高耐热性聚倍半硅氧烷类感光性树脂组合物的利记博彩app_4

文档序号:9893095阅读:来源:国知局
评价
[0094]通过下列公式1计算了残膜率。
[0095]公式 1:
[0096]残膜率(% )=(显像及固化工序之后膜厚度/初始厚度)X 100 [0097] 4.耐热性评价
[0098] 进行固化之后,对试样进行热重量分析(产品型号:TGA,美国珀金埃尔默股份有限 公司),以l〇°C/min的速度,从常温至升温至600°C,并且测定了按温度的重量减少率(loss wt%)。此时,在400°C点上,若重量减少率小于20%,则被判定为"优秀",若重量减少率处于 20%~40%之间,则判定为"一般",若重量减少率超过40%,则判定为"不良"。
[0099] 5.耐化学性评价
[0100]形成涂敷膜之后,经过固化工序,在40 °C的PR剥离液(产品名:LT-360)中浸泡10分 钟之后,计算了膜厚度膨胀(Swelling)变化率。将小于5%的膨胀的情况判定为"优秀",大 于5%的膨胀的情况判定为"不良"。
[0101] 6.介电常数评价
[0102] 经过形成镀膜,固化工序后,在氧化铟锡基板上蒸镀1.0直径的铝电极来制作了金 属-绝缘体-金属(MIM)评价用电池。为了测定介电常数,针对于上述评价用电池,利用电感 电容电阻测试仪(LCR-meter,安捷伦公司,4284),来测定涂敷的抗蚀膜的电容(C),并通过 下列公式2计算出了介电常数。在下列公式2中,d =抗蚀膜的厚度,A =蒸镀的电极的面积, 为作为常数,是真空的介电常数(8.855Xl(T12F/m),e为需要计算出的抗蚀膜的介电常 数。
[0103] 公式 2:
[0104] C=(e〇eA)/d
[0105] 7.水分吸湿率的评价
[0106] 形成涂敷膜之后,经过固化工序后,在常温条件下,在蒸馏水中浸泡72小时之后, 计算了膜厚度膨胀变化率。并且,将膨胀变化率小于2%的膨胀判定为"优秀",在膨胀变化 率大于2 %的膨胀判定为"不良"。
[0107] 表1
[0108]
L0110」如从上还表1 P」知,本友明的便用借半硅氧烷的止性光致抗蚀刑组合物与以往的 光刻胶组合物不同,不仅呈现出可耐于高温工序的优秀的耐热性,并且,可知由此呈现出的 高残膜率、耐化学性及图案解析度很高,上述倍半硅氧烷为由选自由上述化学式1、化学式2 及化学式3组成的组中的两种以上混合而制成的共聚物。并且,由本发明的组合物形成的抗 蚀膜,与比较例相比,呈现出低介电特性及低的水分吸湿率,从而可期待器件的优秀的可靠 性。因此,可知如下:由本发明的组合物取得的抗蚀膜可有效地用作液晶显示器件的层间绝 缘膜或有机电致发光显示装置的分区用抗蚀剂。
[0111] 附图标记的说明
[0112] 1:玻璃基板
[0113] 2:薄膜晶体管器件
[0114] 3:导通孔绝缘膜
[0115] 4:氧化铟锡电极
[0116] 5:分区绝缘膜
[0117] 6:有机发光二极管发光体蒸镀层
[0118] 产业上的可利用性
[0119] 本发明的倍半硅氧烷类正性光致抗蚀剂组合物,因露光部的容易的碱溶液显像 性,不仅可形成3μπι的高解析度图案,而且图案形成后,当进行热重量分析时,在300°C高温 下,重量减少小于3%,在400°C高温下,重量减少小于20%,由此呈现出优秀的耐热性。
[0120] 并且,因调节倍半硅氧烷类共聚物的分子量,从而可实现图案的锥角的调节,因此 可收容多种工序条件。尤其,以小于30°的圆滑的低锥角形成的图案有利于均匀的氧化铟 锡、氧化铟锌及氮化硅,各种金属电极膜的后续蒸镀。
[0121] 并且,若替代以往的丙烯酸类绝缘膜(k = 3.6)或酰亚胺类绝缘膜(k = 3.5),由本 发明的倍半硅氧烷类正性光致抗蚀剂组合物来形成绝缘膜或分区,则因实现低介电(k = 3.3)特性,可减少配线之间的信号干扰,并且可在相对低的厚度下实现绝缘特性,因此有利 于设备设计和生产率的提高。
【主权项】
1. 一种聚倍半硅氧烷类共聚物,由选自由以下化学式1、化学式2及化学式3组成的组中 的两种以上混合来共聚合而成,其特征在于, 化学式1: Ri-R2_Si(R3)3 化学式2: R4-R5-Si(R6)3 化学式3: (R7)3Si-R8-Si(R7)3 其中, 办表示能够在碱性溶液中形成盐的取代基或亲水基, R2、RdR8分别为独立的碳原子数为1至12个的直链型或支链型亚烷基、碳原子数为6至 18个的芳香族或碳原子数为3至18个的脂环族, R3、R6及R?分别为独立的碳原子数为1至4个的烷氧基, R4选自由氢、碳原子数为1至5个的直链型或支链型烷基、苯基、联苯、环己基、联环己基、 氧化缩水甘油、环氧环己基、氧杂环丁烷、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、三氟甲基、乙烯基、 碳原子数为1至4个的烷氧基及异氰基组成的组中。2. 