半导体加工设备中气路控制的方法及系统的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体控制领域，尤其涉及一种半导体加工设备中气路控制的方法及 系统。
【背景技术】
[0002] 在3D IC (Integrated Circuit,集成电路，半导体元件产品的统称）的制造过程 中，TSV (Through Silicon Via,通过娃片通道）刻蚀是必不可少的一个步骤，这种高深宽 比的刻蚀要求，普通工艺是无法达到的，常用的一种方法是采用BOSCH工艺来实现。由于 BOSCH工艺的沉积步和刻蚀步的持续时间都很短，某些情况下单步甚至只有1秒钟时间，这 就要求工艺步骤之间切换速度非常快，各个步骤中的工艺条件就需要在更短时间内实现切 换并稳定，比如气体流量。工艺气体的种类和流量是工艺步骤的主要参数之一。
[0003] BOSCH工艺要求工艺过程中的沉积步和刻蚀步可以循环多次，在步与步之间气体 流量的切换会很频繁。对气体流量快速切换的要求很高，因此气体流量切换的时间受到越 来越广泛的关注。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供一种能够缩短气路流量切换时间的半导体加工设备中气路控 制的方法及系统。
[0005] 为实现本发明目的提供的一种半导体加工设备中气路控制的方法，包括以下步 骤：
[0006] S100,读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所述工艺表单中每一 气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果；
[0007] S200,根据所述第一判断结果，当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零 气路流量值不同时，执行步骤S300 ;当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路 流量值相同时，执行步骤S400 ;
[0008] S300,在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有 气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述 工艺表单中的所有工艺步骤；
[0009] S400,遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非零气路流量值对所 有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的气路流 量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的阀门；否则关闭所述气路与 工艺腔室之间的阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单 中的所有工艺步骤。
[0010] 在其中一个实施例中，步骤S300中包括以下步骤：
[0011] S310,在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的气路流量值对所有 气路的气路流量进行异步设置；
[0012] S320,检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳定，并得到检测结果；
[0013] S330,根据所述检测结果，当所述半导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则 执行步骤S340 ;否则，等待预定时间后，返回执行步骤S320;
[0014] S340,半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步骤，直至完成所述工艺 表单中的所有工艺步骤。
[0015] 在其中一个实施例中，步骤S400包括以下步骤：
[0016] S410,遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气路的非零气路流量值，并记 录所述每一气路的非零气路流量值；
[0017] S420,根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所述工艺表单中的所有气路 的气路流量值进行异步设置；
[0018] S430,在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为零，并得到第二判断结果；
[0019] S440,根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工 艺腔室之间的阀门，关闭所述气路通向废气侧的阀门；
[0020] S450,根据所述第二判断结果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废 气侧的阀门，关闭所述气路与工艺腔室之间的阀门；
[0021] S460,当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺，直至 完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。
[0022] 在其中一个实施例中，所述预定时间为100ms。
[0023] 在其中一个实施例中，本发明的半导体加工设备中气路控制的方法还包括以下步 骤：
[0024] S500,根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完成所述工艺表单中 的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。
