步骤中的至少一个中采用恒温装 置，由此能抑制吸气特性所造成的影响而使得测量精度提高。
[0122] 此外，在本实施方式的薄膜的蒸镀监测方法中，至少两个蒸镀源优选包括活性材 料蒸镀源和有机材料蒸镀源，活性材料蒸镀源中的活性材料优选为选自稀土金属、碱金属、 碱土金属、有机材料和吸水性强的材料中的任一种或上述这些材料的任意组合，稀土金属 优选为Yb，碱金属优选为Li，碱土金属优选为Ca或Mg，吸水性强的材料优选为碱金属氧化 物或碱土金属氧化物，由此，能够使得监控精度的提高更为显著。
[0123] 此外，在本实施方式的薄膜的蒸镀监测方法中，通过在上述厚度测量步骤中采用 石英膜厚计，能够使得测量精度提高。
[0124] 本实施方式的薄膜蒸镀方法，通过使用上述薄膜的蒸镀监测方法进行薄膜的蒸镀 监测，能获得与上述效果同样的效果，能精确获得蒸镀材料的浓度从而能使得膜厚控制更 精确、量产更容易控制。
[0125] 以上，在针对薄膜的蒸镀监测装置、薄膜蒸镀装置、薄膜的蒸镀监测方法和薄膜蒸 镀方法的说明中，虽然以两个蒸镀源为例进行了说明，但是可以理解，在薄膜蒸镀装置中， 可以具有两个以上的蒸镀源。另外，蒸镀材料以有机材料和活性掺杂材料为例进行了说明， 但是可以为薄膜中使用的任何材料。另外，膜厚计以石英膜厚计为例进行了说明，但是膜厚 计可以为本领域技术人员公知的任何膜厚计，只要能够测量薄膜的厚度即可。另外，电阻测 量器以探针电阻测量器为例进行了说明，探针电阻测量器以四点探针片电阻测量器为例进 行了说明，但是电阻测量器只要能够测量薄膜的电阻或片电阻即可，可以为其他电阻测量 器。
[0126] 以上虽然通过一些示例性的实施方式详细地描述了本发明的【具体实施方式】，但是 以上这些实施方式并不是穷举的，本领域技术人员可以在本发明的精神和范围内实现各种 变化和修改。因此，本发明并不限于这些实施方式，本发明的范围仅由所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种薄膜的蒸镀监测装置，其中，对利用至少两个蒸镀源的薄膜的蒸镀进行监测，包 括： 膜厚计，其对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行测量； 电阻测量器，其对上述薄膜的电阻进行测量；以及 计算单元，其基于上述薄膜的由上述膜厚计测量的厚度和由上述电阻测量器测量的电 阻，计算上述薄膜中的来自上述至少两个蒸镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度。2. 根据权利要求1所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述计算单元基于上述薄膜的 厚度和电阻，利用算式（1)、（2)求出上述薄膜的电阻率，其中，R_0表示t = O时测得的电阻，R_total表示t = Δ t时测得的电阻，Δ d表示t =Δ t时的厚度与t = O时的厚度的差，A表示上述电阻测量器的面积，P表示在t = O至 t= At之间蒸镀的薄膜的电阻率， 上述计算单元，基于预先取得的电阻率与上述材料的浓度的关系，求出上述材料的浓 度。3. 根据权利要求1或2所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述电阻测量器为探针电阻 测量器，其对上述薄膜的片电阻进行测量。4. 根据权利要求3所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，在上述探针电阻测量器的探针 上设置有半导体薄膜。5. 根据权利要求4所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述半导体薄膜的材料为选自 单晶硅、金属氧化物半导体、三五族半导体和有机半导体中的任一种或上述这些材料的任 意组合。6. 根据权利要求3所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述探针电阻测量器为四点探 针电阻测量器。7. 根据权利要求1或2所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，在上述膜厚计和上述电阻测 量器的至少一个上设置有恒温装置。8. 根据权利要求1或2所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述至少两个蒸镀源包括活 性材料蒸镀源和有机材料蒸镀源。9. 根据权利要求8所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述活性材料蒸镀源中的活性 材料为选自稀土金属、碱金属、碱土金属、有机材料和吸水性强的材料中的任一种或上述这 些材料的任意组合。10. 根据权利要求9所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述稀土金属为Yb。11. 根据权利要求9所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述碱金属为Li。12. 根据权利要求9所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述碱土金属为Ca或Mg。