测装 置,能精确获得蒸镀材料的浓度,因此能使得膜厚控制更精确、量产更容易控制。
[0043] [16] -种薄膜的蒸镀监测方法,其中,对利用至少两个蒸镀源的薄膜的蒸镀进行 监测,包括:对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行测量的厚度测量步骤; 对上述薄膜的电阻进行测量的电阻测量步骤;以及基于上述薄膜的在上述膜厚测量步骤中 得到的厚度和在上述电阻测量步骤中得到的电阻,计算上述薄膜中的来自上述至少两个蒸 镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度的计算步骤。
[0044] 上述[16]所述的薄膜的蒸镀监测方法,通过监控掺杂后的蒸镀薄膜的厚度和电 阻来获得蒸镀材料浓度,由此能够避免单独监控蒸镀材料时对监控造成的噪声,此外,通过 测量电阻特性能精确获得蒸镀材料的浓度。
[0045] [17]根据上述[16]所述的方法,其中,在上述计算步骤中,基于上述薄膜的厚度 和电阻,利用算式(1)、(2)求出上述薄膜的电阻率,
[0046] 算式(1):
[0050] 其中,R_0表示t = 0时测得的电阻,R_total表示t = Δ t时测得的电阻,Δ d表 示t = Δ t时的厚度与t = 0时的厚度的差,A表示电阻测量器的面积,P表示在t = 0至 t= At之间蒸镀的薄膜的电阻率,
[0051] 在上述计算步骤中,基于预先取得的电阻率与上述材料的浓度的关系,求出上述 材料的浓度。
[0052] 上述[17]所述的方法,根据薄膜的厚度以及电阻利用算式求得电阻率,进而参照 对应关系求得蒸镀材料浓度,由此能够由测量值精确地获得蒸镀材料的浓度。
[0053] [18]根据上述[16]或[17]所述的方法,其中,在上述电阻测量步骤中采用探针电 阻测量器,对上述薄膜的片电阻进行测量。
[0054] 上述[18]所述的方法,通过在电阻测量步骤中采用探针电阻测量器,对薄膜的片 电阻进行测量,能够使得测量精度提高。
[0055] [19]根据上述[18]所述的方法,其中,在上述探针电阻测量器的探针上设置有半 导体薄膜。
[0056] 上述[19]所述的方法,通过在探针电阻测量器的探针上设置有半导体薄膜,能够 保证测量稳定。
[0057] [20]根据上述[19]所述的方法,其中,上述半导体薄膜的材料为选自单晶硅、金 属氧化物半导体、三五族半导体和有机半导体中的任一种或上述这些材料的任意组合。
[0058] 上述[20]所述的方法,其中的半导体薄膜材料的片电阻约与监控厚度上限的薄 膜的片电阻相近,能够使得测量更为稳定。
[0059] [21]根据上述[18]所述的方法,其中,上述探针电阻测量器为四点探针电阻测量 器。
[0060] 上述[21]所述的方法中,通过采用四点探针电阻测量器作为探针电阻测量器,能 够使得测量精度提高。
[0061] [22]根据上述[16]至[21]的任一个所述的方法,其中,在上述厚度测量步骤和上 述电阻测量步骤的至少一个中采用恒温装置。
[0062] 上述[22]所述的方法,通过在监测过程中采用恒温装置,能够抑制吸气特性等的 影响。
[0063] [23]根据上述[16]至[22]的任一个所述的方法,其中,上述至少两个蒸镀源包括 活性材料蒸镀源和有机材料蒸镀源。
[0064] 上述[23]所述的方法,通过使得上述至少两个蒸镀源包括活性材料蒸镀源和有 机材料蒸镀源,能够使得监控精度的提高更为显著。
[0065] [24]根据上述[23]所述的方法,其中,上述活性材料蒸镀源中的活性材料为选自 稀土金属、碱金属、碱土金属、有机材料和吸水性强的材料中的任一种或上述这些材料的任 意组合。
[0066] [25]根据上述[24]所述的方法,其中,上述稀土金属为Yb。
[0067] [26]根据上述[24]所述的方法,其中,上述碱金属为Li。
[0068] [27]根据上述[24]所述的方法,其中,上述碱土金属为Ca或Mg。
[0069] [28]根据上述[24]所述的方法,其中,上述吸水性强的材料为碱金属氧化物或碱 土金属氧化物。
[0070] 上述[24]_[28]所述的方法,通过使得活性材料为上述优选材料,能够使得监控 精度的提高更为显著。
