u-Bi、Sn-Cu-Zn、Sn-Bi-Zn、Sn-Ag-Ce 或 它们的组合。
[0074] 第二凸点结构50B可W在半导体基底10的第二区SB上设置在纯化层32上。第 二凸点下金属OJBM)层38B中的每个可W设置在第二凸点结构50B中的对应的一个与纯化 层32之间。每个第二UBM层38B可W包括顺序地堆叠在纯化层32上的第二阻挡层34B和 第二种子层36B。第二阻挡层34B和第一阻挡层34A可W包括相同的材料并具有相同的厚 度。第二种子层36B和第一种子层36A可W包括相同的材料并具有相同的厚度。第二阻挡 层34B和第二种子层36B可W具有在第一方向Dl上的相同的水平宽度。在一些实施例中， 每个第一 UBM层38A的水平宽度可W大于每个第二UBM层38B的水平宽度。在其他的实施 例中，每个第一 UBM层38A的水平宽度可W基本上等于每个第二UBM层38B的水平宽度。 [00巧]第二凸点结构50B中的每个可W包括第二柱状凸点层4她和第二焊料凸点层48B。 每个第二凸点结构50B的竖直高度50BH可W小于每个第一凸点结构50A的竖直高度50AH。 每个第二凸点结构50B的竖直高度50BH可W是从第二柱状凸点层46B的底表面到第二焊 料凸点层48B的顶端52B的最大距离。每个第二凸点结构50B的竖直高度50BH可W是例 如大约15 Ji m至大约90 Ji m。
[0076] 第二柱状凸点层46B可W与第二UBM层38B接触并可W设置在其上。第二柱状凸 点层46B可W与第二种子层36B接触。在一些实施例中，第一柱状凸点层46A和第二柱状 凸点层46B可W具有相同的厚度并可W包括相同的材料。如图IC所示，第二柱状凸点层 4她可W具有在第一方向Dl上的第一水平宽度46BW1和在第二方向D2上的第二水平宽度 46BW2。第一水平宽度46BW1可W小于第二水平宽度46BW2。在一些实施例中，第一水平宽 度46BW1可W基本上等于第二水平宽度46BW2。第二柱状凸点层4她可W具有与第一柱状 凸点层46A基本上相同的尺寸。在一些实施例中，第二柱状凸点层46B可W具有与第一柱 状凸点层46A不同的尺寸。例如，第二柱状凸点层46B可W具有小于第一柱状凸点层46A 的尺寸。目P，第二柱状凸点层46B的第一水平宽度46BW1可W小于第一柱状凸点层46A的 第一水平宽度46AW1，第二柱状凸点层46B的第二水平宽度46BW2可W小于第一柱状凸点 层46A的第二水平宽度46AW2。当在平面图中观看时，第二柱状凸点层46B可W具有圆形形 状、楠圆形形状或者诸如四边形或八边形的多边形形状。当在平面图中观看时，第一柱状凸 点层46A的形状和第二柱状凸点层46B的形状可W基本上相同。例如，如图IC所示，第一 柱状凸点层46A的形状和第二柱状凸点层46B的形状可W是基本上四边形形状。在一些实 施例中，第一柱状凸点层46A的形状和第二柱状凸点层46B的形状在平面图中可W基本上 彼此不同。例如，如图ID所示，第一柱状凸点层46A的形状可W具有四边形形状，而第二柱 状凸点层46B的形状可W具有八边形形状。
[0077] 第二焊料凸点层48B可W设置在第二柱状凸点层4她上。第二焊料凸点层48B可 W具有大于第二柱状凸点层4她的尺寸。第二焊料凸点层48B可W具有珠子形状。第二焊 料凸点层48B可W具有与第一焊料凸点层48A基本上相同的竖直高度和形状。在一些实施 例中，第二焊料凸点层48B的最大竖直高度48BH可W是第二柱状凸点层46B的厚度46BH 的大约1. 5倍至3倍大。如图IC所示，第二焊料凸点层48B可W具有在第一方向Dl上的 第一最大水平宽度48BW1和在第二方向D2上的第二最大水平宽度48BW2。第一最大水平 宽度48BW1可W小于第二最大水平宽度48BW2。在一些实施例中，第一最大水平宽度48BW1 可W基本上等于第二最大水平宽度48BW2。在一些实施例中，第二焊料凸点层48B的尺寸可 W基本上等于或小于第一焊料凸点层48A的尺寸。第二焊料凸点层48B可W包括与第一焊 料凸点层48A基本上相同的焊接材料。