[0025] 基于同一发明构思的一种半导体加工设备中气路控制的系统，包括第一判断模 块，第二执行模块，第三控制模块以及第四控制模块，以及安装在半导体加工设备的气路的 流量控制器与工艺腔室之间的控制气体是否流入所述工艺腔室的第一控制阀门，和控制气 体是否流入废气侧的第二控制阀门，其中：
[0026] 所述第一判断模块，用于读取工艺表单Recipe中所有气路的气体流量值，判断所 述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值是否相同，并得到第一判断结果
[0027] 所述第二执行模块，用于根据所述第一判断模块得到的第一判断结果，当所述工 艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值不同时，利用第三控制模块对气路的气 路流量进行控制；当所述工艺表单中每一气路在不同步骤中的非零气路流量值相同时，利 用第四控制模块对气路的气路流量进行控制；
[0028] 所述第三控制模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一气路的 气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步 骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤；
[0029] 所述第四控制模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，根据每一气路的非 零气路流量值对所有气路的气路流量值进行异步设置，并在每一工艺步骤中，根据所述工 艺表单中的气路流量值，当气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控 制阀门，关闭第二控制阀门；否则关闭所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，打开第二 控制阀门，并当气路流量稳定后执行相应的工艺步骤，直至完成所述工艺表单中的所有工 艺步骤。
[0030] 在其中一个实施例中，所述第三控制模块包括第三流量设置子模块，第三流量检 测子模块，第三判断子模块，以及第三加工子模块，其中：
[0031] 所述第三流量设置子模块，用于在每一工艺步骤中，根据所述工艺表单中的每一 气路的气路流量值对所有气路的气路流量进行异步设置；
[0032] 所述第三流量检测子模块，用于检测半导体加工设备中气路的气路流量是否稳 定，并得到检测结果；
[0033] 所述第三判断子模块，用于根据所述第三流量检测子模块的检测结果，当所述半 导体加工设备中气路的气路流量值稳定时，则利用第三加工子模块进行进一步处理；否则， 等待预定时间后，返回所述第三流量检测子模块进行进一步处理；
[0034] 所述第三加工子模块，用于半导体加工设备执行工艺表单中相应的加工工艺步 骤，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。
[0035] 在其中一个实施例中，所述第四控制模块包括第四流量记录子模块，第四流量设 置子模块，第四流量判断子模块，第四流量打开子模块，第四流量关闭子模块，以及第四加 工子模块，其中 ：
[0036] 所述第四流量记录子模块，用于遍历所述工艺表单中的气路流量值，读取每一气 路的非零气路流量值，并记录所述每一气路的非零气路流量值；
[0037] 所述第四流量设置子模块，用于根据所记录的每一气路的非零气路流量值，对所 述工艺表单中的所有气路的气路流量值进行异步设置；
[0038] 所述第四流量判断子模块，用于在每一工艺步骤中，判断每一气路流量值是否为 零，并得到第二判断结果；
[0039] 所述第四流量打开子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结 果，当气路的气路流量值不为零时，打开所述气路与工艺腔室之间的第一控制阀门，关闭所 述气路通向废气侧的第二控制阀门；
[0040] 所述第四流量关闭子模块，用于根据所述第四流量判断子模块得到的第二判断结 果，当气路的气路流量值为零时，打开所述气路通向废气侧的第二控制阀门，关闭所述气路 与工艺腔室之间的第一控制阀门；
[0041] 所述第四加工子模块，用于当气路流量稳定后，半导体加工设备执行工艺表单中 相应的加工工艺，直至完成所述工艺表单中的所有工艺步骤。
[0042] 在其中一个实施例中，本发明的半导体加工设备中气路控制的系统，还包括第五 设置模块；
[0043] 所述第五设置模块，用于根据所述工艺表单中的工艺步骤，当半导体加工设备完 成所述工艺表单中的所有工艺步骤时，将所有气路的气路流量值异步设置为零。
[0044] 本发明的有益效果包括：
[0045] 本发明提供的一种半导体加工设备中气路控制的方法及系统，根据工艺表单中气 路流量值是否固定可智能选择不同的方式进行气路切换，采用异步的方式对对气路的气路 流量进行设置，大大缩短了半导体加工工艺中气路流量设置的时间，提高半导体加工的生 产效率，针对气路非零气路流量值相同的工艺表单采用增加阀门，直接控制阀门开关的形 式对气路流量进行控制，结合气路流量的异步设置，进一步减小了用于气路设置的时间，对 半导体加工生成具有重要意义。
【附图说明】
[0046] 图1为本发明一种半导体加工设备中气路控制的方法的一具体实施例的流程图；
[0047] 图2为本发明一种半导体加工设备中气路控制的系统的一具体实施例的系统结 构示意图。
【具体实施方式】
[0048] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明实