13. 根据权利要求9所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述吸水性强的材料为碱金属 氧化物或碱土金属氧化物。14. 根据权利要求1或2所述的薄膜的蒸镀监测装置，其中，上述膜厚计为石英膜厚计。15. -种薄膜蒸镀装置，其中，使用权利要求1至14中任一项所述的薄膜的蒸镀监测装 置来监测薄膜的蒸镀。16. -种薄膜的蒸镀监测方法，其中，对利用至少两个蒸镀源的薄膜的蒸镀进行监测， 包括： 对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行测量的厚度测量步骤； 对上述薄膜的电阻进行测量的电阻测量步骤；以及 基于上述薄膜的在上述膜厚测量步骤中得到的厚度和在上述电阻测量步骤中得到的 电阻，计算上述薄膜中的来自上述至少两个蒸镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度的计算步 骤。17. 根据权利要求16所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，在上述计算步骤中，基于上述 薄膜的厚度和电阻，利用算式（1)、（2)求出上述薄膜的电阻率，其中，R_0表示t = O时测得的电阻，R_total表示t = Δ t时测得的电阻，Δ d表示t =Δ t时的厚度与t = O时的厚度的差，A表示电阻测量器的面积，P表示在t = O至t = A t之间蒸镀的薄膜的电阻率， 在上述计算步骤中，基于预先取得的电阻率与上述材料的浓度的关系，求出上述材料 的浓度。18. 根据权利要求16或17所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，在上述电阻测量步骤中 采用探针电阻测量器，对上述薄膜的片电阻进行测量。19. 根据权利要求18所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，在上述探针电阻测量器的探 针上设置有半导体薄膜。20. 根据权利要求19所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述半导体薄膜的材料为选 自单晶硅、金属氧化物半导体、三五族半导体和有机半导体中的任一种或上述这些材料的 任意组合。21. 根据权利要求18所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述探针电阻测量器为四点 探针电阻测量器。22. 根据权利要求16或17所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，在上述厚度测量步骤和 上述电阻测量步骤的至少一个中采用恒温装置。23. 根据权利要求16或17所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述至少两个蒸镀源包 括活性材料蒸镀源和有机材料蒸镀源。24. 根据权利要求23所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述活性材料蒸镀源中的活 性材料为选自稀土金属、碱金属、碱土金属、有机材料和吸水性强的材料中的任一种或上述 这些材料的任意组合。25. 根据权利要求24所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述稀土金属为Yb。26. 根据权利要求24所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述碱金属为Li。27. 根据权利要求24所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述碱土金属为Ca或Mg。28. 根据权利要求24所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，上述吸水性强的材料为碱金 属氧化物或碱土金属氧化物。29. 根据权利要求16或17所述的薄膜的蒸镀监测方法，其中，在上述厚度测量步骤中 采用石英膜厚计。30. -种薄膜蒸镀方法，其中，使用权利要求16至29中任一项所述的薄膜的蒸镀监测 方法来监测薄膜的蒸镀。
【专利摘要】本发明提供提高薄膜的蒸镀监控精度的薄膜的蒸镀监测装置、薄膜蒸镀装置和薄膜的蒸镀监测方法、薄膜蒸镀方法。根据一个实施方式的薄膜的蒸镀监测装置对利用至少两个蒸镀源的薄膜的蒸镀进行监测，包括：膜厚计，其对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行测量；电阻测量器，其对上述薄膜的电阻进行测量；以及计算单元，其基于上述薄膜的由上述膜厚计测量的厚度和由上述电阻测量器测量的电阻，计算上述薄膜中的来自上述至少两个蒸镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度。
【IPC分类】C23C14/54, C23C14/24
【公开号】CN105177521
【申请号】
【发明人】许名宏
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月15日