[0078] 在根据发明构思的示例实施例的半导体装置110中，第一凸点结构50A的顶端52A 和第二凸点结构50B的顶端52B可W基本上位于同一水平。目P，导电垫30的顶表面中的每 个与纯化层32的顶表面之间的阶梯差可W通过每个第一凸点结构50A的基体凸点层40的 厚度来补偿。因此，每个第一焊料凸点层48A的顶端和每个第二焊料凸点层48B的顶端可 W基本上位于同一水平。
[0079] 图2A是示出了根据发明构思的一些示例实施例的包括半导体装置的半导体封装 的剖视图，图2B是示出了图2A的部分PA的放大剖视图，图2C和图2D是示出了用于在半 导体装置的凸点结构和封装基底之间形成互连的方法的剖视图。
[0080] 参照图2A至图2D，根据发明构思的示例实施例的半导体封装210可W包括封装 基底80、包括凸点结构50并安装在封装基底80上的半导体装置110 W及覆盖半导体装置 110的模制层88。封装基底80可W包括连接到半导体装置110的凸点结构50的基底垫 (或称为"基底焊盘"）82和用于与外部装置的电连接的导电端子84。基底垫82可W设置 在封装基底80表面上并可W包括第一基底垫82A和第二基底垫82B。第一基底垫82A可 W设置在封装基底80的中屯、区域中，第二基底垫82B可W设置在封装基底80的外围区域 中。封装基底80可W是其中包括导线的印刷电路板（PCB)。模制层88可W覆盖半导体装 置110。在一些实施例中，模制层88可W填充半导体装置110和封装基底80之间的空间。 例如，模制层88可W是环氧模塑料（EMC)。在其他实施例中，半导体装置110和封装基底 80之间可W形成底填层86。例如，底填层86可W是非导电膏（NCP)或非导电膜（NCF)。
[0081] 半导体装置110可W W倒装忍片键合的方式安装在封装基底80上。如图2C所示， 半导体装置110可W W面朝下的状态安装在封装基底80上，使得凸点结构50面对封装基 底80,从而将第一凸点结构50A的第一焊料凸点层48A连接到第一基底垫82A，将第二凸点 结构50B的第二焊料凸点层48B连接到第二基底垫82B。随后，可W通过焊接工艺将第一凸 点结构50A的第一焊料凸点层48A和第二凸点结构50B的第二焊料凸点层48B接合到第一 基底垫82A和第二基底垫82B。因此，半导体装置110可W电连接到封装基底80。还可W 在基底垫82的每个上形成润湿层92,所W可W增强第一焊料凸点层48A和第二焊料凸点层 48B与第一基底垫82A和第二基底垫82B之间的接合强度。润湿层92可W包括例如Au或 Au合金。在一些实施例中，润湿层92可W不形成在基底垫82上。
[0082] 在其他实施例中，如图2D所示，可在封装基底80和面朝下的半导体装置110之间 提供底填层86来覆盖凸点结构50和基底垫82,并可W热压半导体装置110来将第一焊料 凸点层48A和第二焊料凸点层48B接合到第一基底垫82A和第二基底垫82B。因为第一凸 点结构50A的顶端和第二凸点结构50B的顶端可W基本上位于同一水平，所W第一凸点结 构50A和第二凸点结构50B可W稳定地接合到第一基底垫82A和第二基底垫82B，而不存在 缺陷。结果，可W提高半导体封装210的可靠性和良率。
[0083] 半导体装置110可W使用平坦地（或均一地）设置在半导体基底10上的凸点结 构50牢固地安装在封装基底80上，并可W电连接到封装基底80。第一凸点结构50A可W 电连接到封装基底80,所W可W通过第一凸点结构50A来在半导体装置110和封装基底80 之间交换电信号。第二凸点结构50B可W不电连接到封装基底80。然而，第二凸点结构50B 可W用作支撑物，W防止在倒装忍片键合工艺下半导体装置110向一侧倾斜。此外，第二凸 点结构50B可W用作传热路径，使得从半导体装置110产生的热可W通过第二凸点结构50B 传递到封装基底80。因此，半导体封装210可W具有提高的热和/或机械耐久性。在一些 实施例中，半导体封装210可W包括W倒装忍片键合的方式安装在封装基底80上的多个半 导体装置110,从而可W实现高堆积密度。在一些实施例中，半导体装置110的凸点结构50 可W连接到插入物或另一个半导体装置。
[0084] 图3A是示出了根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的剖视图，图3B是 示出了图3A的部分OB的放大剖视图，图3C是示出了如图3B所示的凸点结构的平面图。
