切割片的利记博彩app

文档序号:9621117阅读:770来源:国知局
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【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种在半导体封装等的切割中使用的切割片。
【背景技术】
[0002] 作为半导体装置的一般制造方法,采用如下方法:将半导体晶圆等半导体衬底切 割成单个芯片,拾取所得到的芯片后安装在引线框架上,并在利用焊线将两者连接之后,利 用树脂进行密封。
[0003] 在从上述切割工序到拾取工序的工序中,使用在基材薄膜上形成有粘合剂层而成 的切割片。在该切割片中,为使在切割工序中能够牢固地粘合作为被粘物的半导体衬底,并 且在拾取工序中能够拾取芯片,粘合剂层由粘合性由于紫外线以及电子束等能量线的照射 而降低的材料构成。此外,根据需要,在切割工序之后,为了使芯片易于拾取,应该扩大芯片 间距,但切割片有时会扩张。在上述工序中,切割片通常被粘合、固定在环形框架上。作为 所述切割片,众所周知的是在专利文献1中所述的切割片。
[0004] 另一方面,作为近年来半导体装置的制造方法,例如CSP (Chip Size Package)等 小型半导体装置的制造方法,还采用在衬底上安装多个半导体芯片并用树脂成型模具的一 个型腔覆盖而进行树脂密封,并在形成外部端子而制造出半导体封装之后,通过封装切割 将其切割为多个部件(以下还称为"模具芯片(? 一少卜''爹y 7° ) ")的方法。
[0005] 在切割片的被粘物为半导体封装的情况下,与将半导体晶圆等半导体衬底作为被 粘物的情况相比,被粘面的表面粗糙度较大,并且通常的封装材料含有脱模剂。因此,若将 旨在将半导体衬底等作为被粘物的切割片换做将半导体封装作为被粘物的切割片使用,则 有时对被粘物的粘合力不足。
[0006] 如果对被粘物的粘合力不足,则在切割半导体封装的过程中,可能会产生被切割 成单个的模具芯片从切割片上脱落而飞溅的问题(芯片飞溅)。
[0007] 因此,为了提高如上所述的对半导体封装的粘合力,以往以来,将切割片的粘合剂 层厚度设为30 μ m以上。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本专利文献特开2009-64975号公报

