tion :脉冲激光沉积法)法对该Ce〇2层125进行制膜。另外，Ce〇2层125可以是对Ce〇2添 加规定量的Gd而得到的Ce-Gd-Ο膜，或是由利用其他金属原子或金属离子对一部分Ce进行 置换而得到的Ce-Μ-Ο类氧化物构成的膜。对Ce0 2添加 Gd虽然能够抑制裂纹的产生，却会产 生无法抑制自基板110的元素扩散这样的问题，然而在本实施方式中，由于能够利用作为第 一中间层的Al 2〇3层121抑制元素扩散，所以能够对作为在Al2〇3层121之上的层的第五中间 层的Ce0 2层125使用添加了 Gd的材料。
[0041 ] 在该第五中间层即Ce02层125上层叠有YBC0超导层130。
[0042] 在此，由钇系氧化物超导体（RE123)构成YBC0超导层130。该超导层是全轴取向 REB⑶层，也就是1^8&7〇13〇2类(RE表示选自Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Pr以及Ho的一种以上的元 素，y<2及z = 6.2~7。）的高温超导薄膜的层。在此，通过MOD法（Metal Organi c Deposition Processes:有机酸盐沉积法)在Ce〇2层125上对YBC0超导层130进行制膜。
[0043] 此外，MOD法是通过加热基板上的金属有机酸盐而使其热分解来在基板上形成作 为超导层的薄膜的方法。具体而言，对于MOD法，首先，将金属成分的均匀地溶解有机化合物 而得到的原料溶液涂敷在基板上。接着，在涂敷有溶液的基板上施加预煅烧热处理来形成 非晶体状的前体，之后，通过施加结晶热处理（主煅烧热处理)来使前体结晶而形成氧化物 超导体。
[0044] 在YBC0超导层130使用的原料溶液是以下那样的原料溶液(a)~(d)的混合溶液。
[0045] (a)含有RE的有机金属络合物溶液:具有含RE的、三氟乙酸盐、环烷酸盐、辛酸盐、 乙酰丙酸盐、新葵酸盐中的任意一种以上的溶液。尤其是含RE的三氟乙酸盐溶液
[0046] (b)含有Ba的有机金属络合物溶液:含Ba的三氟乙酸盐的溶液
[0047] (c)含有Cu的有机金属络合物溶液:含有含Cu的、环烷酸盐、辛酸盐、乙酰丙酸盐、 新葵酸盐中的任意一种以上的溶液
[0048] (d)含有与Ba之间的亲和性较大的金属的有机金属络合物溶液:含有含从Zr、Ce、 Sn和Ti中选择的至少一种以上的金属的、三氟乙酸盐、环烷酸盐、辛酸盐、乙酰丙酸盐、新葵 酸盐的任意一种以上的溶液
[0049]对于YBC0超导层130,将上述原料溶液(a)~（d)的混合溶液涂敷于第五中间层即 Ce〇2层125上后，例如，在水蒸气分压3~76Torr、氧分压300~760Torr的氛围气中在400~ 500 °C的温度范围内进行预煅烧。在预煅烧后，例如在水蒸气分压30~lOOTorr、氧分压0.05 ~ITorr的氛围气中，在700~800°C的温度范围内，对预煅烧而成的非晶体进行主煅烧来形 成YBC0超导层130。
[0050]在YBC0超导层130之上层叠有作为稳定层140的Ag层。此外，在此，稳定层由银(Ag) 构成，但是也可以是金(Au)、铂(Pt)等贵金属或者作为它们的合金的低电阻的金属。通过将 该稳定层形成于YB⑶超导层130的紧上方，从而防止了 YBC0超导层130与金、银等贵金属或 者它们的合金以外的材料直接接触而反应从而引起的性能降低的情况。除此之外，稳定层 将由故障电流或交流通电产生的热分散从而防止了发热引起的断裂和性能降低。在此稳定 层的厚度为10~30μηι。
