应，而不产生额外的干扰条件。
[0099]如图10所示，参考电压产生电路1002也接收多个输入信号1004、1006及1008，以使输出参考电压信号1016的斜坡率及电压位准生效。例如，参考电压产生电路1002接收源极功率信号1004、带隙参考电压信号1006及修整控制参考信号(trim_control referencesignal) 1008。在受控斜坡阶段702期间，通过根据修整控制信号1008来操纵参考电压产生电路1002内的修整控制，来控制在1034的源极偏压使它在高于目标的电压位准。在实际编程脉冲阶段704开始前，源极偏压1034经控制成可降到稳定至目标位准的较低位准以允许目标存储器单元的写入操作。
[0100]源极电压控制电路1000更包含上拉电路1018和汲入及调整电路(sinkandregulat1n circuit) 1026，其配置成可驱动源极偏压信号1034至高于目标的电压而且使源极偏压信号1034稳定至目标位准，如上述。上拉电路1018包含带有耦合至参考电压信号1016的反相输入以及耦合至晶体管1022、1030的共用节点的非反相输入的放大器电路1020。汲入及调整电路1026包含带有耦合至参考电压信号1016的反相输入以及耦合至晶体管1024、1032的共用节点的非反相输入的放大器电路1028。如图示，放大器电路1020的输出耦合至晶体管1022及1024的各个栅极端子以及放大器1028的输出耦合至晶体管1032的栅极端子。
[0101]由于在写入脉冲的受控斜坡阶段期间控制源极偏压位准，显示目标位线斜坡率已增加，以及显示在共享字线的另一存储器单元的并行写入操作对于浮动位线斜坡率的影响比较小。通过在虚拟接地存储器阵列的使用寿命内减少可能的干扰效应，此一方法对于改善写入速度及实现更好的Vt分布有直接冲击。此一方法使得有可能设计更快的产品同时最小化未标定邻近单元由与斜坡率有关的问题引起的Vt移位或写入干扰效应，特别是在并行写入操作期间。
[0102]在一具体实施例中，源极偏压控制在每个写入操作期间的实施与在说明图6及图8提及的任何并行邻近位线斜坡控制无关。在另一具体实施例中，源极偏压控制在存储器阵列的特定配置需要源极偏压控制时或在对存储器阵列中的一横列进行并行写入操作时实施为较佳。在另一示范具体实施例中，在写入操作期间，可执行源极偏压控制以及在说明图6及图8时提及的示范邻近位线斜坡率控制。
[0103]处理
[0104]鉴于上述电路配置，本发明的示范具体实施例提供一种方法，用以最小化非挥发性存储器装置的存储器阵列的写入干扰条件。请参考图12，提供一种方法用以在写入操作期间驱动对应至目标存储器单元及未标定毗邻存储器单元的位线。在步骤1202，提供非挥发性存储器阵列中的存储器单元作为用于写入操作的目标存储器单元。在步骤1204，驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至第一电压。在步骤1206，驱动耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线至第二电压。该第一位线对应至该目标存储器单元的“源极”位线，而该第二位线对应至该目标存储器单元的“漏极”端子。在步骤1208，驱动耦合至未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第三位线至第三电压。步骤1202、1204、1206及1208都在该目标存储器单元的写入操作期间发生。在此具体实施例中，该第三电压减少在该未标定毗邻存储器单元的第一及第二源极/漏极端子之间的电场。
[0105]请参考图13，提供另一种方法用以执行非挥发性存储器阵列的目标存储器单元的写入操作。在步骤1302，提供存储器单元作为用于写入操作的目标存储器单元。在步骤1304，驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至有第一电位的源极偏压。在步骤1306，使耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线斜升至漏极偏压。在步骤1308，使耦合至未标定毗邻单元的第一源极/漏极端子的第三位线斜升至干扰抑制电压。在步骤1310，控制该漏极偏压使其在对应至写入操作的预定时段实质恒定。在步骤1312，接着在该预定时段期间，驱动耦合至该目标存储器单元的该第一源极/漏极端子的该第一位线至低于该第一电位的第二电位。
[0106]结论
[0107]应了解，用来解释权利要求书的是【【具体实施方式】】，而不是【发明摘要】。【发明摘要】可能提及本发明示范具体实施例中的一或更多而不是所有，因此非旨在以任何方式限制本发明及随附权利要求书。
[0108]熟谙此艺者会明白其中，形式及细节可做出各种改变而不脱离本发明的精神及范畴。因此，本发明应不受限于上述示范具体实施例中的任一者，而应只由随附权利要求书及其均等物定义。
【主权项】
1.一种方法，其包含下列步骤: 在非挥发性存储器阵列中，提供用于写入操作的目标存储器单元； 在该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至第一电压； 在该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线至第二电压；以及 在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动耦合至该非挥发性存储器阵列中的未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第三位线至第三电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第三电压减少在该未标定存储器单元的该第一源极/漏极端子与该未标定毗邻存储器单元的第二源极/漏极端子之间的电场。