因为腔305通过注入孔307暴露，所以取向剂、液晶材料等可以通过注入孔307注入到腔 305 中。
[0085] 覆层390位于顶层360上。形成覆层390以覆盖将一些腔305暴露到外部的注入 孔307。即，覆层390可以密封腔305,使得形成在腔305中的液晶分子310不排出到腔的 外部。因为覆层390与液晶分子310接触，所以优选地，覆层390由不与液晶分子310反应 的材料制成。例如，覆层390可以由聚对二甲苯等制成。
[0086] 覆层390可以由诸如双层、三层等的多层形成。双层由不同材料制成的两个层组 成。三层由三个层组成，邻近的层的材料彼此不同。例如，覆层390可以包括由有机绝缘材 料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。
[0087] 尽管未示出，但是偏振器可以进一步形成在显示装置的上表面和下表面上。偏振 器可以由第一偏振器和第二偏振器组成。第一偏振器可以附着到基底110的下表面，第二 偏振器可以附着到覆层390上。
[0088] 在如上所述的液晶显示装置中，共电极和像素电极之间的分隔的距离可以恒定地 保持，使得可以形成恒定的电场。即，通过共电极和像素电极的电场的液晶分子的布置可以 是恒定的。
[0089] 此外，在根据示例性实施例的液晶显示装置中，可以提供具有均匀且恒定的形状 的腔，从而可以改善显示质量。即，由于通过负型光致抗蚀剂改善的耐热性而可以控制在加 热工艺期间产生的褶皱或弯曲的形成，从而可以提供具有均匀的布置的液晶分子。
[0090] 另外，因为根据示例性实施例的液晶显示装置包括倒锥形的腔，所以被锥形区域 阻挡的区域小，从而还可以改善显示装置的开口率。
[0091] 在下文中，将参照图4至图11描述根据示例性实施例的制造液晶显示装置的方 法。图4、图6、图8和图10是根据工艺的沿图1的线II-II截取的剖视图，图5、图7、图9 和图11是沿图1的线m-πι截取的剖视图。
[0092] 首先，如图4所示，在由玻璃、塑料等制成的绝缘基底110上形成在一个方向上延 伸的栅极线121和减压栅极线123以及从第一栅极线121突出的第一栅电极124h、第二栅 电极1241和第三栅电极124c (如图1所示）。
[0093] 另外，可以同时形成存储电极线131 (如图1所示），以与栅极线121、减压栅极线 123、第一栅电极124h、第二栅电极1241和第三栅电极124c分隔开。
[0094] 然后，使用诸如氧化硅（SiOx)、氮化硅（SiNx)等的无机绝缘材料在绝缘基底110 的其上设置有栅极线121、减压栅极线123、第一栅电极124h、第二栅电极1241、第三栅电极 124c和存储电极线131的整个表面上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以由单层或 多层形成。
[0095] 随后，在栅极绝缘层140上通过沉积诸如非晶硅、多晶硅、金属氧化物等的半导体 材料并使沉积的半导体材料图案化来形成半导体层（图5)，其中，半导体层可以包括第一 半导体层154h、第二半导体层1541和第三半导体层154c(如图1所示）。第一半导体层 154h形成为位于第一栅电极124h上，第二半导体层1541形成为位于第二栅电极1241上， 第三半导体层154c形成为位于第三栅电极124c上。
[0096] 接下来，通过沉积金属材料并使沉积的金属材料图案化来形成在另一个方向上延 伸的数据线171 (图5)。金属材料可以由单层或多层形成。
[0097] 另外，使从第一栅电极124h向上突出的第一源电极173h和与第一源电极173h分 隔开的第一漏电极175h从数据线171彼此一起形成。此外，使连接到第一源电极173h的第 二源电极1731和与第二源电极1731分隔开的第二漏电极1751彼此一起形成。另外，使从 第二漏电极1751延伸的第三源电极173c和与第三源电极173c分隔开的第三漏电极175c 彼此一起形成。
[0098] 可以通过连续地沉积半导体材料和金属材料并同时使沉积的半导体材料和金属 材料图案化来形成第一半导体层154h、第二半导体层1541、第三半导体层154c、数据线 171、第一源电极173h、第二源电极1731和第三源电极173c、第一漏电极175h、第二漏电极 1751和第三漏电极175c。在这种情况下，第一半导体层154h可以形成为延伸到数据线171 的下部。
[0099] 第一栅电极124h、第二栅电极1241和第三栅电极124c、第一源电极173h、第二源 电极1731和第三源电极173c以及第一漏电极175h、第二漏电极1751和第三漏电极175c 分别与第一半导体层154h、第二半导体层1541和第三半导体层154c -起构成第一薄膜晶 体管（TFT) Qh、第二薄膜晶体管（TFT) Q1和第三薄膜晶体管（TFT) Qc。
[0100] 然后，在数据线171、第一源电极173h、第二源电极1731和第三源电极173c、第一 漏电极175h、第二漏电极1751和第三漏电极175c以及暴露于源电极173h、1731和173c中 的每个与漏电极175h、1751和175c中的每个之间的半导体层154h、1541和154c上形成第 一钝化层180。第一钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成并由单层或多层 形成。