根据权利要求1所述的聚倍半硅氧烷类共聚物,其特征在于,能够在碱性溶液中形成 盐的取代基或亲水基选自由羧酸、马来酸酐、衣康酸酐、丁二酸酐、苯酐、水杨酸、苯酚、硫 醇、羟基、磺酸基及在酸性催化剂下由羧酸或苯酚脱保护的叔丁氧羰基、叔丁氧基苯乙烯 基、对-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯基及对乙酰氧基苯乙烯基组成的组中。3. 根据权利要求1所述的聚倍半硅氧烷类共聚物,其特征在于,R2、R5&R8分别为独立的 碳原子数为1至6个的直链型或支链型亚烷基、碳原子数为6至14个的芳香族或脂环族。4. 根据权利要求3所述的聚倍半硅氧烷类共聚物,其特征在于,R2、抱及1?8分别为独立的 碳原子数为1至4个的直链型或支链型亚烷基、亚苯基、亚联苯基、亚环己基或亚联环己基。5. -种正性光致抗蚀剂组合物,其特征在于,包含: 5至50重量百分比的权利要求1所述的聚倍半硅氧烷类共聚物; 2至40重量百分比的萘醌-1,2-二叠氮基-4-磺酸酯或萘醌-1,2-二叠氮基-5-磺酸酯基 被取代的感光剂;以及 10至93重量百分比的有机溶剂。6. 根据权利要求5所述的正性光致抗蚀剂组合物,其特征在于,倍半硅氧烷类共聚物的 重均分子量(Mw)为300至100000,倍半硅氧烷类共聚物的分散度为1.0至10.0,倍半硅氧烷 类共聚物的酸价为10至400K0Hmg/g。7. 根据权利要求5所述的正性光致抗蚀剂组合物,其特征在于,感光剂通过在酯化母体 中使萘醌-1,2-二叠氮基-4-磺酸酯或萘醌-1,2-二叠氮基-5-磺酸酯基取代而成,上述酯化 母体选自由9,9_双(4-羟基苯基)芴、双酚-A、4,4'-[l-[4-[l-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基] 苯基]亚乙基]双酚、2,3,4_三羟基二苯甲酮、2,3,4_三羟基苯乙酮、2,3,4_三羟基苯基己基 酮、2,4,4'_三羟基二苯甲酮、2,4,6_三羟基二苯甲酮、2,3,4_三羟基-2'-甲基二苯甲酮、2, 2',4,4'_四羟基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮、4,4',4"-三羟基苯基甲烷、4,4', 4"-亚乙基三(2-甲基苯酚)、双(4-羟基苯基)甲基苯基甲烷、1,1,4_三(4-羟基苯基)环己 烷、2,2',3,4,4'_五羟基二苯甲酮、2,2',3,4,4',5_六羟基二苯甲酮、2,2',3,4,4'_五羟基 二苯基丙烷及2,2',3,4,4',5_五羟基二苯基丙烷组成的组中。8. 根据权利要求5所述的正性光致抗蚀剂组合物,其特征在于,有机溶剂为选自由乙酸 乙酯、乙酸丁酯、二乙二醇二甲基乙基醚、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、丙 二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇 乙酸甲酯、二甘醇乙酸乙酯、丙酮、甲基异丁基酮、环己酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、甘醇二甲 醚、四氢呋喃、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二丙二醇甲醚、甲苯及二 甲苯组成的组中的一种以上的溶剂。9. 一种液晶显示装置或有机电致发光显示装置的图案形成方法,其特征在于,使用权 利要求5至8中任一项所述的倍半硅氧烷类正性抗蚀剂组合物。10. 根据权利要求9所述的液晶显示装置的图案形成方法,其特征在于,将倍半硅氧烷 类正性抗蚀剂组合物利用为液晶显示装置的导通孔绝缘膜、平坦化膜或钝化绝缘膜。11. 根据权利要求9所述的有机电致发光显示装置的图案形成方法,其特征在于,将倍 半硅氧烷类正性抗蚀剂组合物利用为有机电致发光显示装置的平坦化膜或像素形成用分 区。
【专利摘要】本发明涉及液晶显示装置或有机电致发光显示装置用高耐热性倍半硅氧烷(Silsesquioxane)类感光性树脂组合物及由其制备而成的正性光致抗蚀剂绝缘膜,详细地涉及高耐热性,低介电特性的倍半硅氧烷感光性树脂组合物,可用于形成薄膜晶体管(TFT)的导通孔(via?hole)的绝缘膜,并且同时可用作用于区别形成有机电致发光显示装置的像素的分区(bank)图案的绝缘膜。
【IPC分类】H01L27/32, C08G77/16, G02F1/1333, G03F7/004
【公开号】CN105658702
【申请号】
【发明人】金俊永, 金华泳, 赵详焄, 柳匡铉, 崔好星
【申请人】Ltc有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年8月28日
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