可以通过蒸发或蒸馏来去除。在一些实施方案中， 这一步骤之后留下的残留的纯化溶剂的量可以是PI或PAE聚合物的至多约2wt % (例如至多 约lwt%)。不希望受到理论的束缚，据信加入具有高于纯化溶剂的沸点的分离溶剂有利于 在蒸馏过程中去除纯化溶剂。
[0041] 不希望受到理论的束缚，据信除了将纯化溶剂替换为分离溶剂之外，这一步骤还 起到通过随着纯化溶剂去除残留的水(例如通过蒸馏)来干燥最后的聚合物溶液。
[0042] 在一些实施方案中，在将纯化溶剂的至少一部分(例如基本上全部)替换为分离溶 液之后，含有PI或PAE聚合物的溶液可以被浓缩以形成适合在基底上涂覆的溶液。
[0043] 在一些实施方案中，当分离溶剂与纯化溶剂相同时，溶剂去除步骤可以通过首先 将一定量的纯化溶剂加至含有PI或PAE聚合物的清洗的纯化的有机溶液中来实行。由此形 成的溶液中纯化溶剂的至少一部分之后可以被去除(例如通过蒸发或蒸馏）。不希望受到理 论的束缚，据信这一工艺可以通过用纯化溶剂去除残留的水和聚合溶剂来提高最终的聚合 物溶液的纯度(例如通过蒸发或蒸馏）。而且，不希望受到理论的束缚，据信在这一步骤中加 入纯化溶剂可以在溶液去除工艺中防止聚合物从溶液沉淀。
[0044] 蒸馏条件可以是聚合物稳定的将产生所期望的最终结果的任何温度和压力。在一 些实施方案中，蒸馏温度总约20°C至约70 °C (例如从约25 °C至约45°C )。在一些实施方案中， 蒸馏压力为从约760Torr至约0.1 Torr(例如从约lOOTorr至约0.1 Torr)。尽管上文详细描述 的工艺产生具有提高纯度的PI和PAE聚合物，应当注意的是可以在这一工艺中的步骤3和4 之前和/或之后加入另外的工艺步骤，包括但不限于离子替换和过滤。
[0045] 在一些实施方案中，本公开特征在于从上文工艺获得的纯化的PI或PAE聚合物溶 液。在一些实施方案中，纯化的PI或PAE聚合物可以通过本领域中任何适合的方法(例如通 过沉淀或经由蒸馏去除溶剂)从上文所获得的纯化的聚合物溶液分离。
[0046] 在一个实施方案中，使用本公开的工艺生产的具有提高纯度的PI和PAE聚合物可 以掺入组合物中（例如形成膜片的组合物、热学可固化组合物、光敏组合物）。
[0047] 在一些实施方案中，本公开特征在于在基底（例如半导体基底）上制备膜片的工 艺。工艺可以包括(a)提供含有溶于至少一种极性质子惰性聚合溶剂的聚酰亚胺或聚酰胺 酯的有机溶液；（b)加入至少一种纯化溶剂至有机溶液，以形成稀释的有机溶液，所述至少 一种纯化溶剂在25°C具有比至少一种聚合溶剂更低的极性并且具有比至少一种聚合溶剂 更低的水溶解度；（c)用水或水溶液清洗所述稀释的有机溶液，以获得清洗后的有机溶液； (d)去除清洗的有机溶液中至少一种纯化溶剂的至少一部分，以获得含有纯化的聚酰亚胺 或聚酰胺酯的溶液;和(e)将含有纯化的聚酰亚胺或聚酰胺酯的溶液涂覆在基底上，以形成 膜片。
[0048] 在一些实施方案中，上文描述的涂覆步骤可以通过喷墨印刷、旋涂、喷涂、浸涂、辊 涂或动态表面张力涂覆来实行。
[0049] 在一些实施方案中，本公开特征在于包括半导体基底和通过上文工艺在半导体基 底上形成的膜片的物品。这样的物品的实例包括导线绝缘(wireisolation)、导线涂覆、漆 包线漆或着墨的基底。在一些实施方案中，本公开特征在于包含上文描述的物品的半导体 设备。例如，半导体设备可以是集成电路、发光二极管、太阳能电池和晶体管。
[0050]在一些实施方案中，本公开涉及从本文描述的纯化的PI或PAE聚合物溶液产生自 支撑膜片的工艺，以及由此获得的自支撑膜片。所述工艺可包括下列步骤： a) 用本文描述的纯化的PI或PAE聚合物溶液涂覆基底，以形成膜片涂覆的基底， b) 烘烤膜片涂覆的基底(例如在第一烘培步骤中于温度??以去除纯化的PI或PAE聚合 物溶液中的溶剂的至少一部分(例如基本上全部）；和 c) 从基底释放膜片(例如通过施加机械力或化学处理)以获得自支撑膜片。
[0051 ] 在一些实施方案中，Ti可以是低于约150 °C。可以用于上文工艺中的适合的基底的 实例包括但不限于半导体基底，诸如氧化硅晶片（其可通过使用HF处理促进膜片释放）、各 种塑料载体诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底（其是挠性的并且可以通过剥离很容易 地去除）、陶瓷、玻璃面板或挠性玻璃膜片、纺织品膜片、金属箱或片(诸如铜或铝片）、纸以 及类似物
