4sccm，氧气的流量为45sccm;等温度到达预定温度后，将所述步骤(3)中所制得的金属钛薄膜放入退火炉中，退火时间为45min;得到氮掺杂二氧化钛薄膜，经XRD检测，此时的氮掺杂二氧化钛薄膜为锐钛矿晶型。
[0013]经X射线光电子能谱的测试，可得其中N掺杂量为2.84。
[0014]实施例二:该采用磁控溅射法制备含氮二氧化钛薄膜的方法，利用二氧化钛为靶材采用磁控溅射法制备氮掺杂二氧化钛薄膜，包括以下步骤，
(1)基片的准备:普通玻璃切割成大小为20X 20mm的方块；
(2)基片的清洗:为了去除基底表面的有机物，先用双氧水和浓硫酸的混合溶液(体积比为4:1)的浸泡超声20min后用去离子水清洗;把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声15min，以提高基片表面活性，从而增加薄膜与基体材料的结合力;清洗结束后将基片置于烘箱干燥，待用；
(3)金属钛薄膜的制备:
I)将干燥后基片固定在基片台上，然后将基片台旋紧在真空腔室的转盘上；
2 )真空的获得:启动机械栗，打开旁抽阀Π，对真空腔室抽真空；当真空度达到6Pa时，关闭旁抽阀Π，打开旁抽阀I，并启动分子栗，打开闸板阀，采用分子栗对真空腔室进一步抽真空；当分子栗加速达到400Hz后稳定运行，当真空度可达到4 X 10—3Pa后，打开Ar气阀，通入Ar气，对基底进行离子束清洗；
3)离子束清洗基底:为了进一步去除基底表面杂质，提高基底与薄膜的附着力，在沉积前要对基片进行离子束清洗;离子束清洗的实验过程:将流量计调至阀控，调节气体流量在4sccm左右，压强大约在1.6 X 10—2Pa;然后调中和灯丝电流至18A左右，再调加速电压至200V、调阳极电压至50V、调屏极电压至380V，最后调阴极电压至9V以上，束流开始显示，再调节至束流50mA左右，真空腔室内将产生等离子体，开始对基片进行离子束轰击以清洗，清洗Smin后，按反向顺序依次关闭各表，再关闭离子流量计，结束清洗；
4)磁控溅射:再次调节氩气流量，并使真空腔室的真空度上升至lOPa，打开磁控电源，设置溅射功率为60W，观察真空室的火焰颜色确保启辉成功，则调节闸板阀，增加真空度，使真空度上升至15Pa，同时调节功率反射角，使功率反射角最小，当真空腔室的真空度达到所需真空度时，将基片旋至靶材上方，打开磁控挡板和膜厚仪挡板开始溅射；
4)当达到预定溅射时间后，关闭磁控挡板，将功率旋钮归零，关电源，磁控溅射结束;取出所制得的金属钛薄膜;此时的金属钛薄膜为非晶态；
(4)氮掺杂二氧化钛薄膜的制备:设置退火炉的温度在500°C，向退火炉中通入氮气和氧气，氮气的流量为6sccm，氧气的流量为58sccm;等温度到达预定温度后，将所述步骤(3)中所制得的金属钛薄膜放入退火炉中，退火时间为45min;得到氮掺杂二氧化钛薄膜;经XRD检测，此时的氮掺杂二氧化钛薄膜为锐钛矿晶型。
[0015]经X射线光电子能谱的测试，可得其中N掺杂量为3.45。
[0016]实施例三:该采用磁控溅射法制备含氮二氧化钛薄膜的方法，利用二氧化钛为靶材采用磁控溅射法制备氮掺杂二氧化钛薄膜，包括以下步骤，
(1)基片的准备:陶瓷切割成大小为20X 20mm的方块；
(2)基片的清洗:为了去除基底表面的有机物，先用双氧水和浓硫酸的混合溶液(体积比为4:1)的浸泡超声20min后用去离子水清洗;把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声15min，以提高基片表面活性，从而增加薄膜与基体材料的结合力;清洗结束后将基片置于烘箱干燥，待用；
(3)金属钛薄膜的制备:
I)将干燥后基片固定在基片台上，然后将基片台旋紧在真空腔室的转盘上；
