承载盘的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种承载盘，特别是涉及一种用于外延成长系统的承载盘。
【背景技术】
[0002] 随着科技日新月异，半导体光电元件在资讯的传输以及能量的转换上占有极大的 贡献。例如，半导体光电元件可应用于许多不同的系统，包括光纤通讯、光学存储及军事系 统等。一般现有的半导体光电元件的制作工艺包含提供晶片、外延成长、薄膜成长、扩散 \离子注入、黄光步骤以及蚀刻等步骤。
[0003] 在上述各种制作过程之中，外延成长步骤大多是通过化学气相沉积（chemical vapordeposition，CVD)系统或分子束外延（molecularbeamepitaxy，MBE)系统进行生 长。其中，化学气相沉积系统由于生产速率较快，一般较常为业界所采用。在化学气相沉积 系统中成长外延层时，会搭配承载盘以承载晶片。在成长外延层的过程中，沉积物会累积在 承载盘的表面上。在承载盘使用一定的次数后，需要移除沉积物以避免后续成长外延层时， 降低外延层的品质。其中一种移除沉积物的方法是敲打承载盘的表面以连同沉积物一同剥 除承载盘最外层的表面。然而，此种方法易损坏承载盘的表面且会逐渐降低承载盘的厚度， 因此考虑到外延层的品质，损坏的承载盘便无法再使用，导致汰换承载盘的费用非常可观。 另一种移除沉积物的方法是烘烤承载盘，然而此种方式十分耗时，烘烤一次需花八小时左 右，且承载盘于烘烤时，便无法用于成长外延层，因此造成生产率大幅下降。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一承载盘，包含：一本体；多个分布在本体上用于承载晶片的承载舟； 一与本体连接的内圈；以及一可自本体拆卸且与内圈分离的外圈；其中内圈以及外圈将承 载舟彼此分离。
[0005] 底下通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技 术内容、特点及其所达成的功效。
【附图说明】
[0006] 图1为本发明一实施例的承载盘的示意图；
[0007] 图2为本发明一实施例的承载盘的分解图；
[0008] 图3为本发明一实施例的子元件的示意图；
[0009] 图4为本发明一实施例的承载盘的分解图；
[0010] 图5为本发明一实施例的承载盘的侧视图；
[0011] 图6为本发明一实施例的承载盘的示意图；
[0012] 图7为本发明一实施例的承载盘的示意图；
[0013] 图8为本发明一实施例的承载盘的示意图；
[0014] 图9为本发明一实施例的子元件的示意图；
[0015] 图10为本发明一实施例的承载盘的局部放大图；
[0016] 图11为本发明一实施例的承载盘的示意图；
[0017] 图12为本发明一实施例的子元件的示意图。
[0018] 符号说明
[0019] 10 :本体 13:承载舟
[0020] 121:内圈 20 :外圈
[0021] 11 :穿孔 1211:内侧
[0022] W:径向宽度 1212:第一延伸部
[0023] 21，22, 23:子元件 211，223, 231:外缘
[0024] 212, 222, 232第二延伸部 wl，w2:最大宽度
[0025] 301:孔洞 123:上表面
[0026] 131:顶面 132:边缘
[0027]H:高度 124:第一定位结构
[0028] 213:第一表面 214:第二表面
[0029] 215:第二定位结构 125:凸部
[0030] 216:凹槽 40:垫片
[0031] 41:通孔 221:端部
【具体实施方式】
[0032] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附 图作详细说明如下。在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未 绘示或描述的元件，可以是熟悉此技术的人士所知的形式。本发明所列举的各实施例仅用 以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰 或变更都不脱离本发明的精神与范围。