[0052]任选地，对膜片的另外的处理，诸如暴露于辐射、电晕、等离子体和/或微波辐射或 于温度T2(例如从约180°C至约250°C)的第二烘烤步骤可以被应用于在第一烘烤步骤之后 和释放膜片成为自支撑之前固化膜片涂覆。
[0053]任选地，可以应用于自支撑膜片的另外的处理包括但不限于用水或溶剂清洗自支 撑膜片和/或干燥自支撑膜片。
[0054]去除膜片的机械力的实例包括但不限于剥离。释放膜片的化学处理的实例包括但 不限于稀释的HF水溶液处理。
[0055] 在一些实施方案中，一旦自支撑膜片形成，其可以被应用于适合用于半导体设备 的半导体基底。这样的半导体基底的实例包括印刷电路板和挠性印刷电路板。
[0056] 本文引用的所有公开文献的内容(例如专利、专利申请公开和文章)通过引用全文 并入本文。 实施例 缩写 6FDA: 2，2 ' -双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐 0八卩1:4,4'-[1，4-亚苯基-双（1-甲基亚乙基）]二苯胺 BTDA:3,3'，4,4'_二苯酮四甲酸二酐 PMDA:均苯四甲酸二酐 0DA:4,4'_氧二苯胺 0DPA: 4，4 ' -氧双邻苯二甲酸酐 DAM: 1，3_二氨基均三甲苯 HEMA:甲基丙烯酸羟乙酯 NMP:N-甲基吡咯烷酮 GBL: γ -丁内酯 DMS0:二甲基亚砜 实施例1
[0057] 使用一种二胺和一种二酐制备ΡΙ聚合物的实例，其中分离溶剂（即内酯)与纯化溶 剂（即酯和酮)不同。水与聚合物的比例为46:1。
[0058] 将固体6FDA(334.0g)于室温加至溶于匪P(2206g)的0六？1(218.48)。另外的匪？ (816g)被用来将二酐冲入溶液。反应温度增加至60°C并且将混合物静置反应3.5小时。接下 来，加入醋酸酐（125.7g)和吡啶(49.5g)，反应温度增加至100 °C，并且将混合物静置反应12 小时。
[0059] 将反应混合物冷却至室温并转移至装有机械搅拌器的更大的容器。用醋酸乙酯作 为纯化溶剂稀释反应溶液并且用水清洗一小时。停止搅拌并且将混合物静置不受干扰。一 旦相分离发生，去除水相。用醋酸乙酯和丙酮的组合作为纯化溶剂稀释有机相并且用水清 洗三次。全部清洗中所用的纯化溶剂（即醋酸乙酯和丙酮)和水的量如表1所示。 表1
[0060] 清洗的有机相通过真空蒸馏浓缩。GBL(705g)作为分离溶剂加入并且继续真空蒸 馏。最终聚合物溶液具有33.82wt%的浓度。GC分析时，最终的聚合物溶液中没有可检测到 的 NMP〇 实施例2
[0061] 使用一种二胺和一种二酐制备封端PI聚合物的实例，其中分离溶剂（即内酯)与纯 化溶剂(即酯和酮)不同。水冲洗溶液与聚合物的比例为48:1。
[0062] 将固体6FDA(244.3g)于室温加至溶于NMP(2290g)的DAPI(159.8g)。反应温度增加 至60°C并且将混合物静置反应3小时。接下来，将7-氧杂双环[2.2.1 ]庚-5-烯-2，3-二羧酸 酐（16.7g)加入反应混合物。处于60°C另外3小时后，加入醋酸酐(92.0g)和吡啶(36.2g)，反 应温度增加至l〇〇°C，并且将混合物静置反应12小时。
[0063]将反应混合物冷却至室温并转移至装有机械搅拌器的更大的容器。用醋酸乙酯作 为纯化溶剂稀释反应溶液并且用1%的盐酸水溶液清洗一小时。停止搅拌并且将混合物静 置不受干扰。一旦相分离发生，去除水相。用醋酸乙酯和丙酮的组合作为纯化溶剂稀释有机 相并且用水清洗三次。全部清洗中所用的纯化溶剂（即醋酸乙酯和丙酮)和水的量如表2所 不。 表2
[0064] 清洗的有机相通过真空蒸馏浓缩。GBL作为分离溶剂加入并且继续真空蒸馏。最终 聚合物溶液具有41.99wt%的浓度。GC分析时，最终的聚合物溶液中没有可检测到的NMP。 实施例3
[0065] 使用一种二胺和一种二酐制备封端PI聚合物的实例，其中分离溶剂（即内酯)与纯 化溶剂（即酯和酮)不同。水与聚合物的比例为48:1。
[0066] 将固体6FDA(333.9g)于室温加至溶于匪P(2721g)的DAPI(218.4g)。另外的匪P (410g)被用来将二酐冲入溶液。反应温度增加至60°C并且将混合物静置反应5小时。接下 来，将7-氧杂双环[2.2.1 ]庚-5-烯-2，3-二羧酸酐(22.8g)和NMP (21.8g)加入反应混合物。 处于60°C另外3小时后，加入醋酸酐（126.6g)和吡啶(48.9g)，反应温度增加至100°C，并且 将混合物静置反应12小时。
[0067]将反应混合物冷却至室