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二电压包含第一预定波形，而该第三电压包含第二预定波形，该第一及该第二预定波形相互偏移一预定电压差。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，该预定电压差小于在该未标定毗邻存储器单元致能写入操作的最小电压差。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，该第一预定波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，该第二预定波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，该第一电压包含第三预定波形，该第三预定波形含有电压增高的第一部分与电压减低的第二部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，电压增高的该第一部分与该第一预定波形的该斜坡部分实质相符，并且该第二部分与该第一预定波形的该稳定部分实质相符。
9.根据权利要求2所述的方法，其中，该未标定毗邻存储器单元的该第二源极/漏极端子对应至该目标存储器单元的该第二源极/漏极端子。
10.一种非挥发性存储器装置，其包含: 第一位线驱动器，其配置成在该目标存储器单元的写入操作期间，驱动耦合至目标存储器单元的源极/漏极端子的第一位线至第一电压；以及 第二位线驱动器，其配置成在该写入操作期间，驱动耦合至未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第二位线至第二电压，其中，该第二电压减少在该未标定毗邻存储器单元的该第一源极/漏极端子与第二源极/漏极端子之间的电场。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一位线驱动器与该第二位线驱动器配置成该第一及该第二电压相互偏移一预定电压差，该预定电压差小于在该未标定毗邻存储器单元致能写入操作的最小电压差。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，该目标存储器单元的该源极/漏极端子对应至该未标定毗邻存储器单元的该第二源极/漏极端子。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一位线驱动器配置成驱动该第一位线使得该第一电压包含第一预定斜坡波形，而该第二位线驱动器配置成驱动该第二位线使得该第二电压包含第二预定斜坡波形。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，该第一位线驱动器配置成该第一预定斜坡波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。
15.根据权利要求10所述的装置，进一步包含第三位线驱动器，其配置成在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第三位线至源极偏压。
16.根据权利要求14所述的装置，其中，该第三位线驱动器配置成在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动该第三位线至初始第一电压，然后至减低电压。
17.一种方法，用以执行非挥发性存储器阵列中的目标存储器单元的写入操作，该方法包含下列步骤: 驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至有第一电位的源极偏压； 使耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线斜升至漏极偏压，其中，该漏极偏压经控制成在预定时段呈实质恒定； 实质在该预定时段期间，驱动耦合至该目标存储器单元的该第一源极/漏极端子的该第一位线至小于该第一电位的第二电位。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括: 使耦合至未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第三位线斜升至干扰抑制电压，其中，该干扰抑制电压减少在该未标定毗邻存储器单元的该第一源极/漏极端子与第二源极/漏极端子之间的电场。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，该干扰抑制电压与该漏极偏压偏移一预定电压差。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，该预定电压差小于在该未标定毗邻存储器单元致能写入操作的最小电压差。
【专利摘要】本发明提供可最小化非挥发性存储器阵列中未标定存储器单元的写入干扰条件的系统及方法。提供位线驱动器电路以控制施加至目标存储器单元的位线及未标定存储器单元的邻近位线的斜坡电压。各种具体实施例通过施加受控电压信号至毗邻单元的先前浮动位线，以在目标存储器单元的写入操作期间减少在未标定毗邻存储器单元的源极及漏极节点之间的电位差，有利地维持储存于未标定存储器单元的资料的完整性。在另一具体实施例中，在漏极偏压斜升期间，对目标单元的“源极”位线施加增高源极偏压，然后在写入操作期间减少到接地或近接地电位。
【IPC分类】G11C16-24, G11C16-34, G11C16-30
【公开号】CN104662611
【申请号】CN201380049319
【发明人】E·宾博加
【申请人】斯班逊有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年7月29日
【公告号】DE112013003828T5, US8699273, US20140036595, WO2014022281A1