丙基)S甲氧基硅烷、丫-氨基丙基S甲氧基硅烷、N-P-(氨基乙基)-丫-氨基丙基S甲氧基 硅烷、N-P-(氨基乙基)-丫-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-丫-氨基丙基S甲氧基娃 烧、丫-脈丙基二乙氧基硅烷、丫-琉丙基二甲氧基硅烷、丫 -琉丙基甲基二甲氧基硅烷、双 (3-二乙氧基甲娃烷基丙基）四硫化物、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、乙締基二甲 氧基硅烷、乙締基=乙酷氧基硅烷、咪挫硅烷等。
[0186] 化)成分可W单独使用或组合两种W上使用。
[0187] 作为化)成分，优选低聚物型的偶联剂。
[0188] 包括低聚物型的偶联剂在内的化)成分的数均分子量(Mn)优选为100~15000,更 优选为150~10000,进一步优选为200~5000,更进一步优选为350~2000。
[0189] 相对于保护膜形成用组合物的总量，化)成分的含量优选为0.01~20质量％，更优 选为0.05~10质量％，进一步优选为0.10~7质量％，更进一步优选为0.15~4质量％。
[0190] <其它添加剂>
[0191] 在不损害本发明效果的范围内，本发明的保护膜形成用组合物可W根据需要含有 上述(A)~化)成分W外的其它添加剂。
[0192] 作为其它添加剂，可W列举例如:交联剂、流平剂、增塑剂、防静电剂、抗氧剂、离子 捕捉剂、吸气剂、链转移剂等。
[0193] 运些添加剂的含量可W在不损害本发明效果的范围内适当调整，但相对于保护膜 形成用组合物的总量，优选为0~10质量％，更优选为0~5质量％，进一步优选为0~3质 量％。
[0194] 〔保护膜形成用片）
[0195] 本发明的保护膜形成用片只要具有由上述保护膜形成用组合物形成的保护膜形 成层即可，没有特别限制。图1是示出本发明的保护膜形成用片的结构的一个例子的保护膜 形成用片的剖面图。
[0196] 作为本发明的保护膜形成用片的结构的一个例子，可W列举例如：图1(a)运样的 由2片剥离片3a、3b夹持保护膜形成层2的保护膜形成用片la、图1(b)运样的在支撑片4上叠 层有保护膜形成层2的保护膜形成用片Ib等。需要说明的是，保护膜形成用片化也可W为如 图I(C)所示的在保护膜形成层2上进一步叠层有剥离片3的保护膜形成用片Ic的结构。
[0197] 另外，如图1(d)所示，还可W是进一步具有粘合剂层5的保护膜形成用片IcL在图1 (d)的保护膜形成用片Id中，在保护膜形成层2上设有粘合剂层5,粘合剂层5可W设在支撑 片4和/或保护膜形成层2的面上。
[0198] 作为构成粘合剂层的粘合剂，可W列举例如:橡胶类粘合剂、丙締酸类粘合剂、聚 硅氧烷类粘合剂、聚乙締基酸类粘合剂、由能量线照射而固化的再剥离性能量线固化型粘 合剂、加热发泡型粘合剂、水溶胀型粘合剂等。
[0199] 其中，优选能量线固化型粘合剂。
[0200] 粘合剂层的厚度可W适当调整，优选为5~200WH，更优选为7~150皿，进一步优选 为10~100皿。
[0201] 作为在保护膜形成用片中使用的支撑片，可W列举例如：聚乙締膜、聚丙締膜、聚 下締膜、聚下二締膜、聚甲基戊締膜、聚氯乙締膜、氯乙締共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇醋 膜、聚糞二甲酸乙二醇醋膜、聚对苯二甲酸下二醇醋膜、聚氨醋膜、乙締-乙酸乙締醋共聚物 膜、离聚物树脂膜、乙締-(甲基)丙締酸共聚物膜、乙締-(甲基)丙締酸醋共聚物膜、聚苯乙 締膜、聚碳酸醋膜、聚酷亚胺膜、氣树脂膜等膜。另外，也可W使用它们的交联膜，还可W是 运些膜中的巧巾W上叠层而成的叠层膜。
[0202] 需要说明的是，支撑片可W使用经过着色的膜。
[0203] 作为在保护膜形成用片中使用的剥离片，可W列举在上述支撑片上实施了剥离处 理的片材。
