圈121的最大宽度《2。具体而 言，具有最大宽度wl的第二延伸部212分别对齐具有最大宽度w2的第一延伸部1212。此 外，内圈121的厚度为1mm至9mm之间，且内圈121的厚度可相同或相异于子元件21的厚 度。如图5所示，本体10包含一面对且支撑外圈（图未示）以及内圈（图未示）的上表面 123。各承载舟13包含一顶面131以及一环绕顶面131的边缘132。各晶片是以坐落于顶 面131且被边缘132环绕的方式分别放置在承载舟13上。各子元件21的厚度21相等或 小于边缘132自上表面123开始量测的高度H。例如，各子元件21的厚度为1_至9_之 间，边缘132的高度Η为1mm至12mm之间。内圈121的材料包含蓝宝石（sapphire)、氮化 硼（boronnitride)、石英（quartz)、碳化石圭（siliconcarbide)或石墨（graphite) 〇
[0035] 图6为本发明一实施例的承载盘的示意图。如图6所示，本体10还包含一第一定 位结构124,第一定位结构124形成于本体10的上表面123上且对应于子元件21的位置。 各子兀件21包含一面对本体10的上表面123的第一表面213、一相对于第一表面213第二 表面214以及一形成于第一表面213上且与第一定位结构124结合的第二定位结构215。 第一定位结构124与第二定位结构215可使子元件21稳固地与本体10连接。在一实施例 中，第一定位结构124包含多个凸部125,各凸部125自上表面123凸出，第二定位结构215 包含多个凹槽216,各凹槽216内凹成形于第一表面213,各凹槽216分别与其中一凸部125 接合。各凹槽216的深度小于第一表面213至第二表面214的距离，故当子元件21与本体 10连接时，子元件21会覆盖凸部125。因此，在一化学气相沉积系统中，沉积物不会沉积于 凹槽216以及凸部125周围。在一实施例中，如图4所示，多个凸部125也形成于上表面 123上对应于内圈121的位置，多个凹槽（图未示）内凹成形于内圈121的一面对上表面 123的表面，各凹槽分别与其中一凸部125结合。
[0036] 在一化学气相沉积系统中，使用一现有技术的承载盘形成对照样品1、2以及3的 管芯，并使用本发明公开的承载盘形成样品1至10的管芯。结果如表1所示。
[0037] 表1.对照样品1、2、3以及样品1至10的结果
[0038]
[0039] 由表1可得知，样品1至样品10的良率都高于对照样品1至3的良率，且样品1至 样品10的亮度不合格以及波长不合格的百分比都分别低于对照样品1至3的亮度不合格 以及波长不合格的百分比，因此样品1至样品10的结果明显较对照样品1至3的结果佳。 故，本发明公开的承载盘有利于成长具有优选的品质以及较高良率的外延层。
[0040] 图7为本发明一实施例的承载盘的示意图。如图7所示，在本实施例中，承载盘还 包括多个放置且分布于外圈20以及本体10之间的垫片40。各垫片40包含有一通孔41， 各通孔41分别与第一定位结构124的其中一凸部125结合。垫片40的材料包含蓝宝石 (sapphire)、氮化硼（boronnitride)、石英（quartz)、碳化石圭（siliconcarbide)或石墨 (graphite)。通过在本体10的上表面123以及子元件21之间堆叠多垫片40,可调整自本体 10的上表面123至子元件21的第二表面214的高度。此外，如图4所示，垫片也可设置于 本体10与内圈121之间以调整本体10与内圈121之间的间距。在一化学气相沉积系统中， 使用一现有技术的承载盘以及三个本发明的不同实施例的承载盘成长外延层，并比较最后 制成的管芯的波长均匀性。三个本发明的不同实施例的承载盘中，第一个承载盘不包含垫 片40,第二个承载盘包含多个凸部125且各凸部125与一垫片40结合，第三个承载盘包含 多个凸部125且各凸部125与两个垫片40结合。形成于现有技术的承载盘、第一、第二以 及第三个承载盘上的外延层，个别的波长分布的标准差分别为〇. 248%、0. 152%、0. 184% 以及0. 198%。故，由上述数据可得知，由于本发明揭示的承载盘有利于均匀加热，因此使用 本发明公开的承载盘制得的管芯具有优选的波长均匀性。
