肋状物12的侧面 12s的垂直侧条15;
[0039] 图12是根据本发明的实施例的用于制作线栅偏振器的第二方法中的步骤的示意 性横截面侧视图一-采用填充材料122回填第一间隙96并且在第一下肋状物12和侧条15之 上继续填充，填充材料122具有与第一下肋状物12类似的蚀刻属性；
[0040] 图13是根据本发明的实施例的用于制作线栅偏振器的第二方法中的步骤的示意 性横截面侧视图一一蚀刻填充材料122 W及在侧条15的顶部15t下面的第一下肋状物12, W 在侧条15的顶部区域15tr处形成固体-材料-自由第二间隙136,并且在与第一下肋状物12 相同的平面上(在侧条15的底部区域15br)在侧条15之间形成第二下肋状物42;
[0041] 图14是根据本发明的实施例的用于制作线栅偏振器的第二方法中的步骤的示意 性横截面侧视图一一采用上材料143回填第二间隙136并且在侧条15的顶部15t之上继续填 充；
[0042] 图15是根据本发明的实施例的用于制作线栅偏振器的第二方法中的步骤的示意 性横截面侧视图一一蚀刻上材料143至少向下到侧条15的顶部15t，W在第一下肋状物12和 42之上形成平行的、伸长的上肋状物13和43的阵列，其中第一上肋状物13在第一下肋状物 12之上并且第二上肋状物43在第二下肋状物42之上，并且侧条15可将第一下肋状物12与第 二下肋状物42分离，并且将第一上肋状物13与第二上肋状物43分离；
[0043] 图16是根据本发明的实施例的线栅偏振器160的示意性横截面侧视图，该线栅偏 振器160包括沿着第一下肋状物12的每个侧面12s而设置的伸长的带161，带161包括下线 163和上线165;
[0044] 图17是根据本发明的实施例的与图16的线栅偏振器160类似的线栅偏振器170的 示意性横截面侧视图，该线栅偏振器170具有基本上填充在第一下肋状物12-带161结构之 间的间隙166的侧肋状物24;
[0045] 图18是根据本发明的实施例的与图17的线栅偏振器170类似的线栅偏振器180的 示意性横截面侧视图，但还包括从间隙16之上和在第一下肋状物12的顶部12t和带161的上 面而延伸的介电材料32; W及
[0046] 图19是根据本发明的实施例的线栅偏振器190的示意性横截面侧视图，该线栅偏 振器190包括并排的第一下肋状物12、侧条15, W及侧肋状物24,且侧条15在每个第一下肋 状物12与侧肋状物24之间。
[0047] 附图中的参考符号
[004引10线栅偏振器 [0049] 11 衬底
[(X)加]12第一下肋状物
[0化1] 12b第一下肋状物12的底部
[0052] 12t第一下肋状物12的顶部表面
[0化3] 12s第一下肋状物12的侧面
[0化4] 13第一上肋状物13
[0化日]13t第一上肋状物13的顶部
[0化6] 14中屯、肋状物
[0057] 14s中屯、肋状物14的侧面14s
[005引 15侧条
[0059] 1化r侧条15的底部区域
[0060] 15t侧条15的顶部
[0061] 15tr侧条15的顶部区域
[0062] 16在每个侧条15和对应的中屯、肋状物14与相邻的侧条15和对应的中屯、肋状物15 之间的间隙
[0063] 20线栅偏振器
[0064] 24侧肋状物 [00化]30线栅偏振器
[0066] 32介电材料
[0067] 40线栅偏振器
[006引 42第二下肋状物
[0069] 43第二上肋状物
[0070] 53 薄膜
[0071] 71水平段
[0072] 75材料的层
[0073] 96第一间隙
[0074] 122填充材料 [00巧]136第二间隙
[0076] 143上材料
[0077] 160线栅偏振器
[0078] 161 带
[00巧]161t带161的顶部 [0080] 163 下线
[0081 ] 165 上线
[0082] 166带161之间的间隙
[0083] 170线栅偏振器
[0084] 180线栅偏振器 [00化]190线栅偏振器
[0086] 194中央组
[0087] d在侧条15的顶部15t下面的蚀刻深度
[0088] Η 高度
[0089] 化13上肋状物13和43的厚度
[0090] This侧条15的厚度
[0091] Thi6i 带 161 的厚度
[0092] Wi5侧条15的宽度
[009引 W巧材料层75的宽度
[0094] Wi6i 带 161 的宽度
[0095] 定义
[0096] 在光学结构中使用的许多材料吸收一些量的光，反射一些量的光W及透射一些量 的光。W下定义旨在在主要地吸收式、主要地反射式或主要地透射式的材料或结构之间区 分。
