含氧气体(比如氧气或笑气)的混合气体进行同比刻蚀，另外还可选择性加入氩气或者氢气，其中含氯气体主要用于刻蚀晶格匹配层，同时其还可刻蚀光刻胶，氧气和氢气的加入可以调节光刻胶的刻蚀速率，氩气也可增加晶格匹配层和光刻胶层的刻蚀速率(但对二者刻蚀速率的增加效果有所差异)，可通过调整上述气体的流量进而控制其对晶格匹配层11和光刻胶层13的刻蚀速率，从而达到同比刻蚀的目的。本领域技术人员根据上述揭示内容可通过有限次实验获知具体的流量参数，在此不再赘述。
[0088]根据上述方法所制成的衬底的柱状结构的高度大于晶格匹配层11的高度，如此可以获得更好的晶格匹配效果，有利于进一步提高内量子效率。然而应当认识到，本发明并不限制柱状结构的高度，实际上所述柱状结构的高度也可以等于晶格匹配层11的高度，只要形成的晶格匹配层的厚度大于或者等于柱状结构的高度，那么去除全部的光刻胶层后再刻蚀一段时间的晶格匹配层，直至露出所述柱状结构的表面时停止，这样柱状结构的高度就与晶格匹配层11的高度相同。
[0089]实施例二
[0090]本实施例的用于倒装LED芯片的衬底与实施例一的结构相同，但本实施例中所采用有所区别，如图11所示，本发明提供的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，包括如下步骤:
[0091]S21:提供一支撑衬底；
[0092]S22:在所述支撑衬底上形成晶格匹配层，所述晶格匹配层中具有阵列排布的柱状孔洞；
[0093]S23:在所述支撑衬底和晶格匹配层上形成介质层；
[0094]S24:在所述介质层上形成光刻胶层；
[0095]S25:对所述支撑衬底进行背面光照以及显影工艺，去除所述晶格匹配层正上方的光刻胶层；
[0096]S26:刻蚀去除所述晶格匹配层正上方的介质层，形成阵列排布的柱状结构；
[0097]S27:去除剩余的光刻胶层。
[0098]下面结合附图12至20对本发明的倒装LED芯片的衬底的利记博彩app作进一步说明。
[0099]如图12所示，提供一支撑衬底10，所述支撑衬底10例如为表面平坦的蓝宝石衬底。
[0100]如图13?14所示，采用溅射方式形成晶格匹配层11，并通过光刻和蚀刻工艺去除预定区域上的晶格匹配层11，从而在晶格匹配层11中形成阵列排布的柱状孔洞11a。
[0101]如图15所示，在所述支撑衬底10上和晶格匹配层11上形成介质层12。
[0102]如图16所示，通过匀胶工艺在所述介质层12上形成光刻胶层13，本实施例中，所述光刻胶层13为负性光刻胶。
[0103]如图17?20所示，采用无掩膜光刻工艺以及刻蚀工艺处理所述介质层12，使其成为阵列排布的柱状结构，所述柱状结构镶嵌于所述晶格匹配层11中，完成用于倒装LED芯片的衬底的制作工艺。
[0104]详细的，所述无掩膜光刻工艺以及刻蚀工艺过程如下:
[0105]首先，如图17所示，对所述支撑衬底10进行背面光照，即对所述支撑衬底10未形成晶格匹配层11的表面进行光照，由于晶格匹配层11与介质层12的透光率不同，通常是介质层12的透光率大于晶格匹配层11，例如，介质层12的材质是二氧化硅，其透光率为95 %?100 %，晶格匹配层11的材质是氮化铝，其透光率为50 %?70 %，如此，光照之后，晶格匹配层11正上方的光刻胶层未感光，而未被晶格匹配层11阻挡的光刻胶层感光，随后进行显影工艺，对于负性光刻胶而言，未感光的部分显影后被去除，而感光部分则被保留，因而，如图18所示，晶格匹配层11正上方的光刻胶层被去除，而其余区域的光刻胶层保留下来；
[0106]接着，以剩余的光刻胶层为掩膜层，刻蚀去除所述晶格匹配层11正上方的介质层12，从而形成阵列排布的柱状结构，如图19所示；
[0107]最后，如图20所示，去除剩余的光刻胶层，由介质层12形成的柱状结构被暴露出来，所述柱状结构镶嵌于所述晶格匹配层11中。
[0108]实施例三
[0109]本实施例的用于倒装LED芯片的衬底与实施例一的不同之处在于，所述晶格匹配层11为柱状结构，所述介质层12形成于所述支撑衬底10上，所述介质层12中具有阵列排布的柱状孔洞，所述晶格匹配层11通过所述柱状孔洞镶嵌于所述介质层10中。
