位线422的电位差至更细或更粗的解析度。例如，在特定单元可容忍较大的错误或用已知软编程或错误修正技术修正时，不需要分别精确地控制主动目标位线420与邻近位线422的电位差。不过，在连储存电荷的微小变化都可能改变未标定存储器单元的状态的多位元存储器单元中，可精确地将主动目标位线420与邻近位线422的电位差微调至更细的解析度。
[0072]图6的详图示意图示可控制它以驱动“主动”目标位线或者是“邻近”位线的位线驱动器电路600。驱动器电路600在第一输出601接收来自电荷帮浦及调整器电路602的位线目标电压信号，以及在第二输出603接收来自电荷帮浦及调整器电路602的干扰抑制电压信号。对应至目标位线电压的输出601是电连接至第一 PFET 604，同时对应至干扰抑制电压的输出603电连接至第二PFET 606。当选择性地由在各个栅极处施加的控制信号致能时，PFET 604及606用作电压受控开关以传递已调整位线目标电压与已调整干扰抑制电压(各自来自电荷帮浦与调整器电路602)。控制逻辑块610提供各种控制信号供位线驱动器电路600的所欲操作用，例如主动抑制信号621，阶梯控制信号623、625、627以及位线放电信号629。位线驱动器电路600更包含阶梯控制/斜坡控制电路608，其包含多个输入及输出，用以有效地控制输出电压信号Vout 620的斜坡率。然后，施加输出电压信号620至存储器阵列的选定位线。阶梯控制/斜坡控制电路608接收来自控制逻辑块610的多个致能信号用以产生适当的斜坡电压信号Vout 620。斜坡控制电路608在输入605接收已调整目标电压信号，以及通过输入611接收来自PFET 604或606的电压信号。这些电压值辅助斜坡控制电路608有效控制输出电压信号620的阶梯或斜坡率。
[0073]如图6所示，提供主动抑制逻辑信号621给斜坡控制电路608用以致能选择待传递自电荷帮浦及调整器电路602的位线目标电压或者是干扰抑制电压。在使主动抑制逻辑信号621有效时，输出来自端子607的控制信号输出以开启PFET604。在此一操作中，位线驱动器电路600配置成可提供作为Vout，即斜坡式目标位线电压信号。在使主动抑制逻辑信号621无效时，输出来自端子609的控制信号以开启PFET 606。在此操作中，位线驱动器电路600配置成可提供作为Vout，斜坡式干扰抑制电压信号。在写入操作期间，在目标单元施加该斜坡式干扰抑制电压至未标定单元的邻近位线。在一示范具体实施例中，PFET 604与606中只有一个在写入操作期间会开启。
[0074]由电荷帮浦及调整器电路602产生的电压信号被紧密地调整到所欲电压位准供装置的特定操作用。由于目标位线电压信号及干扰抑制电压信号偏移预定电压差，电荷帮浦与调整器电路602产生施加至第一及第二输出601、603的至少两个独立电压信号。在此具体实施例中，位线驱动器电路600有利地操作以根据所欲操作来控制目标位线电压或者是毗邻位线电压。如图4所示，有利的是，提供多个驱动器电路406a、406b，以在写入操作期间同时地控制主动位线电压与毗邻位线电压。
[0075]斜坡控制电路608配置成可控制输出自位线驱动器电路600的电压信号620的波形以由数个斜坡或阶梯组成。只是举例说明，位线驱动器电路600配置成可输出由达3个斜坡或阶梯组成的位线驱动器电压信号。熟谙此艺者应了解，可修改位线驱动器电路600以产生由任意多个所欲阶梯或斜坡组成的输出信号。此外，输出斜坡式信号的信号波形，特别是每个阶梯，不必均匀以及可用任何方式按需要配置成可实现最佳效能。
[0076]斜坡控制电路608配置成可自控制逻辑610接收多个输入，该控制逻辑610致能按需要在输出613、615及617选择对应至特定阶梯或斜坡的输出斜升信号。例如，控制逻辑610可在输出623、625或627施加逻辑信号使得斜坡控制电路能够各自使第一阶梯控制、第二阶梯控制及第三阶梯控制生效。
[0077]图7根据一示范具体实施例图示逻辑控制信号及示范输出电压信号的的时序图。电压信号710对应至目标位线电压，信号712对应至邻近位线电压，以及信号714对应至源极位线电压。
[0078]如图示，写入操作期间的编程脉冲(program pulse) 700包含使外加位线电压710、712斜升至所欲编程电压的受控斜坡阶段(controlIed_ramp stage) 702，外加位线电压710、712到达编程电压的实际编程脉冲阶段704，以及在写入或编程操作完成后排放标定及邻近位线的外加位线电压710、712的位线放电阶段706。请参考图6及图7，阶梯I的控制信号623在受控斜坡阶段702期间致能预定时段。在此时段期间，第一阶梯控制信号由斜坡控制电路608在输出613输出。在该预定时段后，控制信号623去能，以及接着致能阶梯2的控制信号625。在控制信号625致能时，第二阶梯控制信号由控制电路608在输出615输出。在此实施例中，控制信号623及625在受控斜坡阶段702期间输出以及对应至阶梯1723以及阶梯2725。再一次，在对应至阶梯2的预定时段消逝后，使控制信号625无效以及致能控制信号627。在控制信号627致能时，第三阶梯控制信号由斜坡控制电路608在输出617输出。在如725所示的阶梯3期间，输出电压信号620已到达写入操作的目标电压值，因而与实际编程脉冲阶段704实质相符，如图7的时序图所示。在用以有效地完成写入操作所需的预定时段结束时，使控制信号627无效，如图示，同时根据位线放电控制信号629来完成编程脉冲700的位线放电阶段704。在位线放电期间，控制信号629指示斜坡控制电路608提供电压信号619以使晶体管618放电以控制输出电压信号620的放电速率。
