或带161(例如线栅偏 振器10和160)或基本上或全部地嵌入侧条15或带161(例如线栅偏振器20、30、40、170、180 和 190)。
[0199] 部分地嵌入侧条15或带161意指侧条15或带161被支撑在一侧(例如通过中屯、肋状 物14或第一下肋状物12)，但不是在两侧。因此，在部分地嵌入的结构中，侧条15或带161中 的一侧可附接到中屯、肋状物14或第一下肋状物12并且由中屯、肋状物14或第一下肋状物12 来支撑，并且另一侧可面对空气并且不被支撑。嵌入侧条15和带161(无论全部地或部分地） 可增加线栅偏振器的耐久性。全部地或部分地嵌入的线栅偏振器的选择可取决于偏振器的 总体性能要求、偏振器耐久性要求(包括耐化学性和对手动损伤的抵抗性）W及使用的材 料。
[0200] 虽然线栅偏振器的嵌入的反射式线可增加线栅偏振器的耐久性，但嵌入的反射式 线也可不利地影响线栅偏振器的性能，尤其是通过减小P偏振光的透射(减小化）。因此，嵌 入的线栅偏振器没有经常被实施于用于要求高偏振器性能的应用(例如在计算机投影仪或 半导体分析设备中的应用）的实践中。建模已示出，在本文中描述的特定设计，虽然被部分 地或完全地嵌入，尤其是与侧条15或带161纵横比的适当选择相组合，尽管嵌入的、受保护 的侧条15或带161，但可提供好的线栅偏振器性能。
[0201] 例如，在本文中描述的偏振器的某些实施例可透射至少90%的P偏振光，或者透射 至少95%的P偏振光;并且可吸收至少90%的S偏振光，或可吸收至少95%的处于选定的光 波长的S偏振光(如果存在具有光吸收属性的至少一个区域的话）。在另一个示例中，在本文 中描述的偏振器的某些实施例可透射至少85%的P偏振光，或者透射至少90%的P偏振光； 并且可吸收至少80 %的S偏振光，或可吸收至少85 %的处于从400nm直到700nm的所有光波 长的S偏振光(如果存在具有光吸收属性的至少一个区域的话）。
[0202] 可采用相对高的侧条15或带161纵横比（Thi5/Wi5或化161/W161)来制作在本文中描 述的线栅偏振器。运可通过相对于保形材料层75的宽度W75(其可近似于最终的侧条宽度Wl5 或带宽度Wi6i)的相对高的中屯、肋状物14或第一下肋状物12的形成来进行。建模已示出采用 在8与60之间的侧条15或带161纵横比的好的偏振特性。建模已经示出采用具有分别在5nm 与20nm之间的宽度Wi5或Wi6iW及在150nm与300nm之间的厚度化15的侧条15或带161的在可 见谱中的好的偏振特性。
【主权项】
1. 一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括： a. 衬底，其对于入射光是基本上透射式的； b. 平行的、伸长的第一下肋状物的阵列，其设置在所述衬底之上，所述第一下肋状物具 有附接于所述衬底的底部、与所述底部相对的顶部表面以及两个相对的侧面； c .平行的、伸长的第一上肋状物的阵列，其设置在所述第一下肋状物的所述顶部表面 之上，以使得每个第一下肋状物与对应的第一上肋状物成对，以限定中心肋状物的阵列； d. 伸长的侧条的阵列，其包括沿着所述中心肋状物中的每个的每个侧面而设置的侧 条； e. 间隙，其在每个侧条和对应的中心肋状物与相邻的侧条和对应的中心肋状物之间； 以及 f. 所述第一下肋状物、所述第一上肋状物以及所述侧条中的至少一个对入射光是基本 上反射式的。2. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物以及所述 侧条中的至少一个对入射光是基本上吸收式的。3. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物以及所述 侧条中的至少一个对入射光是基本上透射式的。4. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述侧条基本上从所述第一下肋状物的所述底 部到所述第一上肋状物的所述顶部来沿着所述中心肋状物的每个侧面而延伸。5. 根据权利要求1所述的偏振器，所述偏振器进一步包括基本上填充所述间隙的侧肋 状物。6. 根据权利要求5所述的偏振器，其中所述侧肋状物包括介电材料，并且所述介电材料 从间隙之上和所述中心肋状物和所述侧条的顶部上面而延伸。7. 根据权利要求5所述的偏振器，其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物、所述侧 条以及所述侧肋状物中的至少一个对入射光是基本上吸收式的。8. 根据权利要求5所述的偏振器，其中： a. 所述侧肋状物包括在第二下肋状物之上设置的第二上肋状物； b. 所述第二下肋状物或所述第二上肋状物中的一个对入射光是基本上透射式的，并且 所述第二下肋状物或所述第二上肋状物中的另一个对入射光是基本上吸收式的；以及 c. 所述侧条将所述第一下肋状物与所述第二下肋状物分离，并且将所述第一上肋状物 与所述第二上肋状物分离。9. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述偏振器透射光的一个偏振的90%，并且吸收 在从400nm直到700nm的光波长的光的相对的偏振的80 % 〇10. