170D，170E和170FW及反射减少 层180C，180D，180E和180F。除反射减少层180C，180D，180E和180F的位置和厚度之外，图 Ic到If具有与图化的构造大致相同的构造。因而，省略重复的描述。
[0069] 首先，参照图Ic，反射减少层180C形成在与第四子像素区域110D，即白色子像素 区域对应的阴极170C的下表面上。反射减少层180C可形成在阴极170C的下表面上，W减 少与第四子像素区域110D对应的阴极170C的第二区域172C中的反射率。
[0070] 反射减少层180C的厚度可设为能够使从阴极170A提供的电子迁移到有机发光层 的厚度。当在阴极170C的下表面上形成反射减少层180CW减小阴极170C中的反射率时， 由于反射减少层180C，来自阴极170C的电子可能不会平稳地迁移到有机发光层。因而，可 通过将反射减少层180C形成为具有小于等于大约400A的厚度，使电子从阴极170C迁移 到有机发光层。
[0071] 随后，参照图Id,反射减少层180D包括形成在阴极170D的至少一部分下表面上 的下部反射减少层181D、W及形成在阴极170D的至少一部分上表面上的上部反射减少层 182D。上述阴极170D的部分对应于除第一区域171D之外的第二区域172D。
[0072] 使用能够减少阴极170D对来自有机发光层的光的反射的材料形成下部反射减少 层181D和上部反射减少层182D。例如，诸如有机物质和氧化物之类的材料可用作下部反 射减少层181D和上部反射减少层182D。特别是，正型氧化物可用作所述氧化物。具体地 说，Mo〇3、Si化、Si〇2、IZ0等可用作下部反射减少层181D和上部反射减少层182D。下部反 射减少层181D和上部反射减少层182D具有相同的厚度。下部反射减少层181D和上部反 射减少层182D可被形成为具有大约300A到400A的相同厚度。下部反射减少层181D和 上部反射减少层182D可形成在阴极170D的上表面和下表面上，W减小阴极170D的第二区 域172D的反射率。
[0073] 随后，参照图le，下部反射减少层181E和上部反射减少层182E的厚度彼此不同， 且下部反射减少层181E的厚度大于上部反射减少层182E的厚度。下部反射减少层181E 和上部反射减少层182E可被形成为具有大约300A到400A的厚度。图1E图解了下部反 射减少层181E的厚度大于上部反射减少层182E的厚度。然而，下部反射减少层181E的厚 度可小于上部反射减少层182E的厚度。
[0074]随后，参照图If，下部反射减少层181F形成在包括至少一部分阴极170F的整个下 表面上，且上部反射减少层182F形成在至少一部分阴极170F的上表面上。例如，下部反射 减少层181F可形成在阴极的第一区域171F和第二区域172F的下表面上，上部反射减少层 182F可形成在阴极的第二区域172F，即与白色子像素区域对应的第四子像素区域110D的 上表面上。
[0075] 图2a和化是图解根据本发明各实施方式的有机发光显示器的光透射率的曲线 图。
[0076] 在图2a所示的曲线图中，X轴对应于波长，y轴对应于透射率，波长的单位为nm， 透射率为百分比值。图2a所示的曲线图中的实线曲线描绘了当使用具有150A厚度的Ag 形成阴极时与波长相对应的光透射率，图2a所示的曲线图中的虚线曲线描绘了当使用具 有150A厚度的Ag形成阴极且在阴极的表面上形成具有300A厚度的对应于正型氧化物 的IZ0时与波长相对应的光透射率。
[0077] 在图化所示的曲线图中，X轴对应于波长，y轴对应于透射率，波长的单位为nm， 透射率为百分比值。图化所示的曲线图中的细实线曲线描绘了当使用具有150A厚度的 Ag形成阴极时与波长相对应的光透射率，图2b所示的曲线图中的虚线曲线描绘了当使用 具有1 50A厚度的Ag形成阴极且在阴极的上表面和下表面上形成具有400A厚度的Mo〇3 时与波长相对应的光透射率，图化所示的曲线图中的双点线曲线描绘了当使用具有150A厚度的Ag形成阴极且在阴极的下表面上形成具有400A厚度的Mo〇3并在阴极的上表面上 形成具有400A厚度的IZ0时与波长相对应的光透射率，图化所示的曲线图中的短划线曲 线描绘了当使用具有150A厚度的Ag形成阴极且在阴极的下表面上形成具有400A厚度 的铁青铜（化Pc)并在阴极的上表面上形成具有400A厚度的IZO时与波长相对应的光透 射率，图化所示的曲线图中的粗实线曲线描绘了当使用具有150A厚度的Ag形成阴极且 在阴极的下表面上形成具有400A厚度的化化并在阴极的上表面上形成具有300A.厚度 的IZO时与波长相对应的光透射率。