【发明内容】

[0011] 本发明要解决的技术问题
[0012] 此处,在切割半导体封装时,不仅半导体封装,在其上粘贴的切割片的粘合剂层也 被刮板(y b -卜'')切割,并且在如上所述那样粘合剂层较厚的情况下,被刮板切除的粘合 剂层的量增多,存在由构成该被切除的粘合剂层的粘合剂等成分形成的聚集物(在本说明 书中称为"粘合剂聚集物")容易附着在模具芯片端部的倾向。如果这样的粘合剂聚集物残 留在模具芯片上,则容易产生模具芯片彼此或者模具芯片与其他部件通过该粘合剂聚集物 粘合在一起等问题。
[0013] 尤其在切割半导体封装的情况下,由于使用比在切割半导体晶圆等半导体衬底时 使用的刮板更厚的刮板,因此容易形成上述粘合剂聚集物。所以,增加了产生基于粘合剂聚 集物附着在模具芯片上的问题的可能性。
[0014] 此外,根据切割片的粘合剂层的材料,为了拾取工序,在通过对粘合剂层照射能量 线而使切割片的粘合力下降时,有时粘合力下降过低。在这种情况下,在拾取时用销(匕° >)等推举芯片的时候,有可能相邻的芯片从切割片上脱落。
[0015] 本发明是鉴于如上所述的实际情况而完成的,其目的在于,提供一种切割片,在将 如半导体封装那样表面粗糙度大的工件作为被粘物时,在照射能量线之前具有充分的粘合 力,在照射能量线之后仍具有适度的粘合力,并且很难产生粘合剂聚集物。
[0016] 解决技术问题的技术手段
[0017] 为了达到上述目的,第1方面,本发明提供一种切割片,其特征在于,将表面的算 术平均粗糙度(Ra)为0. 1 μπι以上的工件作为被粘物,所述切割片具备:基材;以及粘合 剂层,其层叠在所述基材的至少一个面上;所述粘合剂层由含有丙烯酸类聚合物(Α)以及 多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(Β)的粘合剂组合物形成,所述多官能丙烯酸酯类 能量线聚合性化合物(Β)是在lg该多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(Β)中具有 0. 004~0. 009摩尔的聚合性官能团,所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)占所 述丙烯酸类聚合物(A)及所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)的总量的比例为 20~65质量%,所述粘合剂层的厚度为2~20 μ m(发明1)。
[0018] 在上述发明(发明1)的切割片中,多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)具 有上述量的聚合性官能团,并且多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)的比例在上述 范围内,由此,即使在将如半导体封装那样表面粗糙度较大的工件作为被粘物时,在照射能 量线之前也具有充分的粘合力,即使在照射能量线之后,仍具有适度的粘合力,并且很难产 生粘合剂聚集物。
[0019] 在上述发明(发明1)中,所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)占所述 丙烯酸类聚合物(A)及所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)的总量的比例与lg 所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)中所含有的聚合性官能团的摩尔数的乘 积优选为〇. 1~〇. 48 (发明2)。
[0020] 在上述发明(发明1、2)中,根据所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B) 的分子结构而确定的分子量优选为400~2000(发明3)。
[0021] 在上述发明(发明1、2)中,所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)优选 为选自由(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物、(甲基)丙烯酸与异氰脲酸(4 yシ少 酸)的酯化物、以及它们的改性物构成的组中的至少一种(发明4)。
[0022] 在上述发明(发明1、2)中,所述多官能丙烯酸酯类能量线聚合性化合物(B)优选 为选自由双季戊四醇六丙烯酸酯的改性物、异氰脲酸三丙烯酸酯(4 Vシ少酸卜y 7 夕y u-卜)的改性物以及双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯构成的组中的至少一种(发明5)。
[0023] 在上述发明(发明1~5)中,所述粘合剂层在照射能量线之前的23°C下的储能模 量优选为12~45kPa(发明6)。
[0024] 在上述发明(发明1~6)中,优选的是,被粘面为由京瓷化学公司制造的 KE-G1250构成的平面,将该被粘面的算术平均粗糙度(Ra)为2μπι的部件作为被粘物,施 加 lkg重的负荷粘贴切割片,在23°C、50% RH的气氛下放置20分钟之后,将所测定的切割 片的粘合力作为照射能量线之前的粘合力,以与前述同样的条件在所述被粘物上粘贴切割 片,然后在23°C、50 % RH的气氛下放置20分钟,并在氮气气氛下,将紫外线作为照射能量线 以照度230mW/cm2、光量(日语:光量)190mJ/cm2照射之后,将所测定的切割片的粘合力作 为照射能量线之后的粘合力时,所述照射能量线之后的粘合力相对于所述照射能量线之前 的粘合力的比为〇· 06~0· 5(发明7)。
[0025] 在上述发明(发明1~7)中,所述工件优选为半导体封装(发明8)。
[0026] 发明效果
[0027] 根据本发明的切割片,即使在将如半导体封装那样表面粗糙度较大的工件作为被 粘物时,由于在照射能量线之前具有充分的粘合力,仍能够抑制芯片飞溅的发生。此外,由 于在照射能量线之后仍具有适度的粘合力,因此,即使在拾取时用销等推举芯片的时候,也 能够抑制相邻的芯片从切割片上脱落。此外,由于很难产生粘合剂聚集物,因此能够抑制由 粘合剂聚集物产生的问题。
【附图说明】
[0028] 图1为本发明一实施方式的切割片的截面图。
【具体实施方式】
[0029] 以下,对本发明的实施方式进行说明。
[0030] 图1为本发明一实施方式的切割片的截面图。本实施方式的切割片1具有:基材 2 ;粘合剂层3,其层叠于基材2的一个面上(在图1中为上侧的面)。
[0031] 本实施方式的切割片1的被粘物是表面的算术平均粗糙度(Ra)为0. 1 μ m以上的 工件,优选为〇. 5~10 μ m的工件,更加优选为1~6 μ m的工件。如上所述一样具有较粗糙 表面的工件与半导体晶圆等半导体衬底(例如,硅镜面晶圆(通常Ra为0.005 μ m左右)) 相比较,存在在粘贴有切割片时不能发挥充分的固定性能的倾向。作为所述工件,具有例如 半导体封装、设有使背面保护薄膜固化而成的保护膜的带保护膜晶圆等,尤其优选为半导 体封装。另外,半导体封装是将在衬底上安装多个半导体芯片而成的部件进行一次性树脂 密封的电子部件组合件。
[0032] 1.基材
[0033] 本实施方式的切割片1的基材2只要在切割工序之后进行的扩张工序等中不断 裂,其构成材料就不受特别限定,通常由将树脂类材料作为主要材料的薄膜构成。作为该薄 膜的具体例,可以例举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、 乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯类共聚物薄膜;低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、线性 低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜,聚丙烯薄膜、聚丁烯 薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯树脂薄膜等 聚烯烃类薄膜;聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯类薄膜;聚对苯二甲酸乙二 酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜等聚酯类薄膜;聚氨酯薄膜;聚酰亚胺薄膜;聚苯乙烯薄 膜;聚碳酸酯薄膜;氟树脂薄膜等。此外,还可以使用诸如他们的交联薄膜、离聚物薄膜等 之类的改性薄膜。上述基材2可以是由他们中的一种形成的薄膜,此外还可以是组合了他 们中的两种以上的层叠薄膜。另外,本说明书中的"(甲基)丙烯酸"是指丙烯酸以及甲基 丙烯酸两者。关于其他类似用语,也相同。
[0034] 构成基材2的薄膜优选为具有乙烯类共聚物薄膜以及聚烯烃类薄膜中的至少一 种。乙烯类共聚物薄膜通过改变其共聚合比等而很容易在广泛的范围内控制其机械特性。 因此,具有乙烯类共聚物的基材2很容易满足作为本实施方式的切割片1的基材所要求的 机械特性。此外,由于乙烯类共聚物薄膜对粘合剂层3的粘附性较高,因此在作为切割片使 用时,很难在基材2与粘合剂层3之间的界面上发生剥离。
[0035] 乙烯类共聚物薄膜及聚烯烃类薄膜对作为切割片的特性造成不良影响的成分 (例如,在聚氯乙烯类薄膜等中,在该薄膜中含有的塑化剂从基材2转移到粘合剂层3,进一 步分布到粘合剂层3的与面向基材2的一侧相反的面上,有时会降低对切割片1的被粘物 的粘合力)含量较少,因此很难产生对切割片1的被粘物的粘合力下降等问题。即,乙烯类 共聚物薄膜及聚烯烃类薄膜具有优异的化学稳定性。
[0036] 基材2可以在上述以树脂类材料为主要材料的薄膜内含有颜料、阻燃剂、塑化剂、 抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料,可以列举出例如二氧化钛、炭黑等。另 外,作为填充剂,可以列举出如三聚氰胺树脂这样的有机类材料、如煅制二氧化硅这样的无 机材料以及如镍颗粒这样的金属类材料。虽然没有特别限定这些添加剂的含量,但应该限 制在基材2可以发挥所需的功能且不失去光滑性及柔软性的范围内。
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