施例的半导体加工设备中气路控制的方法及系统进行说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0049] 本发明实施例的半导体加工设备中气路控制的方法，如图1所示，包括以下步骤：
[0050] S100,读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一 气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果。
[0051] 在半导体加工工艺开始时，首先读取预先设定的进行半导体加工工艺的工艺表单 Recipe中所涉及到的所有气路的气体流量值，并对工艺表单中每一气路在不同步骤中的气 路流量值是否相同进行判断。如在表1中，在Recipel中，气路I (Gasl)在步骤I (Skpl) 中的气路流量值为10,在步骤2 (Step2)中的气路流量值为20,在步骤3 (Step3)中的气路 流量值为30,所以说气路1在不同步骤中的非零气路流量值不相同，同样气路2在步骤1、 步骤2、步骤3中的气路流量值分别为20、30、10,气路2在不同步骤中的非零气路流量值也 不相同，同理由表1可得到气路3在不同步骤的气路流量值不相同；而在表1中的Re Cipe2 中，气路1在步骤1、2、3中的气路流量值分别为5、0、5,步骤1和步骤3中的非零流量值都 为5,所以说气路1在不同步骤中的非零气路流量值相同，同理，在Re Cipe2中气路2在步 骤1和步骤3中的气路流量值非零，且都为15,气路3在步骤2和步骤3中的气路流量值非 零，且都为20,因此可以得出结论：在Recipe2中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值 都相同。
[0052] 表1 Recipe 流量
[0053]
【主权项】
1. 一种半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，包括以下步骤： S100,读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一气路 在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果； S200,根据所述第一判断结果进一步判断，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中 的非零气路流量值不同时，执行步骤S300 ;当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非 零气路流量值相同时，执行步骤S400 ; S300,在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路 的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺 表单中的所有工艺步骤； S400,遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所有气 路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流量值， 当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门；否则关闭所述气路与工艺 腔室之间的阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的 所有工艺步骤。
2. 根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，步骤S300 中包括以下步骤： S310,在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路 的气路流量进行异步设置； S320,检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果； S330,根据所述检测结果判断，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则 执行步骤S340 ;否则，等待预定时间后，返回执行步骤S320; S340,执行半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺 表单中的所有工艺步骤。
3. 根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，步骤S400 包括以下步骤： S410,遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记录所 述每一气路的非零气路流量值； S420,根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路的气 路流量值进行异步设置； S430,在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果； S440,根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔 室之间的阀门，关闭所述气路通向废气侧的阀门； S450,根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧 的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门； S460,当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至完成 所述工艺表单中的所有工艺步骤。
4. 根据权利要求2所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，所述预定 时间为100ms。
5. 根据权利要求1所述的半导体加工设备中气路控制的方法，其特征在于，还包括以 下步骤： S500,根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中的所 有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。
6. -种半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，包括第一判断模块，第二执行 模块，第三控制模块以及第四控制模块，以及安装在半导体加工设备的气路的流量控制器 与工艺腔室之间的控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门，和控制气体是否流入 废气侧的第二控制阀门，其中 ： 所述第一判断模块，用于读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工 艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果； 所述第二执行模块，用于根据所述第一判断模块得到的第一判断结果，当所述工艺表 单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，利用第三控制模块对气路的气路流 量进行控制；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，利用第 四控制模块对气路的气路流量进行控制； 所述第三控制模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路 流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤， 直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤； 所述第四控制模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气 路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表 单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀 门，关闭第二控制阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，打开第二控制 阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步 骤。
7. 根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，所述第三 控制模块包括第三流量设置子模块，第三流量检测子模块，第三判断子模块，以及第三加工 子模块，其中： 所述第三流量设置子模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路 的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置； 所述第三流量检测子模块，用于检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并 得到检测结果； 所述第三判断子模块，用于根据所述第三流量检测子模块的检测结果，当所述半导体 加工设备中气路的气路流量值稳定时，则利用第三加工子模块进行进一步处理；否则，等待 预定时间后，返回所述第三流量检测子模块进行进一步处理； 所述第三加工子模块，用于半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直 至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。
8. 根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，所述第四 控制模块包括第四流量记录子模块，第四流量设置子模块，第四流量判断子模块，第四流量 打开子模块，第四流量关闭子模块，以及第四加工子模块，其中： 所述第四流量记录子模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的 非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值； 所述第四流量设置子模块，用于根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工 艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置； 所述第四流量判断子模块，用于在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并 得到第二判断结果； 所述第四流量打开子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果， 当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所述 气路通向废气侧的第二控制阀门； 所述第四流量关闭子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结果， 当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门，关闭所述气路与 工艺腔室之间的第一控制阀门； 所述第四加工子模块，用于当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应 的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。
9.根据权利要求6所述的半导体加工设备中气路控制的系统，其特征在于，还包括第 五设置模块； 所述第五设置模块，用于根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所 述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。
【专利摘要】本发明公开了一种半导体加工设备中气路控制的方法及系统。其中方法包括判断工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同；当非零气路流量值不同时，在每一工艺步骤中，根据工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所有工艺步骤；当非零气路流量值相同时，对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据工艺表单中的气路流量值是否为零打开或关闭气路与工艺腔室之间的阀门；气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所有工艺步骤。本发明实现气路控制方式的智能选择，缩短气路流量设置时间，提高生产效率。
【IPC分类】G05D7-06
【公开号】CN104731116
【申请号】CN201310722602
【发明人】兰芳
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月24日