[0204] 作为剥离处理中使用的剥离剂，可W列举例如:醇酸类、聚硅氧烷类、含氣类、不饱 和聚醋类、聚締控类、蜡类等的剥离剂，从耐热性的观点考虑，优选醇酸类、聚硅氧烷类、含 氣类的剥离剂。
[0205] 支撑片及剥离片的厚度优选为10~500WI1，更优选为15~300WI1，进一步优选为20 ~200咖。
[0206] 保护膜形成层的厚度优选为10~70WH，更优选为15~50WH，进一步优选为20~45y m O
[0207] 从提高在该保护膜上进行激光打印的打印部分的辨识性的观点考虑，保护膜形成 层固化而形成的保护膜的光泽度优选为IOW上，更优选为12W上，进一步优选为16W上，更 进一步优选为20 W上。
[0208] 保护膜形成层固化而形成的保护膜的导热系数优选为2.0W/(m ? K) W上，更优选 为2.3W/(m ? K似上，进一步优选为2.5W/(m ? K似上，更进一步优选为2.8W/(m ? K似上。
[0209] 需要说明的是，该保护膜的的光泽度和导热系数是指按照实施例中记载的方法测 得的值。
[0210] 〔保护膜形成用片的制造方法）
[0211] 作为本发明的保护膜形成用片的制造方法，没有特别限制，可W通过公知的方法 来制造。例如可W如下制造:在上述保护膜形成用组合物中加入有机溶剂，形成保护膜形成 用组合物的溶液的形态，用公知的涂布方法将该保护膜形成用组合物的溶液涂布在支撑片 或剥离片上形成涂布膜，然后使其干燥而形成保护膜形成层。
[0212]作为所使用的有机溶剂，可W列举：甲苯、乙酸乙醋、甲乙酬等。
[0213] 配合了有机溶剂的情况下，保护膜形成用组合物溶液的固体成分浓度优选为10~ 80质量％，更优选为20~70质量％，进一步优选为30~65质量％。
[0214] 作为涂布方法，可W列举例如:旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、漉涂法、漉刀 涂布法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
[0215] 〔带有保护膜的忍片）
[0216] 本发明的保护膜形成用组合物、保护膜形成用片可W作为保护半导体忍片背面的 保护膜形成材料使用。
[0217] 本发明的带有保护膜的忍片在半导体忍片等忍片的表面具有保护膜，所述保护膜 是对由本发明的保护膜形成用组合物形成的保护膜形成层施加热和/或光，使其固化而形 成的。
[0218] 需要说明的是，该保护膜只要使保护膜形成层的至少一部分固化即可，但优选使 保护膜形成层完全固化。
[0219] 本发明的带有保护膜的忍片具有由本发明的组合物形成的保护膜形成层固化而 成的保护膜，该保护膜具有高导热性，因此能够抑制由溫度变化引起的在忍片与保护膜的 接合部产生的浮起、剥离、断裂，可靠性优异。
[0220] 可W通过倒装方式将带有保护膜的忍片安装在基板等上而制造半导体装置。另 夕h可W通过将带有保护膜的忍片粘接在晶垫部或其它半导体忍片等其它构件上（忍片搭 载部上)来制造半导体装置。
[0221] 〔带有保护膜的忍片的制造方法）
[0222] 作为本发明的带有保护膜的忍片的制造方法，没有特别限制，例如，可W列举W下 方法。
[0223] 首先，将本发明的保护膜形成用片的保护膜形成层叠层于半导体晶片的背面。然 后，在保护膜形成用片具有支撑片或剥离片的情况下，将支撑片或剥离片剥离，使叠层在半 导体晶片上的保护膜形成层热固化和/或光固化，从而形成使该保护膜形成层固化在晶片 的整个面上的保护膜。
[0224] 需要说明的是，形成的保护膜只要保护膜形成层的至少一部分固化即可，但优选 使保护膜形成层完全固化。
[0225] 需要说明的是，半导体晶片可W是娃晶片，另外，也可W是嫁-神等的化合物半导 体晶片。另外，对于半导体晶片而言，在其表面形成电路的同时将背面适当进行磨削等，厚 度通常为50~500皿。