[0097] 1.如在本文中所使用，术语"吸收式(absorptive)"意指对在感兴趣波长中的光基 本上是吸收式。
[0098] a.材料是否是"吸收式"是相对于在偏振器中使用的其它材料而言。因此，相比反 射式或透射式结构，吸收式结构将基本上吸收更多。
[0099] b.材料是否是"吸收式"依赖于感兴趣波长。在一种波长范围中材料可W是吸收式 而在另一种波长范围中则不是。
[0100] C.在一方面，吸收式结构可吸收大于40%并且反射少于60%的感兴趣波长中的光 (假设吸收式结构是光学厚膜一一即，大于皮肤(skin)深度厚度）。
[0101] d.吸收式肋状物可被用于选择性地吸收光的一个偏振。
[0102] 2.如本文中所使用，术语"反射式(reflective)"意指对在感兴趣波长中的光基本 上是反射式。
[0103] a.材料是否是"反射式"是相对于在偏振器中使用的其它材料而言。因此，相比吸 收式或透射式结构，反射式结构将基本上反射更多。
[0104] b.材料是否是"反射式"依赖于感兴趣波长。在一种波长范围中材料可W是反射式 而在另一种波长范围中则不是。一些波长范围可有效地利用高反射式材料。在其它波长范 围，尤其是在材料劣化更易于发生的较低波长，材料的选择可能更有限，并且光学设计者可 能需要接受具有比预期更低的反射式材料。
[0105] C.在一方面，反射式结构可反射大于80%并且吸收少于20%的感兴趣波长中的光 (假设反射式结构是光学厚膜一一即，大于皮肤深度厚度）。
[0106] d.金属常常被用于反射式材料。
[0107] e.反射式线可被用于将光的一个偏振与光的相对的偏振相分离。
[0108] 3 .如在本文中所使用，术语"透射式"意指对在感兴趣波长中的光基本上是透射 式。
[0109] a.材料是否是"透射式"是相对于在偏振器中使用的其它材料而言。因此，相比吸 收式或反射式结构，透射式结构将基本上透射更多。
[0110] b.材料是否是"透射式"，其依赖于感兴趣波长。在一种波长范围中材料可W是透 射式而在另一种波长范围中则不是。
[0111] C.在一方面，透射式结构可透射大于90%并且吸收少于10%的感兴趣波长中的 光。
[0112] 4.如在运些定义中所使用，术语"材料"是指特定结构的总体材料。因此，"吸收式" 的结构是由整体上基本上为吸收式的材料来制成，即使材料可能包括一些反射或透射成 分。因此，例如，由足够量的吸收式材料制成W致它基本上吸收光的肋状物是吸收式肋状 物，即使肋状物可能包括在其中嵌入的一些反射式或透射式材料。
[0113] 5.如本文中所使用，术语"光"可意指在X-射线、紫外线、可见光和/或红外线，或电 磁频谱的其它区域中的光或电磁福射。
[0114] 6.如在本文中所使用，术语"衬底"包括基材，例如玻璃晶片。术语"衬底"包括单个 材料，并且也包括多种材料，例如玻璃晶片与在晶片表面上的至少一个薄膜一起用作基材。
【具体实施方式】
[0115] 第一结构组（图1-4)
[0116] 如图1所示，示出线栅偏振器10,其包括在衬底11之上设置的平行的、伸长的第一 下肋状物12的阵列。第一下肋状物12可具有附接于衬底12的底部12b、与底部12b相对的顶 部表面12t，W及两个相对的侧面12s。第一下肋状物12可与衬底11成一体，并且可由与衬底 11相同的材料来形成。可替代地，第一下肋状物12可由与衬底11不同的材料来形成。衬底11 对于入射光可W是基本上透射式。
[0117] 第一下肋状物12可W是基本上对入射光吸收式、基本上对入射光反射式，或者基 本上对入射光透射式或期望波长范围的光。第一下肋状物12可包括或可由如下项组成:介 电材料、金属，或其它材料。第一下肋状物12是否是基本上吸收式、基本上透射式，或基本上 反射式，其可取决于总体偏振结构和预期的使用。
[0118] 平行的、伸长的第一上肋状物13的阵列可设置在第一下肋状物12的顶部表面12t 之上。第一上肋状物13可具有与第一下肋状物12的侧面12s基本上平行的侧面13s。第一下 肋状物12和/或第一上肋状物13可被称为或可W是中屯、区域的部分。每个第一下肋状物12 可W与对应的第一上肋状物13成对W限定中屯、肋状物14。
[0119] 第一上肋状物13可包括或可由如下项组成:介电材料、金属，或其它材料。第一上 肋状物13对入射光或期望波长范围的光可W是基本上吸收式、基本上反射式，或基本上透 射式。第一上肋状物13是否是基本上吸收式、基本上透射式，或基