源电极1731。
[0053] 第一漏电极175h、第二漏电极1751和第三漏电极175c中的每个具有一个宽的端 部和另一个条型端部。第一漏电极175h和第二漏电极1751的条型端部部分地被第一源电 极173h和第二源电极1731围住。第二漏电极1751的所述一个宽的端部再次延伸，从而形 成以字母"U"的形状弯曲的第三源电极173c。第三漏电极175c的宽的端部177c与电容器 电极137叠置，以形成减压电容器Cstd，并且第三漏电极175c的条型端部部分地被第三源 电极173c围住。
[0054] 第一栅电极124h、第一源电极173h和第一漏电极175h与第一半导体层154h -起 形成第一薄膜晶体管Qh。第二栅电极1241、第二源电极1731和第二漏电极1751与第二半 导体层1541 -起形成第二薄膜晶体管Q1。第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电 极175c与第三半导体层154c -起形成第三薄膜晶体管Qc。
[0055] 第一半导体层154h、第二半导体层1541和第三半导体层154c可以彼此连接以由 此线性地形成，并且除了在源电极173h、1731和173c与漏电极175h、1751和175c之间的 沟道区域之外，具有与数据导体171、173h、1731、173c、175h、1751和175c以及在数据导体 之下的欧姆接触件的形状基本上等同的平面形状。
[0056] 未被第一源电极173h和第一漏电极175h覆盖而暴露于第一源电极173h和第一 漏电极175h之间的部分存在于第一半导体层154h中。未被第二源电极1731和第二漏电 极1751覆盖而暴露于第二源电极1731和第二漏电极1751之间的部分存在于第二半导体 层1541中。未被第三源电极173c和第三漏电极175c覆盖而暴露于第三源电极173c和第 三漏电极175c之间的部分存在于第三半导体层154c中。
[0057] 第一钝化层180形成在数据导体171、173h、1731、173c、175h、1751和175c以及暴 露于源电极173h、1731、173c和漏电极175h、1751和175c中的每个之间的半导体层154h、 1541和154c上。第一钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成并且可以由单 层或多层形成。
[0058] 滤色器230位于第一钝化层180上而形成在每个像素 PX中。每个滤色器230可以 显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色等的原色中的一种。滤色器230不限于显示红色、绿色 和蓝色的三原色，而可以显示青色、品红色、黄色和白色系颜色。不同于示出的，滤色器230 可以在邻近的数据线171之间长长地延伸。
[0059] 光阻挡构件220位于邻近的滤色器230之间的区域中。光阻挡构件220可以形成 在像素 PX的边界部分和薄膜晶体管上以防止漏光。滤色器230可以位于第一子像素 PXa 和第二子像素 PXb中的每个中，光阻挡构件220可以位于第一子像素 PXa和第二子像素 PXb 之间。
[0060] 光阻挡构件220包括沿栅极线121和减压栅极线123延伸的水平光阻挡构件 220a，从而向上且向下扩展并覆盖第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管Q1和第三薄膜晶体 管Qc等所处的区域。光阻挡构件220还包括沿数据线171延伸的竖直光阻挡构件220b。 即，水平光阻挡构件220a可以形成在第一谷VI中，竖直光阻挡构件220b可以形成在第二 谷V2中。滤色器230和光阻挡构件220可以在一些区域中彼此叠置。
[0061] 第二钝化层240可以进一步位于滤色器230和光阻挡构件220上。第二钝化层 240可以由诸如氮化娃（SiN x)、氧化娃（SiOx)、氮氧化娃（SiOxNy)等的无机绝缘材料制成。 第二钝化层240用于保护光阻挡构件220和由有机材料制成的滤色器230,如果需要，则可 以省略第二钝化层240。
[0062] 暴露第一漏电极175h和第二漏电极1751的宽的端部的多个第一接触孔185h和 第二接触孔1851位于第二钝化层240、光阻挡构件220和第一钝化层180中。
[0063] 像素电极191位于第二钝化层240上。像素电极191可以由诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、 氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电材料制成。
[0064] 像素电极191包括彼此分隔开的、在它们之间具有栅极线121和减压栅极线123 的且基于栅极线121和减压栅极线123设置在像素 PX的上部和下部以由此在数据线的延 伸方向上彼此邻近的第一子像素电极191h和第二子像素电极1911。即，第一子像素电极 191h和第二子像素电极1911彼此分隔开，从而具有位于它们之间的第一谷VI，第一子像素 电极191h位于第一子像素 PXa中，第二子像素电极1911位于第二子像素 PXb中。