[0226] 接着，将半导体晶片和保护膜的叠层体连同形成在晶片表面上的电路一起进行切 割。
[0227] 切割W将晶片和保护膜一起切断的方式来进行，通过切割，半导体晶片和保护膜 的叠层体被分割成多个忍片。需要说明的是，晶片的切割通过使用切片的通常方法来进行。 接下来，通过利用开口夹等通用装置拾取切割后的忍片，从而获得背面具有保护膜的半导 体忍片(带有保护膜的忍片）。
[0228] 需要说明的是，半导体忍片的制造方法不限于W上例子，例如，支撑片或剥离片的 剥离也可W在保护膜形成层的热固化后和/或光固化后进行，还可W在切割后进行。
[0229] 需要说明的是，支撑片或剥离片的剥离在切割后进行时，支撑片或剥离片能够起 到切片的作用。
[0230] 另外，也可W在保护膜形成层固化前进行切割，对未固化的带有保护膜形成层的 忍片进行加工，然后使该忍片的保护膜形成层热固化和/或光固化，从而制造带有固化保护 膜的忍片。
[0231 ]实施例
[0232] W下的实施例及比较例中使用的成分的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)是通过 W下所示的方法测得的值，丙締酸类共聚物的玻璃化转变溫度是用W下所示的方法算出的 值。
[0233] <重均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn) >
[0234] 使用凝胶渗透色谱装置（东曹株式会社制造、产品名巧LC-8220GPC")在下述条件 下进行测定，使用换算成标准聚苯乙締的值。
[0235] (测定条件）
[0236] ?色谱柱："TSK guard column "TSK gel GMHXU X 2)" "TSK gel G2000HX1；'（均为东曹株式会社制造）
[0237] ?柱溫:40°C
[023引 ?洗脱溶剂：四氨巧喃
[0239] ?流速：1. OmL/分
[0240] <玻璃化转变溫度(Tg) >
[0241] 利用上述式（1)，按照各单体成分的组成比分别W摄氏溫度rc)计算出玻璃化转 变溫度(Tg)。用于计算的各单体成分的均聚物的玻璃化转变溫度如下所示。
[0242] ?丙締酸正下醋(BA):-54°C
[0243] .丙締酸甲醋(mA):10°C
[0244] ?甲基丙締酸缩水甘油醋(GMA) :4rC
[0245] ?丙締酸2-径基乙醋化EA):-15°C
[0246] <各成分的平均粒径、长径比>
[0247]使用甲乙酬作为分散介质制备固体成分浓度5质量％的各成分的分散液，使用该 分散液，利用激光衍射散射式粒度分布测定装置(株式会社堀场制作所制造、产品名"LA-920") 测定各成分的粒子的平均粒径 (长轴数均粒径) 和长径比 （ 长轴数均粒径 / 短轴数均粒 径)。
[024引实施例1~6和比较例1~2
[0249] (1)保护膜形成用组合物的制备
[0250] 按照表1-U1-2所示的种类和配合量配合各成分，并加入甲乙酬溶液，使得有效成 分浓度为61质量％，得到了保护膜形成用组合物的溶液。
[0251] 需要说明的是，表1-1中记载的各成分的配合量表示的是相对于作为保护膜形成 用组合物中的树脂成分的"聚合物成分"与"固化性树脂"的总计200质量份(有效成分），各 成分的质量比（有效成分比）。另外，表1-2中记载的各成分的配合量表示的是保护膜形成用 组合物的总量(有效成分:100质量％)中的各成分的含量(有效成分比）。
[0252] 运里，"有效成分"是指对象物中含有的水和有机溶剂W外的成分。
[0253] 下述表1-1、1-2中记载的实施例及比较例所使用的各成分如下所述。
[0巧4] <聚合性成分>
[02W] ? "A-r:使丙締酸正下醋(BA)55质量份、丙締酸甲醋(MA)IO质量份、甲基丙締酸 缩水甘油醋(GM