2 )真空的获得:启动机械栗，打开旁抽阀Π，对真空腔室抽真空；当真空度达到6Pa时，关闭旁抽阀Π，打开旁抽阀I，并启动分子栗，打开闸板阀，采用分子栗对真空腔室进一步抽真空；当分子栗加速达到400Hz后稳定运行，当真空度可达到4 X 10—3Pa后，打开Ar气阀，通入Ar气，对基底进行离子束清洗；
3)离子束清洗基底:为了进一步去除基底表面杂质，提高基底与薄膜的附着力，在沉积前要对基片进行离子束清洗;离子束清洗的实验过程:将流量计调至阀控，调节气体流量在4sccm左右，压强大约在1.6 X 10—2Pa;然后调中和灯丝电流至18A左右，再调加速电压至200V、调阳极电压至50V、调屏极电压至380V，最后调阴极电压至9V以上，束流开始显示，再调节至束流50mA左右，真空腔室内将产生等离子体，开始对基片进行离子束轰击以清洗，清洗Smin后，按反向顺序依次关闭各表，再关闭离子流量计，关气瓶，结束清洗；
4)磁控溅射:再次调节氩气流量，并使真空腔室的真空度上升至10Pa，打开磁控电源，设置溅射功率为60W，观察真空室的火焰颜色确保启辉成功，则调节闸板阀，增加真空度，使真空度上升至20Pa，同时调节功率反射角，使功率反射角最小，当真空腔室的真空度达到所需真空度时，将基片旋至靶材上方，打开磁控挡板和膜厚仪挡板开始溅射；
4)当达到预定溅射时间后，关闭磁控挡板，将功率旋钮归零，关电源，磁控溅射结束;取出所制得的金属钛薄膜;此时的金属钛薄膜为非晶态；
(4)氮掺杂二氧化钛薄膜的制备:设置退火炉的温度在600°C，向退火炉中通入氮气和氧气，氮气的流量为8sccm，氧气的流量为69sccm;等温度到达预定温度后，将所述步骤(3)中所制得的金属钛薄膜放入退火炉中，退火时间为45min;得到氮掺杂二氧化钛薄膜;经XRD检测，此时的氮掺杂二氧化钛薄膜为锐钛矿晶型。
[0017]经X射线光电子能谱的测试，可得其中N掺杂量为3.79。
[0018]实施例四:该采用磁控溅射法制备含氮二氧化钛薄膜的方法，利用二氧化钛为靶材采用磁控溅射法制备氮掺杂二氧化钛薄膜，包括以下步骤，
(1)基片的准备:石英玻璃切割成大小为20X 20mm的方块；
(2)基片的清洗:为了去除基底表面的有机物，先用双氧水和浓硫酸的混合溶液(体积比为4:1)的浸泡超声20min后用去离子水清洗;把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声15min，以提高基片表面活性，从而增加薄膜与基体材料的结合力;清洗结束后将基片置于烘箱干燥，待用；
(3)金属钛薄膜的制备:
I)将干燥后基片固定在基片台上，然后将基片台旋紧在真空腔室的转盘上；
2 )真空的获得:启动机械栗，打开旁抽阀Π，对真空腔室抽真空；当真空度达到6Pa时，关闭旁抽阀Π，打开旁抽阀I，并启动分子栗，打开闸板阀，采用分子栗对真空腔室进一步抽真空；当分子栗加速达到400Hz后稳定运行，当真空度可达到4 X 10—3Pa后，打开Ar气阀，通入Ar气，对基底进行离子束清洗；
3)离子束清洗基底:为了进一步去除基底表面杂质，提高基底与薄膜的附着力，在沉积前要对基片进行离子束清洗;离子束清洗的实验过程:将流量计调至阀控，调节气体流量在4sccm左右，压强大约在1.6 X 10—2Pa;然后调中和灯丝电流至18A左右，再调加速电压至200V、调阳极电压至50V、调屏极电压至380V，最后调阴极电压至9V以上，束流开始显示，再调节至束流50mA左右，真空腔室内将产生等离子体，开始对基片进行离子束轰击以清洗，清洗Smin后，按反向顺序依次关闭各表，再关闭离子流量计，关气瓶，结束清洗；
4)磁控溅射:再次调节氩气流量，并使真空腔室的真空度上升至10Pa，打开磁控电源，设置溅射功率为60W，观察真空室的