[007引首先，参照图2a，当测量不具有单独的反射减少层的阴极的光透射率时（图2a的 曲线图中的实线），测量到平均大约30%到50%的光透射率。然而，当在阴极的表面上由 IZ0形成反射减少层，并测量光透射率时（图2a的曲线图中的虚线），测量到平均大约60 % 到80 %的光透射率。
[0079] 随后，参照图化，当测量不具有单独的反射减少层的阴极的光透射率时（图化的 曲线图中的细实线），测量到平均大约30%到50%的光透射率。然而，在阴极的两个表面上 形成反射减少层并测量光透射率的各情形中（图2b的曲线图中的虚线、双点线、短划线和 粗实线），测量到平均大约60%到80%的光透射率。
[0080] 图3a是根据本发明实施方式的包括阴极的顶有机发光显示器的剖面图，其中阴 极包括多个电极。除阴极370包括第二电极373和第=电极374之外，图3a具有与图la 的构造大致相同的构造。因而，省略重复的描述。
[0081] 有机发光元件包括阳极351,352,353和354、有机发光层360和阴极370。在本说 明书中，阳极351，352, 353和354被定义为第一电极。
[0082] 第二电极373和第=电极374形成在有机发光层360上。第二电极373形成在与 形成有滤色器390的第一子像素区域310A、第二子像素区域310B和第S子像素区域310C 对应的位置处，第=电极374形成在与没有形成滤色器390的第四子像素区域310D对应的 位置处，且第二电极373和第=电极374形成在有机发光层360上的同一平面上。第二电 极373和第=电极374彼此电连接，W形成阴极370。
[0083] 使用阴极370中包含的具有高导电性和低功函数的材料，即用于阴极的材料形成 第二电极373。如图3a中所示，当有机发光显示器300为顶部发光型有机发光显示器时，可 使用具有低功函数的相当薄的金属材料形成阴极。例如，当使用具有低功函数的金属材料 形成第二电极373时，可WW几百A或更小，例如1 50A或更小的厚度由诸如Ag，Ti，A1，Mo 或Ag和Mg的合金之类的金属材料形成第二电极373。因而，第二电极373充当半透明层。
[0084] 使用阴极370中包含的具有高导电性和低功函数的材料，即用于阴极的材料形成 第=电极374。可使用具有低功函数且与第二电极373相比具有高光透射率的导电材料形 成第=电极374。因而，第=电极374可充当透明层，或充当与第二电极373相比具有更高 光透射率的半透明层。
[0085] 第二电极373的光透射率与第S电极374的光透射率不同。第S电极374可包括 透明导电材料，或充当具有比第二电极373的光透射率高的光透射率的半透明层，因而第 =电极374的光透射率可大于第二电极373的光透射率。因此，在红色子像素区域、绿色子 像素区域和藍色子像素区域中形成微腔的同时可提高白色子像素区域的光透射率。
[0086] 在一些实施方式中，可在一部分第四子像素区域310D中形成第=电极374,并可 在第一子像素区域310A、第二子像素区域310B、第S子像素区域310C和第四子像素区域 310D之中的没有形成第S电极374的区域中形成第二电极373。因而，第四子像素区域310D 的光透射率可大于第一子像素区域310A、第二子像素区域310B和第S子像素区域310C的 光透射率。
[0087] 图3b是描述图3a中所示的有机发光显示器的概念图。
[0088] 参照图3b，在下基板310上形成有焊盘部381，焊盘部381与上面安装有用于将来 自外部的各种信号传输到显示器的巧片和电路的柔性电路板380电连接，且在下基板310 上形成有用于传输来自柔性电路板380的各种信号的配线382。因为第二电极373和第= 电极374是阴极370中包含的电极，所W第二电极373和第=电极374可与焊盘部381连 接，并可从焊盘部381向第二电极373和第=电极374施加同一电压。
[0089] 图4是图解根据本发明实施方式的制造有机发光显示器的方法的流程图。
[0090] 首先，在S40中，在下基板上形成阳极，并在S41中，在阳极上形成有机发光层。阳 极的形成和有机发光层的形成与图1到3的阳极和有机发光层的形成基本相同。因而，省 略重复的描述。