[0085] 在下面，为了易于解释和便于解释的目的，将省略或简要地提及对与在图IA至图 IF中示出的实施例中所描述的元件相同的元件的描述。
[0086] 参照图3A至图3C，根据发明构思的示例实施例的半导体装置120可W包括集成电 路层20、导电垫30、纯化层32和凸点结构50。在一些实施例中，如图IF所示，半导体装置 120可W包括至少一个基底贯穿孔70。基底贯穿孔70可W电连接到导电垫30中的对应的 一个。
[0087] 导电垫30可W电连接到图IE和图IF中示出的导线28。例如，导电垫30可W W 矩阵方式布置。在一些实施例中，导电垫30可W设置在半导体基底10的边缘区域和/或 中屯、区域上。
[0088] 当在平面图中观看时，每个导电垫30可W具有圆形形状、楠圆形形状或四边形形 状。每个导电垫30可W包括金属。例如，每个导电垫30可W包括Al或化。
[0089] 纯化层32可W覆盖集成电路层20并可W暴露导电垫30。例如，纯化层32可W包 括暴露导电垫中的每个的第一开口 33。第一开口 33可W具有正向地倾斜的侧壁。第一开 口 33可W具有在第一方向Dl上的第一水平宽度33W1和在第二方向D2上的第二水平宽度 33W2〇
[0090] 凸点结构50中的每个可W设置在导电垫30中的对应的一个上。凸点结构50可 W通过导电垫30电连接到集成电路层20的导线28 (参照图IE和图1F)。因此，输入/输 出信号可W通过凸点结构50。凸点结构50可W用作传热路径。
[0091] 每个凸点下金属扣BM)层38可W设置在导电垫30中的对应的一个和凸点结构50 中的对应的一个之间。每个UBM层38可W包括顺序地堆叠在导电垫30中的对应的一个上 的阻挡层34和种子层36。每个UBM层38可W共形地设置在第一开口 33中。每个UBM层 38可W在纯化层32的顶表面35上方延伸。
[0092] 每个凸点结构50可W填充第一开口 33的至少一部分并可W沿第S方向D3延伸。 每个凸点结构50可W包括顺序地堆叠在导电垫30的对应的一个（例如，UBM层的对应的 一个）上的基体凸点层40、柱状凸点层46和焊料凸点层48。每个凸点结构50的竖直高度 50H可W是从基体凸点层40的底表面到焊料凸点层48的顶端（即，凸点结构50的顶端52) 的最大距离。例如，每个凸点结构50的竖直高度50H可W是大约26 ym至95 ym。 W93] 基体凸点层40可W设置在UBM层38上并可W与UBM层38接触。基体凸点层40 可W包括基体部分40A和突出部分40P。基体部分40A可W是填充第一开口 33的至少一部 分的区域，突出部分40P可W是从基体部分40A的边缘区域向上延伸的区域。例如，突出部 分40P可W与第一开口 33的内侧壁处相邻地设置。突出部分40P可W在纯化层32的顶表 面35上远离第一开口 33的中屯、延伸，或者可W在UBM层38的顶表面39上远离第一开口 33的中屯、延伸。基体凸点层40的厚度40H可W对应于基体部分40A的厚度。例如，基体凸 点层40的厚度40H可W是大约1 y m至5 y m。在一些实施例中，基体凸点层40的厚度40H 可W与纯化层32的厚度32H相同或相似。在其他实施例中，基体凸点层40的厚度40H可 W小于纯化层32的厚度32H。因此，突出部分40P的一部分可W低于纯化层32的顶表面 35。例如，突出部分40P的一部分可W在第一开口 33中。在又一实施例中，基体凸点层40 的厚度40H可W大于纯化层32的厚度32H。例如，基体部分40A的一部分可W在第一开口 33上方。
[0094] 基体凸点层40可W具有茶碟形状。例如，基体凸点层40可W具有圆茶碟形状、楠 圆茶碟形状或多边茶碟形状，例如四边形茶碟形状或八边形茶碟形状。当在如图3C所示的 平面图中观看时，基体凸点层40可W具有在第一方向Dl上的第一水平宽度40W1和在第二 方向D2上的第二水平宽度40W2。第一水平宽度40W1可W小于第二水平宽度40W2。在一 些实施例中，第一水平宽度40W1和第二水平宽度40W2可W基本上相同。基体凸点层40可 W完全覆盖被第一开口 33暴露的导电垫30 W保护导电垫30不暴露于外部环境。在一些 实施例中，当在平面图中观看时，基体凸点层的面积不小于导电垫的面积，使得基体凸点层