[0033] 图1为本发明一实施例的承载盘的示意图。图2为本发明一实施例的承载盘的分 解图。如图1以及图2所示，本发明一实施例的承载盘包含一本体10、多个在本体10上呈 圆形分布且彼此分离的承载舟13、一与本体10连接的内圈121，以及一可自本体10拆卸且 与内圈121分离的外圈20,其中承载舟13用于承载晶片。在本实施例中，本体10包含一穿 孔11以及一环绕穿孔11的内侧1211，因此，本体10为一具有一径向宽度W的环形圈。内 圈121以及外圈20将各承载舟13与其他的承载舟13分离。在本实施例中，内圈121与本 体10 -体成型，故本体10与内圈121 -体成型的部位的厚度大于本体10的其余部位的厚 度。内圈121还包含多个第一延伸部1212,各第一延伸部1212以径向朝向外圈20延伸， 且延伸方向远离穿孔11。相较于内圈121，外圈20离穿孔11较远。外圈20包含多个可自 本体10拆卸的子元件21。多个子元件21具有相同结构且彼此分离。图3为本发明一实 施例的子元件21的示意图。如图2以及图3所示，各子元件21包含一外缘211以及一第 二延伸部212,第二延伸部212以径向朝内自外缘211向内圈121以及穿孔11延伸。具体 而言，各子元件21的第二延伸部212分别对齐第一延伸部1212,因此第二延伸部212与第 一延伸部1212将各承载舟13与其他的承载舟13分离且围绕承载舟13。在本实施例中， 各子元件21的外缘211的曲率大致上吻合本体10的一外侧1221的曲率。各子元件21的 一最大宽度wl小于本体10的径向宽度W。优选的，各子元件21的最大宽度wl不大于本 体10的径向宽度W的一半。在本实施例中，各子元件21的第二延伸部212具有最大宽度 wl。各子元件21与部分的其中一承载舟13相邻，亦即，单一子元件21并不完全地环绕任 一承载舟13。具体而言，各子元件21与两个承载舟13相邻。此外，外圈20的材料包含蓝 宝石（sapphire)、氮化硼（boronnitride)、石英（quartz)、碳化石圭（siliconcarbide)或 石墨（graphite)。在一实施例中，外圈20的厚度大于晶片的厚度。例如，外圈20的厚度至 少是晶片的厚度的三倍。具体而言，放置于承载舟13上的一晶片其厚度为0. 2毫米（mm) 至0· 6mm之间，外圈20的各子元件21的厚度为1mm至9mm之间。在一实施例中，本发明公 开的承载盘是用于成长组成为AlGalnP的外延层，而非用于成长三族氮化物的外延层。由 于本发明公开的承载盘包含可自本体10拆卸的外圈20,在敲打外圈20以去除表面的沉积 物后，若外圈20严重受损，只需汰换受损的外圈20而不需汰换整个承载盘，因此可大幅降 低维护承载盘的成本。进一步的，因为外圈20包含多个具有相同结构的子元件21，若其中 一子元件21损坏或是累积太多沉积物，可另以一新的子元件21直接取代欲汰换的子元件 21，而不需汰换一整个外圈20,因此可进一步降低承载盘的维护成本。此外，由于可以直接 汰换单一子元件21，并不一定需要使用耗时的烘烤方法来去除沉积物，故大幅提升生产力。
[0034] 图4为本发明一实施例的承载盘的分解图。图5为本发明一实施例的承载盘的侧 视图。如图1以及图4所示，在本实施例中，内圈121可自本体10拆卸，所以内圈121可分 别与本体10和外圈20分离。内圈121包含一贯穿中心且与本体10的穿孔11对齐的孔洞 301。在本实施例中，本体10放置内圈121的部位的厚度大致相等于本体10放置外圈20 的部位的厚度。进一步的，内圈121环绕各承载舟13的一部分，因此，内圈121结合外圈20 可实质上环绕整个各承载舟13。此外，内圈121的数目小于子元件21的数目。例如，在本 实施例中，内圈121的数目为1，子元件21的数目为12。内圈121具有一最大宽度《2,最大 宽度w2小于本体10的径向宽度W。优选的，内圈121的最大宽度w2不大于本体10的径 向宽度W的一半。在本实施例中，第一延伸部1212具有内