[0101] 此后，在第一钝化层180上在每个像素 PX中形成滤色器230。滤色器230可以形 成在第一子像素 PXa和第二子像素 PXb中并可以不形成在第一谷VI中。另外，具有相同颜 色的滤色器230可以沿多个像素 PX的数据线的延伸方向形成。在形成具有三种颜色的滤 色器230的情况下，首先，形成具有第一颜色的滤色器230，然后，可以通过移动掩模来形成 具有第二颜色的滤色器230。然后，在形成具有第二颜色的滤色器230之后，可以通过移动 掩模来形成具有第三颜色的滤色器230。
[0102] 接下来，在第一钝化层180上，在各个像素 PX的边界部分和薄膜晶体管上形成光 阻挡构件220。还可以在位于第一子像素 PXa和第二子像素 PXb之间的第一谷VI上形成光 阻挡构件220。
[0103] 随后，使用诸如氮化硅（SiNx)、氧化硅（SiOx)、氮氧化硅（SiO xNy)等的无机绝缘材 料在滤色器230和光阻挡构件220上形成第二钝化层240。
[0104] 在上述示例性实施例中描述了在形成滤色器230且然后形成光阻挡构件220之后 形成第二钝化层240的情况，但是本公开不限于此。如果必要，那么，例如，在首先形成光阻 挡构件220之后，可以形成滤色器230。可选择地，在形成滤色器230且然后形成第二钝化 层240之后，可以形成光阻挡构件220。
[0105] 接下来，蚀刻第一钝化层180、光阻挡构件220和第二钝化层240,从而形成第一接 触孔185h，从而暴露第一漏电极175h的一部分，并且形成第二接触孔1851，从而暴露第二 漏电极1751的一部分。
[0106] 然后，通过在第二钝化层240上沉积诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透 明导电材料然后使沉积的透明导电材料图案化而分别在第一子像素 PXa和第二子像素 PXb 中形成第一子像素电极191h和第二子像素电极1911。第一子像素电极191h和第二子像 素电极1911彼此分隔开，从而在它们之间具有第一谷VI。形成第一子像素电极191h以通 过第一接触孔185h连接到第一漏电极175h，形成第二子像素电极1911以通过第二接触孔 1851连接到第二漏电极1751。
[0107] 分别在第一子像素电极191h和第二子像素电极1911中形成水平主干部分193h 和1931以及与水平主干部分193h和1931交叉的竖直主干部分192h和1921。另外，形成 从水平主干部分193h和1931以及竖直主干部分192h和1921倾斜地延伸的多个微小分支 部分194h和1941。
[0108] 接下来，如图6和图7所示，在像素电极191上涂敷负型光致抗蚀剂，从而形成牺 牲层300。在这种情况下，牺牲层300可以包含由下面的化学式2表示的化合物。
[0109]
:化学式2)
[0110] 另外，负型光致抗蚀剂可以包括由下面的化学式4表示的光致抗蚀剂。由下面的 化学式4表示的光致抗蚀剂可以是DNQ-4-磺酰氯。
[0111]
[0112] (化学式4)
[0113] 在多个像素 PX的整个表面上形成牺牲层300。即，形成牺牲层300以整体地覆盖 每个像素 PX、位于第一子像素 PXa和第二子像素 PXb之间的第一谷VI以及位于在栅极线的 延伸方向上彼此邻近的多个像素 PX之间的第二谷V2。
[0114] 然后，将能够暴露位于在栅极线的延伸方向上彼此邻近的像素 PX之间的第二谷 V2区域和其中将形成柱部分301的区域300A的掩模置于绝缘基底110的整个表面上方。
[0115] 此后，通过使用紫外（UV)光的首次光照射对位于第二谷V2部分中的并将变成柱 部分301的牺牲层区域300A执行光照射。通过如上描述的工艺，将变成柱部分的区域300A 是可溶解的。具体地讲，通过首次光照射将变成柱部分301的牺牲层区域300A可以包含由 下面的化学式3衷示的化合物。
[0116]
(化学式3)
[0117] 接下来，对绝缘基底110的整个表面执行加热工艺。根据如上描述的加热工艺，将 变成柱部分301的区域300A可以包含由下面的化学式1表示的化合物彼此连接的化合物。 即，由化学式1表示的化合物彼此连接以形成较强的键。
[0118]
化学式1)
[0119] 其中，η是等于或大于1的自然数。
[0120] 然后，如图8和图9所示，在牺牲层300上沉积诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌 (ΙΖ0)等的透明导体。随后，在导体的整个表面上涂敷有机材料。
[0121] 接下来，在有机材料上涂敷光致抗蚀剂400并显影以形成顶层360,使用光致抗蚀 剂作为掩模通过蚀刻导体形成共电极270。
[0122] 接下来，对绝缘基底110的整个表面执行二次光照射。在该光照射中，将要变成柱 部分301并包括由化学式1表示的化合物彼此连接的状态的区域300Α不受二次光照射影 响。相反，除了柱部分301以外的区域300Β变成可溶解的。除了柱部分以外的区域300Β 的材料可以包