[0051]如以下的方式制造这样构成的氧化物超导线材100。通过在带状的基板110上按顺 序层叠第一中间层~第五中间层，来形成中间层120。具体而言，在基板110上通过溅射法蒸 镀Α12〇3,而对作为第一中间层的Α1 2〇3层121进行制膜。接着，在Α12〇3层121上通过溅射法蒸 镀LaMn03,而在非晶质(非晶体)状态下对作为第二中间层的LaMn0 3层122进行制膜。接着，在 该非晶质的LaMn03层122上，使靶的构成颗粒沉积，同时通过以规定的入射角度进行离子照 射的IBAD法对MgO层123进行制膜。这时，形成于LaMn0 3层122上的溅射膜(MgO)的特定晶轴 在离子的入射方向固定，晶体的c轴相对于基板110的表面在垂直方向取向，并且，a轴及b轴 在面内向一定方向适宜地取向。由此，与在第一中间层(扩散防止层)上直接制膜的结构相 比，MgO层123具有较高的面内取向度。接着，在LaMn0 3层122上通过IBAD法对作为第三中间 层的MgO层123进行制膜。接着，在MgO层123上通过溅射法蒸镀LaMn0 3，来对作为第四中间层 的LaMn03层124进行制膜后，通过溅射法对Ce02层125进行制膜。在这样在基板110上对中间 层120进行了制膜后，通过MOD法形成YBC0超导层130,并对稳定层140进行制膜，由此来制造 氧化物超导线材100。
[0052]根据以上的结构，能够得到以下那样的显著效果。
[0053]在氧化物超导线材100中，在基板110与YBC0超导层130之间成为缓冲层的中间层 120中，在LaMn03层122上接触而设置MgO层123,由此来提高MgO层123的双轴取向性。伴随该 MgO层123的双轴取向性的提高，通过IBAD法，以较高的面内取向度，也就是高取向形成在该 MgO层123的上方隔着LaMn03层124形成的、且成为YBC0超导层130的基底层的Ce02层125。 [0054] 通过实现该Ce02层125的高取向化，也就是实现中间层120的高取向化，从而能够 实现YBC0超导层130的超导特性的提高。
[0055][其他实施方式]
[0056] 此外，在上述的实施方式中，主要对将中间层120设为由Al2〇3层121、LaMn03层122、 MgO层123、LaMn〇3层124、Ce〇2层125这第一中间层~第五中间层构成的5层构造的情况进行 了叙述。不限于此，对于在基板110与超导层(YBC0超导层130)之间具有中间层的超导线材， 中间层只要是包含在LaMn0 3层122上接触而形成MgO层123的构成的层，也可以由两层以上 构成。
[0057]例如，如图2的氧化物超导线材100A所示，也可以构成为，在与氧化物超导线材100 同样的基板110和YBC0超导层130之间，具备从基板110侧开始按顺序将Al2〇3层、LaMn〇3层、 MgO层、Ce0 2层层叠而成的中间层120A。此外，将图2的氧化物超导线材100A的各层，与氧化 物超导线材100中的同名称的各层同样地进行制膜，且使其具有同样的功能。根据图2的氧 化物超导线材100A，与氧化物超导线材100同样地，在LaMn〇3层上，与该LaMn〇3层接触而形成 的MgO层中提高了双轴取向性，因此，能够使Ce0 2层高取向化。伴随于此，能够实现YBC0超导 层130的超导特性、也就是氧化物超导线材100A的超导特性的提高。
[0058]另外，在图1所示的氧化物超导线材100的构成中，也可以在作为MgO层的基底层的 LaMn03层122的下层设置从基板110侧起按顺序将YA103层、CeZrO层层叠而成的层，来代替在 基板110上接触而设置的Al 2〇3层121。在氧化物超导线材100的构成中，也可以设置Gd2Zr2〇7 层来代替Al 2〇3层121。并且，在氧化物超导线材100的构成中，也可以设置从基板110起按顺 序将Gd2Zr2〇7层、Y2O3层层置而成的层来代替AI2O3层121。
[0059] 即，在氧化物超导线材100的构成中，也可以将在基板110与YBC0超导层130之间形 成的中间层120设为从基板110侧起按顺序将Gd 2Zr2〇7层、Y2〇3层、LaMn03层、MgO层、Ce0 2层层 叠而成的中间层。另外，在氧化物超导线材100的构成中，也可以将中间层120设为从基板 110侧起按顺序将YA10层、LaMn〇3层、MgO层、Ce〇2层层叠而成的中间层。并且，在氧化物超导 线材100的构成中，也可以将中间层120设为从基板110侧其按顺序将CeZrO层、LaMn0 3层、 MgO层、Ce02层层叠而成的中间层。另外，在氧化物超导线材100的构成中，也可以将中间