[0071] [29]根据上述[16]至[28]的任一个所述的方法,其中,在上述厚度测量步骤中采 用石英膜厚计。
[0072] [30] -种薄膜蒸镀方法,其中,使用上述[16]至[29]之一所述的薄膜的蒸镀监测 方法来监测薄膜的蒸镀。
[0073] 上述[30]的薄膜蒸镀方法通过使用[16]至[29]之一所述的薄膜的蒸镀监测方 法,能精确获得蒸镀材料的浓度,因此能使得膜厚控制更精确、量产更容易控制。
【附图说明】
[0074] 为了更清楚地说明本发明的实施方式的技术方案,下面将对实施方式的附图作简 单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施方式,而非对本发明 的限制。
[0075] 图1是根据本发明的一个实施方式的薄膜的蒸镀监测装置的构成的框图。
[0076] 图2是表示利用本发明的一个实施方式的薄膜的蒸镀监测装置对蒸镀得到的薄 膜进行测量的图。
[0077] 图3是表示电阻与浓度的关系的示意图。
[0078] 图4是表示根据本发明的一个实施方式的薄膜的蒸镀监测方法的流程的流程图。
[0079] 图5是说明利用测量值计算材料浓度的流程的流程图。
[0080] 图6是表示利用传统的共蒸镀膜的蒸镀监测装置对薄膜进行测量的图。
[0081] 图7是用于说明传统的共蒸镀膜的蒸镀监测中所存在的问题的机理示意图。
【具体实施方式】
[0082] 为使本发明的实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的 实施方式的附图,对本发明的实施方式的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的 实施方式是本发明的一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于所描述的本发明的实 施方式,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式,都 属于本发明保护的范围。
[0083] 在本发明的描述中,需要说明的是,术语"上"、"下"、"顶"、"底"等指示的方位或位 置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是 指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能 理解为对本发明的限制。
[0084] 此外,在本发明的描述中,除非另有说明,"多个"的含义是两个或两个以上。
[0085] 下面结合附图对本发明的各个优选实施方式进行详细的说明。
[0086] 薄腊的蒸镀监测装詈以及薄腊蒸镀装詈
[0087] 本实施方式提供一种薄膜的蒸镀监测装置,其中,对利用至少两个蒸镀源的薄膜 的蒸镀进行监测,包括:膜厚计,其对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行 测量;电阻测量器,其对上述薄膜的电阻进行测量;以及计算单元,其基于上述薄膜的由上 述膜厚计测量的厚度和由上述电阻测量器测量的电阻,计算上述薄膜中的来自上述至少两 个蒸镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度。
[0088] 下面以图1~图3为例进行详细说明。图1是根据本发明的一个实施方式的薄膜 的蒸镀监测装置的构成的框图。图2是表示利用本发明的一个实施方式的薄膜的蒸镀监测 装置对蒸镀得到的薄膜进行测量的图。图3是表示电阻与浓度的关系的示意图。
[0089] 如图1、图2所示,本实施方式的薄膜的蒸镀监测装置1优选对利用有机材料蒸镀 源A和活性掺杂材料蒸镀源B进行的薄膜的蒸镀进行监测,优选包括:石英膜厚计2、四点 探针片电阻测量器3以及计算单元4。其中,该活性掺杂材料优选为选自稀土金属、碱金属、 碱土金属、有机材料和吸水性强的材料中的任一种或上述这些材料的任意组合。进而,稀土 金属优选为Yb,碱金属优选为Li,碱土金属优选为Ca或Mg,吸水性强的材料优选为碱金属 氧化物或碱土金属氧