[0041] 图8为本发明一实施例的承载盘的示意图。图9为本发明一实施例的子元件22 的示意图。图10为本发明一实施例的承载盘的局部放大图。如图8以及图9所示，在本实 施例中，各子元件22包含一外缘223,两个相对的端部221，以及两个第二延伸部222,其中 各第二延伸部222径向地自外缘223向内圈121以及穿孔11延伸且位于两个端部221之 间。如图10所示，任意一承载舟13的部分被其中一子元件22环绕。连续的三个承载舟13 之中，位于中间的承载舟13是部分的介于两个第二延伸部222之间，其他两个承载舟13是 部份的被端部221围绕。单一子元件21并不完全地环绕任一承载舟13。各子元件22的 两个第二延伸部222对齐内圈121的其中两个第一延伸部1212,因此子元件22与内圈121 将各承载舟13与其他的承载舟13分离。各子元件22的外缘223的曲率大致上吻合本体 10的外侧1221的曲率。
[0042] 图11为本发明一实施例的承载盘的示意图。图12为本发明一实施例的子元件23 的示意图。如图11以及图12所示，在本实施例中，各子元件23包含一外缘231以及两个 位于两端且径向的自外缘231向内圈121以及穿孔11延伸的第二延伸部232。如图11所 示，各子元件23与部分的其中一承载舟13相邻。各子元件23的两个第二延伸部232对齐 内圈121的其中两个第一延伸部1212,因此子元件23与内圈121将各承载舟13与其他的 承载舟13分离。
[0043]以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟悉此项技术 的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以之限定本发明的专利范围，即大凡依 本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。
【主权项】
1. 一承载盘，包含： 本体； 多个分布在该本体上用于承载晶片的承载舟； 与该本体连接的内圈；以及 可自该本体拆卸且与该内圈分离的外圈； 其中该内圈以及该外圈将该些承载舟彼此分离。2. 如权利要求1所述的承载盘，其中该外圈包含多个具有相同结构且彼此分离并可自 该本体拆卸的子元件。3. 如权利要求2所述的承载盘，其中各子元件包含一朝向内圈延伸的第二延伸部。4. 如权利要求3所述的承载盘，其中该内圈包含多个朝向外圈延伸的第一延伸部。5. 如权利要求4所述的承载盘，其中各第二延伸部分别对齐其中一第一延伸部。6. 如权利要求4所述的承载盘，其中该多个子元件中其中一子元件具有一最大宽度， 且该子元件的第二延伸部具有该最大宽度，其中该内圈具有一最大宽度，该多个第一延伸 部中其中一第一延伸部具有该内圈的最大宽度，具有该内圈的最大宽度的该第一延伸部对 齐该具有该子元件的该最大宽度的该第二延伸部。7. 如权利要求2所述的承载盘，其中该本体为一具有一径向宽度的环形圈，其中该多 个子元件中其中一子元件具有一小于该径向宽度的最大宽度。8. 如权利要求2所述的承载盘，其中各承载舟包含一顶面以及一环绕该顶面且具有一 高度的边缘，该本体包含一支撑该外圈以及该内圈的上表面，该多个子元件中其中一子元 件包含一厚度，该厚度不大于该边缘的高度。9. 如权利要求1所述的承载盘，其中该外圈与部分的每一承载舟相邻。10. 如权利要求1所述的承载盘，其中该外圈以及该内圈实质上环绕各承载舟。
【专利摘要】本发明公开一种承载盘，包含︰一本体；多个分布在本体上用于承载晶片的承载舟；一与本体连接的内圈；以及一可自本体拆卸且与内圈分离的外圈；其中内圈以及外圈将承载舟彼此分离。
【IPC分类】H01L21/673
【公开号】CN105280534
【申请号】CN201410617600
【发明人】黄源宏, 黄崇桂
【申请人】晶元光电股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年11月5日
【公告号】US9396983, US20150348822