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述侧条的纵横比是在8与60之间。11. 根据权利要求1所述的偏振器，其中所述侧条具有在5nm与20nm之间的宽度以及在 150nm与300nm之间的厚度。12. -种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括： a. 衬底，其对于入射光是基本上透射式的； b. 设置在所述衬底之上的平行的、伸长的第一下肋状物的阵列，所述第一下肋状物具 有两个相对的侧面； C.设置在所述衬底之上的伸长的侧条的阵列，其包括沿着并且邻接所述第一下肋状物 中的每个侧面而设置的侧条； d. 限定中央组的每个第一下肋状物以及侧条对； e. 设置在所述衬底之上的伸长的侧条的阵列，其包括在所述中央组之间并且邻接所述 中央组而设置的侧条； f. 所述第一下肋状物、所述侧条以及所述侧肋状物中的至少一个对入射光是基本上反 射式的；以及 g. 所述第一下肋状物、所述侧条以及所述侧肋状物中的至少一个对入射光是基本上吸 收式的。13. -种制作线栅偏振器的第一方法，所述第一方法包括按次序的以下步骤： a. 提供衬底： i .其对于入射光是基本上透射式的；以及 ii .其在所述衬底表面之上具有材料的连续的薄膜； b. 蚀刻所述衬底和材料的所述薄膜以形成： i.设置在所述衬底之上的平行的、伸长的中心肋状物的阵列，所述中心肋状物包括设 置在第一下肋状物之上的第一上肋状物；以及 i i .在肋状物之间的固体-材料-自由间隙； c. 采用材料层保形涂覆所述衬底和所述中心肋状物，同时维持在所述肋状物之间的所 述固体-材料-自由间隙；以及 d. 蚀刻所述材料层以除去水平段，并且留下沿着所述中心肋状物的侧面的垂直侧条， 其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物以及所述侧条中的至少一个对入射光是基本上 反射式的。14. 根据权利要求13所述的第一方法，所述第一方法进一步包括在蚀刻所述材料层的 步骤之后的以下步骤:采用介电材料回填所述间隙，在所述间隙中形成侧肋状物。15. 根据权利要求14所述的第一方法，其中采用介电材料回填所述间隙进一步包括采 用所述介电材料在所述中心肋状物和侧条之上回填，并且其中所述介电材料对入射光是基 本上透射式的。16. 根据权利要求13所述的第一方法，其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物以及 所述垂直侧条中的至少一个对入射光是基本上吸收式的。17. -种制作线栅偏振器的第二方法，所述第二方法包括按次序的以下步骤： a. 提供衬底，其具有在所述衬底之上设置的平行的、伸长的第一下肋状物的阵列，且在 所述肋状物之间具有固体-材料-自由第一间隙，所述衬底和所述第一下肋状物对入射光是 基本上透射式的； b. 采用材料层保形涂覆所述衬底和所述第一下肋状物，同时维持在所述第一下肋状物 之间的所述第一间隙； c. 蚀刻所述材料层以除去水平段，并且留下沿着所述第一下肋状物的侧面的垂直侧 条； d. 采用填充材料回填所述第一间隙并且在所述第一下肋状物和所述侧条之上继续填 充，所述填充材料具有与所述第一下肋状物类似的蚀刻属性； e. 蚀刻所述填充材料以及在所述侧条的顶部下面的所述第一下肋状物，在所述侧条的 顶部区域处形成固体-材料-自由第二间隙，并且在与所述第一下肋状物相同的平面上在所 述侧条和所述第一下肋状物之间形成第二下肋状物，其中所述第一下肋状物、所述第二下 肋状物以及侧条中的至少一个对入射光是基本上反射式的；以及 f. 采用上材料回填所述第二间隙并且在所述侧条的所述顶部之上继续填充。18. 根据权利要求17所述的第二方法，其中所述第一下肋状物、所述第二下肋状物以及 所述侧条中的至少一个对入射光是基本上吸收式的。19. 根据权利要求17所述的第二方法，所述第二方法进一步包括在回填所述第二间隙 之后的以下步骤:蚀刻所述上材料至少向下到所述侧条的所述顶部，在所述第一下肋状物 之上以及在所述第二下肋状物之上形成平行的、伸长的上肋状物阵列，所述上肋状物阵列 包括在所述第一下肋状物之上的第一上肋状物以及在所述第二下肋状物之上的第二上肋 状物，所述侧条将所述第一下肋状物与所述第二下肋状物分离，并且将所述第一上肋状物 与所述第二上肋状物分离。20. 根据权利要求19所述的第二方法，其中所述第一下肋状物、所述第一上肋状物、所 述第二下肋状物、所述第二上肋状物以及所述侧条中的至少一个对入射光是基本上吸收式 的。
【专利摘要】一种线栅偏振器(10、20、30、40、160、170、180、190)的结构和利记博彩app，该线栅偏振器具有多个区域，其包括沿着中央区域的侧面的侧条(15)、带(161)和/或侧肋状物(24)。中央区域可包括单个区域或多个区域。每个区域可具有用于改进偏振器性能的不同的功能。各种区域可彼此支撑以用于改进的线栅偏振器的耐久性。
【IPC分类】G02B27/28
【公开号】CN105659150
【申请号】
【发明人】D·普罗布斯特, Q·吴, E·加德纳, M·A·戴维斯
【申请人】莫克斯泰克公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2014年8月28日