[0110]图30是本发明实施例三的用于倒装LED芯片的衬底的俯视图，图29是图30所示结构沿AA’方向的剖面示意图。如图29?30所示，所述用于倒装LED芯片的衬底包括:支撑衬底10、与所述倒装LED芯片的外延层晶体结构相同的晶格匹配层11、介质层12，其中所述晶格匹配层11为阵列排布的柱状结构，所述介质层12中具有阵列排布的柱状孔洞，所述晶格匹配层11通过所述柱状孔洞镶嵌于所述介质层12中。
[0111]如图21所示，本实施例提供的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，包括如下步骤:
[0112]S31:提供一支撑衬底；
[0113]S32:在所述支撑衬底上形成介质层，所述介质层中具有阵列排布的柱状孔洞；
[0114]S33:在所述支撑衬底和介质层上形成晶格匹配层；
[0115]S34:在所述晶格匹配层上形成光刻胶层；
[0116]S35:采用同比刻蚀工艺处理所述晶格匹配层以形成阵列排布的柱状结构，使得所述柱状结构通过所述柱状孔洞镶嵌于所述晶格匹配层中。
[0117]下面结合附图22?30对本实施例的倒装LED芯片的衬底的利记博彩app作进一步说明。
[0118]如图22所示，提供一支撑衬底10，所述支撑衬底10例如为表面平坦的蓝宝石衬底。
[0119]如图23?24所示，通过蒸发、溅射、喷涂或PECVD工艺在所述支撑衬底10上形成介质层12，再通过光刻和蚀刻工艺去除预定区域上的介质层12，从而在介质层12中形成阵列排布的柱状孔洞12a。所述柱状孔洞12a可以是圆柱状孔洞、椭圆柱状孔洞、多棱柱状孔洞。本实施例中，所述通孔I Ia是六棱柱状孔洞，通过所述六棱柱状孔洞暴露所述支撑衬底10。
[0120]如图25所示，在所述支撑衬底10和介质层12上形成晶格匹配层11。优选方案中，采用溅射方式形成晶格匹配层，如此就无需占用成本较高的MOCVD工艺的时间，有利于降低LED的生产成本。
[0121]如图26所示，通过匀胶工艺在所述晶格匹配层11上形成光刻胶层13。
[0122]接下来，采用同比刻蚀工艺处理所述晶格匹配层11，直至所述光刻胶层全部被去除，所述晶格匹配层11呈柱状并被暴露出来，本实施例中所述晶格匹配层11作为柱状结构通过柱状孔洞12a镶嵌于介质层12中。
[0123]具体而言，所述同步刻蚀工艺过程如下:
[0124]首先，部分厚度的光刻胶层13被去除，暴露出晶格匹配层11的表面，如图27所示;
[0125]随后，部分厚度的光刻胶层13和晶格匹配层11被一并去除，暴露出介质层12的表面，如图28所示；
[0126]最后，所有区域的光刻胶层被全部去除，所述晶格匹配层11成为柱状结构镶嵌在所述晶格匹配层中，如图29所示。
[0127]根据上述方法所制成的衬底的柱状结构的高度同样大于晶格匹配层11的高度，如此可以获得更好的晶格匹配效果，有利于进一步提高内量子效率。然而应当认识到，上述方法形成的柱状结构的高度同样可以等于晶格匹配层11的高度，只要初始溅射的晶格匹配层的厚度大于或者等于介质层的高度，那么去除全部的光刻胶层后再刻蚀一段时间的晶格匹配层，直至露出所述介质层12的表面时停止，这样最终形成的晶格匹配层12高度就与介质层12的高度相同。
[0128]实施例四
[0129]本实施例的用于倒装LED芯片的衬底与实施例三的结构相同，但本实施例中所采用有所区别，如图31所示，本发明提供的用于倒装LED芯片的衬底的利记博彩app，包括如下步骤:
[0130]S41:提供一支撑衬底；
[0131]S42:在所述支撑衬底上形成与晶格匹配层，所述晶格匹配层为阵列排布的柱状结构；
[0132]S43:在所述支撑衬底和柱状结构上形成介质层；
[0133]S44:在所述介质层上形成光刻胶层；
[0134]S45:对所述支撑衬底进行背面光照以及显影工艺，去除所述晶格匹配层正上方的光刻胶层；
[0135]S46:刻蚀去除所述晶格匹配层正上方的介质层；
[0136]S47:去除剩余的光刻胶层。
[0137]下面结合附图