层(第四中间层）124进行制膜，接着，在制膜 温度650[ °C ]下以膜厚500[nm]对Ce02层(第五中间层）125进行制膜，得到了Ce02层中的Δ φ ("Ce02 Δ φ "）= 3.1 [deg.]的高取向基板。在该膜上通过TFA-M0D法以膜厚1.5 [μπι]对YBC0 超导层130进行了制膜。其结果，得到了如以下的表1所示那样的超导特性（由临界电流值即 "YBCO特性I c"表示）=455 [ A/cm-w]的氧化物超导线材。
[0072]〈实施例5>
[0073]在与实施例1同样的哈氏合金基板(基板110)上，通过射频溅射以膜厚100 [ nm ]对 作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，在Al2〇3层121上，通过射频溅射在制膜温 度100[°C]下以膜厚20[nm]对LaMn0 3层122进行制膜，来作为第二中间层，在该膜之上，通过 IBAD法以膜厚5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射 在制膜温度800 [ °C ]下以膜厚10 [nm]对LaMn〇3层(第四中间层）124进行制膜，接着，在制膜 温度650[ °C ]下以膜厚500[nm]对Ce02层(第五中间层）125进行制膜，得到了Ce02层中的Δ φ ("Ce02 Δ φ "）= 3.4[deg.]的高取向基板。在该膜上通过TFA-M0D法以膜厚1.5 [μπι]对YBC0 超导层130进行了制膜。其结果，得到了如以下的表1所示那样的超导特性（由临界电流值即 "YBC0特性I c"表示）=400 [ A/cm-w ]的氧化物超导线材。
[0074]〈实施例6>
[0075]在与实施例1同样的哈氏合金基板(基板110)上，通过射频溅射以膜厚100 [ nm]对 作为第一中间层的Al2〇3层121进行了制膜。其后，在Al2〇3层121上，通过射频溅射在制膜温 度150[°C]下以膜厚20[nm]对LaMn0 3层122进行制膜，来作为第二中间层，在该膜之上，通过 IBAD法以膜厚5[nm]对作为第三中间层的MgO层123进行了制膜。在该膜之上，通过射频溅射 在制膜温度800[°C]下以膜厚10[nm]对LaMn0 3层(第四中间层）124进行了制膜。接着，在制 膜温度650[ °C ]下以膜厚500[nm]对Ce02层(第五中间层）125进行制膜，得到了Ce02层中的Δ Φ ( "Ce02 Δ φ "）= 3.4[deg.]的高取向基板。在该膜上通过TFA-M0D法以膜厚1.5[μπι]对 YBC0超导层130进行了制膜。其结果，得到了如以下的表1所示那样的超导特性（由临界电流 值即"YBC0特性Ic"表示）=410[A/cm-w