32至40对本发明的倒装LED芯片的衬底的利记博彩app作进一步说明。
[0138]如图32所示，提供一支撑衬底10，所述支撑衬底10例如为表面平坦的蓝宝石衬底。
[0139]如图33?34所示，采用溅射方式形成晶格匹配层11，并通过光刻和蚀刻工艺去除预定区域上的晶格匹配层11，从而在支撑衬底10上形成阵列排布的柱状结构。
[0140]如图35所示，在所述支撑衬底10和柱状结构上形成介质层12。
[0141]如图36所示，通过匀胶工艺在所述介质层12上形成光刻胶层13，本实施例中，所述光刻胶层13为负性光刻胶。
[0142]如图37?39所示，采用无掩膜光刻工艺以及刻蚀工艺处理所述介质层12，使其具有阵列排布的柱状孔洞，所述柱状结构镶嵌于所述介质层12中，完成用于倒装LED芯片的衬底的制作工艺。
[0143]详细的，所述无掩膜光刻工艺以及刻蚀工艺过程如下:
[0144]首先，如图37所示，对所述支撑衬底10进行背面光照，由于晶格匹配层11与介质层12的透光率不同，具体而言是介质层12的透光率大于晶格匹配层11，例如，介质层12的材质是二氧化硅，其透光率为95%?100%，晶格匹配层11的材质是氮化铝，其透光率为50%?70%，如此，光照之后，晶格匹配层11正上方的光刻胶层未感光，而未被晶格匹配层11阻挡的光刻胶层感光，随后进行显影工艺，对于负性光刻胶而言，未感光的部分显影后被去除，而感光部分则被保留，如图38所示，晶格匹配层11正上方的光刻胶层被去除，而其余区域的光刻胶层保留下来；
[0145]接着，以剩余的光刻胶层为掩膜层，刻蚀去除所述晶格匹配层11正上方的介质层12，晶格匹配层11被暴露出来，如图39所示；
[0146]最后，如图40所示，去除剩余的光刻胶层，由晶格匹配层11形成的柱状结构镶嵌于所述介质层12中。
[0147]需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0148]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，包括支撑衬底、介质层以及与倒装LED芯片的外延层晶体结构相同的晶格匹配层，所述介质层以及晶格匹配层均位于所述支撑衬底上，所述晶格匹配层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述介质层中。2.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述介质层的透光率大于所述晶格匹配层的透光率。3.如权利要求2所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述倒装LED芯片的外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。4.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述柱状结构是圆柱状结构、椭圆柱状结构或多棱柱状结构。5.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述介质层的高度大于或等于所述晶格匹配层的高度。6.一种用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，包括支撑衬底、介质层以及与倒装LED芯片的外延层晶体结构相同的晶格匹配层，所述介质层以及晶格匹配层均位于所述支撑衬底上，所述介质层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述晶格匹配层中。7.如权利要求6所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述介质层的透光率大于所述晶格匹配层的透光率。8.如权利要求7所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述倒装LED芯片的外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。9.如权利要求6所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述柱状结构是圆柱状结构、椭圆柱状结构或多棱柱状结构。10.如权利要求6所述的用于倒装LED芯片的衬底，其特征在于，所述介质层的高度大于或等于所述晶格匹配层的高度。11.一种用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，包括: 提供一支撑衬底； 在所述支撑衬底上形成介质层和与倒装LED芯片的外延层的晶体结构相同的晶格匹配层，所述介质层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述晶格匹配层中。12.如权利要求11所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，在所述支撑衬底上形成介质层和晶格匹配层的步骤包括: 在所述支撑衬底上形成介质层，所述介质层为阵列排布的柱状结构； 在所述支撑衬底和柱状结构上形成晶格匹配层； 在所述晶格匹配层上形成光刻胶层； 采用同比刻蚀工艺处理所述晶格匹配层，直至所述光刻胶层被全部去除，将所述柱状结构暴露出来，使得所述柱状结构镶嵌于所述晶格匹配层中。13.如权利要求11所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，在所述支撑衬底上形成介质层和晶格匹配层的步骤包括: 在所述支撑衬底上形成晶格匹配层，所述晶格匹配层中具有阵列排布的柱状孔洞； 在所述支撑衬底和晶格匹配层上形成介质层； 在所述介质层上形成光刻胶层； 对所述支撑衬底进行背面光照以及显影工艺，去除所述晶格匹配层正上方的光刻胶层； 刻蚀去除所述晶格匹配层正上方的介质层，形成阵列排布的柱状结构；去除剩余的光刻胶层。14.如权利要求12或13所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，采用溅射方式形成所述晶格匹配层。15.如权利要求11至13中任意一项所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，所述介质层的透光率大于所述晶格匹配层的透光率。16.如权利要求15所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，所述倒装LED芯片的外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。17.一种用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，包括: 提供一支撑衬底； 在所述支撑衬底上形成介质层和与倒装LED芯片的外延层的晶体结构相同的晶格匹配层，所述晶格匹配层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述介质层中。18.如权利要求17所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，在所述支撑衬底上形成介质层和晶格匹配层的步骤包括: 在所述支撑衬底上形成介质层，所述介质层中具有阵列排布的柱状孔洞； 在所述支撑衬底和介质层上形成晶格匹配层； 在所述晶格匹配层上形成光刻胶层； 采用同比刻蚀工艺处理所述晶格匹配层以形成阵列排布的柱状结构，使得所述柱状结构通过所述柱状孔洞镶嵌于所述晶格匹配层中。19.如权利要求17所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，在所述支撑衬底上形成介质层和晶格匹配层的步骤包括: 在所述支撑衬底上形成与晶格匹配层，所述晶格匹配层为阵列排布的柱状结构； 在所述支撑衬底和柱状结构上形成介质层； 在所述介质层上形成光刻胶层； 对所述支撑衬底进行背面光照以及显影工艺，去除所述晶格匹配层正上方的光刻胶层； 刻蚀去除所述晶格匹配层正上方的介质层； 去除剩余的光刻胶层。20.如权利要求18或19所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，采用溅射方式在所述支撑衬底和所述介质层上形成所述晶格匹配层。21.如权利要求17至19中任意一项所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，所述介质层的透光率大于所述晶格匹配层的透光率。22.如权利要求21所述的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，其特征在于，所述倒装LED芯片的外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
【专利摘要】本发明提供了一种用于倒装LED芯片的衬底及其利记博彩app，所述衬底包括支撑衬底、介质层以及与倒装LED芯片的外延层晶体结构相同的晶格匹配层，所述介质层以及晶格匹配层均位于所述支撑衬底上；其中，所述晶格匹配层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述介质层中，或者，所述介质层为阵列排布的柱状结构并镶嵌于所述晶格匹配层中。本发明既可提高倒装LED芯片的晶体质量，即提高内量子效率，又能减少从外延层射向衬底的光的反射，增加其透射，提高倒装LED芯片的出光效率，即提高外量子效率。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/22
【公开号】CN104882521
【申请号】CN201510319818
【发明人】马新刚, 丁海生, 李东昇, 陈善麟, 江忠永
【申请人】杭州士兰明芯科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月11日