[0079]如图6所示，对应至第一阶梯控制信号阶梯l_hv连接至晶体管612的栅极的斜坡控制电路输出613是连接至晶片上或外接电源供应器(未图示)。在写入操作编程脉冲期间，在接收对应至“阶梯I”的控制逻辑信号623时，斜坡控制电路608在输出613提供电压控制信号。斜坡控制电路608在输出613提供特定电压控制信号以控制晶体管612的导电系数用以使所欲输出电压信号620生效，其供给至存储器阵列的选定位线。
[0080]在预定时段后，控制逻辑610产生及输出对应至“阶梯2”的逻辑信号625以致能产生输出电压信号620的第二斜坡或阶梯。在接收逻辑信号625时，斜坡控制电路608在连接至晶体管614的栅极端子的输出615处提供电压控制信号。晶体管614连接至目标位线电压信号或者是干扰抑制电压信号，这取决于被主动抑制控制信号621控制的晶体管604及606的操作，如上述。在控制目标单元的位线电压的操作中，晶体管614在输出601接收来自电荷帮浦及调整器电路602的位线目标电压。电压控制信号615用斜坡控制电路608产生以控制晶体管614的导电系数用以使所欲输出电压信号620生效，其供给至存储器阵列中的目标单元的选定位线。
[0081]如在说明图7时所述，在对应至“阶梯2”725的时段消逝后，控制逻辑610产生及输出对应至“阶梯3” 727及写入操作编程脉冲700的实际编程脉冲阶段704的逻辑信号627。如图6所示，斜坡控制电路608产生施加至晶体管616的栅极端子的控制信号617。晶体管616最好为PFET使得在其栅极处施加控制信号617时，用来传递由电荷帮浦及调整器电路602产生的已调整目标电压以及在输出601输出。晶体管612、614、616经控制成它们一次只开启一个。由于晶体管604及606用来传递来自电荷帮浦及调整器电路602经调整可作为输出电压信号620的电压信号输出，用电荷帮浦及调整器电路602精确地调整该目标电压信号以满足示范存储器装置的技术及操作需求。在写入操作完成时，输出电压信号620的放电是通过在晶体管618的栅极端子施加控制信号619时激活或导通的晶体管618。
[0082]以上所讨论的位线驱动器电路600与提供输出电压620给主动目标位线(如图4的位线420)有关。不过，如上述，可轻易地把位线驱动器600配置成可用控制逻辑主动抑制信号621提供输出电压620给未标定单元的邻近位线，例如图4的位线422。因此，与邻近位线有关的位线驱动器电路600的操作与以上在说明主动目标位线时所述的实质相同。在一示范具体实施例中，在写入操作期间同时使用至少两个位线驱动器电路600，一个用来控制在目标位线施加的电压，例如710，以及另一个用来控制在邻近位线施加的电压，例如712。如上述，来自第一位线驱动器电路的第一输出电压710与来自第二位线驱动器电路的第二输出电压712有电位差AV，其数值为存储器阵列的底下半导体技术容许，使得未标定毗邻单元有严重写入干扰条件的机会为最小。
[0083]尽管图6图示配置成可输出斜坡式主动目标位线电压710或者是斜坡式邻近位线电压712的位线驱动器电路600，然而本技艺一般技术人员应了解，可配置个别驱动器电路用于只驱动目标位线电压或邻近位线电压中的一个。
[0084]图8图示用于本发明另一示范具体实施例的斜坡控制器/位线驱动器区块406a及406b的另一位线驱动器电路800。由于位线驱动器电路800的结构及操作大部分与图示于图6的位线驱动器电路600的实质相同，因此以下只描述实质的差异。机能与位线驱动器电路600实质相同的位线驱动器电路800的特征用相同的元件符号标示。
[0085]如图8所示，本发明示范具体实施例的位线驱动器电路800包含有单一输出803的电荷帮浦及调整器电路802，单一输出803供给已调整电压至晶体管804及806的端子。晶体管804用作电压受控开关用以施加电压信号至主动目标位线，例如图示于图4的位线420。晶体管806用作电压受控开关用以施加电压信号至未标定毗邻位线，例如图示于图4的位线422。位线驱动器电路800与位线驱动器电路600的差异之一是把晶体管804及806配置成NFET为较佳，同样地，输出自端子807及809以及在各自栅极施加的电压决定输出信号620的电位值。同样地，由斜坡控制电路808产生以及在端子807及809输出的电压信号被更加精确地控制成可影响施加至选定位线的输出电压信号620。斜坡控制电路808根据输出自控制逻辑610的主动抑制控制信号621来产生及输出来自端子807或809的电压信号。斜坡控制电路808在端子811接收对应至通过控制晶体管804或者是806所产生的电压的电