[0065] 第一子像素电极191h和第二子像素电极1911分别通过第一接触孔185h和第二 接触孔1851连接到第一漏电极175h和第二漏电极1751。因此，当第一薄膜晶体管Qh和第 二薄膜晶体管Q1处于导通状态时，从第一漏电极175h和第二漏电极1751对第一子像素电 极19 lh和第二子像素电极1911施加数据电压。
[0066] 第一子像素电极191h和第二子像素电极1911具有总体上的矩形形状并包括由水 平主干部分193h和1931以及分别与水平主干部分193h和1931交叉的竖直主干部分192h 和1921构成的十字形状的主干部分。另外，第一子像素电极191h和第二子像素电极1911 包括多个微小分支部分194h和1941以及分别从子像素电极191h和1911的边缘侧向下或 向上突出的突出部分197h和1971。
[0067] 像素电极191由水平主干部分193h和1931以及竖直主干部分192h和1921划分 成四个子区域。微小分支部分194h和1941从水平主干部分193h和1931以及竖直主干部 分192h和1921倾斜地延伸，其延伸方向可以形成为相对于栅极线121或者水平主干部分 193h和1931具有大约45°或135°的角度。另外，相邻的两个子区域中的微小分支部分 194h和1941的延伸部分可以彼此正交。
[0068] 仅通过示例的方式提供如上描述的像素的布置形式、薄膜晶体管的结构和像素电 极的形状，本公开不限于此，而是可以被各种各样地修改。
[0069] 共电极270位于像素电极191上，以与像素电极191分隔开预定的距离。形成通 过像素电极191、共电极270和柱部分301区分的腔305。即，腔305被像素电极191、共电 极270和柱部分301 (图3)围住。腔305的宽度和面积可以根据显示装置的尺寸和分辨率 各种各样地改变。
[0070] 柱部分301位于相邻的像素 PX之间并且在数据线的延伸方向上形成在腔305中。 SP，柱部分301形成在与第二谷V2对应的位置处。
[0071] 每个柱部分301区分每个像素 PX的区域，并用作支撑位于腔305上的顶层360的 柱。
[0072] 柱部分301可以以通过光照射和硬化工艺使负型光致抗蚀剂硬化的状态足够地 支撑顶层360。
[0073] 柱部分301的在栅极线的延伸方向上的剖面可以具有锥形形状。因此，腔305的 在栅极线的延伸方向上的剖面具有倒锥形形状，即，腔305具有在邻近共电极270的顶部比 在邻近像素电极191的底部更宽的区域。
[0074] 共电极270可以由诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电材料制成。 可以将预定的电压施加到共电极270,电场可以形成在像素电极191和共电极270之间。
[0075] 第一取向层11可以位于像素电极191上。第一取向层11可以直接形成在未被像 素电极191覆盖的第二钝化层240上。
[0076] 第二取向层21位于共电极270下方以面对第一取向层11。
[0077] 第一取向层11和第二取向层21可以由垂直取向层形成，并且由诸如聚酰胺酸、聚 硅氧烷、聚酰亚胺等的取向材料制成。第一取向层11和第二取向层21可以在像素 PX的边 缘处彼此连接。
[0078] 由液晶分子310制成的液晶层形成在位于像素电极191、共电极270和柱部分301 之间的腔305中。液晶分子310具有负介电各向异性，并且可以在未施加电场的状态下在 垂直于基底110的方向上直立。即，可以执行垂直取向。
[0079] 施加有数据电压的第一子像素电极19 lh和第二子像素电极1911与共电极270 - 起形成电场，从而确定位于在两个电极191和270之间的腔305中的液晶分子310的方向。 如上所述，穿过液晶层的光的亮度根据液晶分子310的方向改变、确定。
[0080] 顶层360位于第二取向层21上。顶层360可以由有机材料制成。腔305位于顶 层360下方，通过硬化工艺使顶层360硬化，从而使得能够保持腔305的形状。即，形成顶 层360以与像素电极191分隔开，从而在它们之间具有腔305。
[0081] 顶层360沿像素行形成在每个像素 PX和第二谷V2上并且不形成在第一谷VI上。 即，顶层360不形成在第一子像素 PXa和第二子像素 PXb之间以及邻近的像素之间。腔305 位于第一子像素 PXa和第二子像素 PXb中的每个顶层360下方。柱部分301在第二谷V2 中位于顶层360下方。因此，顶层360可以形成为在形成顶层360的整个区域中具有相同 的厚度。即，腔305形成为其上表面被顶层360覆盖且其两侧表面被柱部分301阻挡的形 状。
[0082] 这是为了解决如下的问题：通常，在腔305的两个侧表面被顶层360覆盖的液晶显 示装置的情况下，在顶层360的形成工艺期间形成具有预定角度的锥形物，但是如上描述 的其中形成有锥形物的部分由于位于这个部分中的液晶分子难以顺畅地运动而不得不变 成非透射区域。
[0083] 因为顶层360不位于第一谷区域中，所以顶层360彼此分隔开，从而具有它们之间 的第一谷区域。因此，在邻近于谷区域的区域中的顶层360具有倾斜的表面。
[0084] 暴露一些腔305的注入孔307 (图10)形成在共电极270和顶层360中。注入孔 307可以形成在第一子像素 PXa和第二子像素 PXb的边缘处以彼此面对。即，可以形成注入 孔307以暴露腔305的与第一子像素 PXa的下侧和第二子像素 PXb的上侧对应的侧表面。