去嵌入的测试结构及其测试方法和芯片的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路测试技术领域，特别涉及一种去嵌入的测试结构及其测试方法和采用所述去嵌入的测试结构的芯片。
【背景技术】
[0002]集成电路一般包括多个有源和无源的器件，例如电阻器、电感器、电容器、晶体管、放大器等。各个器件在整合进入集成电路之后，通常无法轻易地对其进行测试。为了确认某一器件是否符合设计要求，一般在制作该器件的同时在晶片上单独制作该器件的复制件，所述复制件与所述器件由相同工艺制造并具有相同的特征，通过测量所述复制件从而得到所述器件的各个特征。
[0003]所述复制件通常称为待测器件(device — under 一 test，简称DUT)，所述待测器件(DUT)能够正确地反映其对应的器件的特征。进行测量时，所述待测器件(DUT)通过导线(leads)和测试焊垫(test pads)与外围的测试设备进行电性连接，所述测试设备向所述待测器件(DUT)输出激励信号并采集从所述待测器件(DUT)返回的响应信号来进行处理分析。
[0004]对于射频电路和微波电路而言，通常利用散射参数(S)、导纳参数(Y)或阻抗参数(Z)表征测试结果，散射参数(S)、导纳参数(Y)或阻抗参数(Z)通常都有4个分量，散射参数(S)、导纳参数(Y)或阻抗参数(Z)之间可以互相转换。其中，S参数是建立在入射波、反射波关系基础上的，用以评估待测器件(DUT)反射信号和传送信号的性能，通过测试设备可以直接得到S参数表征的测试结果，因此通常以S参数为基础对电路进行分析和处理。
[0005]通过测试设备测对所述待测器件(DUT)进行测试分析时，由于与所述待测器件(DUT)连接的导线(leads)和测试焊垫(test pads)本身也具有电阻值、电容值和电感值等特征，会产生寄生效应(parasitics)影响待测器件(DUT)的测试结果。为了去除导线(leads)和测试焊垫(test pads)所产生的寄生效应(parasitics),通常借由称为去嵌入(de - embedding)方法以去除所述寄生效应，从而得到待测器件(DUT)本身的特征。在所述去嵌入(de - embedding)方法中，采用一去嵌入的测试结构，根据所述去嵌入的测试结构的测试数据得到待测器件(DUT)本身的测试结果。
[0006]请参考图1，其为现有技术的去嵌入的测试结构的结构示意图。如图1所示，现有的去嵌入的测试结构10包括三个相互独立的测试子结构，分别是未去嵌的整体结构Total、用以消除测试焊垫所引起的寄生效应的开路结构Open和用以消除导线所引起的寄生效应的短路结构Short，其中，所述整体结构Total包括一待测器件DUT，所述开路结构Open和短路结构Short均在所述整体结构Total的基础上去除了所述待测器件DUT，三个测试子结构均包含依次排列的第一对接地焊垫、第一对信号焊垫和第二对接地焊垫，所述待测器件DUT的包括一个接地端和两个信号端，接地端通过第一导线(1a或10a’)分别与第一对接地焊垫连接，两个信号端分别通过第二导线(1c或10c’)与第一对信号焊垫连接，所述开路结构Open中的信号焊垫与接地焊垫之间都是断开的，而短路结构Short中的第一对接地焊垫分别与第三导线(1b或10b’)连接，短路结构Short中的第一对信号焊垫分别与第四导线(1d或10d’)连接，短路结构Short中的第一对信号焊垫与第一对接地焊垫通过导线直接相连。
[0007]利用所述去嵌入的测试结构10进行去嵌，得到待测器件DUT本身的测试结果。去嵌的主要过程如下:首先，通过外围的测试设备分别对所述整体结构Total、开路结构Open和短路结构Short进行测试得到以散射参数(S)表征的测试数据，所述整体结构Total、开路结构Open和短路结构Short的测得的散射参数值分别是St()tal、S_n和Sshtjrt ;接着，进行去嵌计算得到去嵌后的测试数据，即待测器件DUT本身的测试结果。
[0008]去嵌计算包括以下步骤:
「0009? S ~>- V tS ~>- V V =γ — V V ~>- 7.Lvvvw」 UtotaII total? ^open 1 open? 1 demopen 1 total1 open? 1 demopen ^demopen，
[001 O] SsJlort Yshort，Ysht Yshort ^open? Ysht ^sht?
[0011]ZfJut-ZcJem0Pen ZsJlt ；
[0012]其中，“一”表示参数转换，Ytotal为Stotal的导纳参数值，Ytjpen为Stjpen的导纳参数值，
Yshort ^short
的导纳参数值，
Zdemopen ^ Ydemopen
的阻抗参数值，
^demshort ^ Ydemshort
的阻抗参数值。
[0013]去嵌后，所述待测器件DUT的测试结果显示为阻抗参数值Zdut，根据实际需要可以将所述阻抗参数值Zdut继续转换为散射参数值sdut。
[0014]然而，现有的去嵌入的测试结构10存在高估寄生效应的问题。如图1所示，短路结构Short中的第三导线(1b或10b’)明显要比整体结构Total中的第一导线(1a或10a’)长，而导线引起的寄生效应通常与所述导线的长度成正比，因此利用现有的去嵌入方法对整体结构Total进行去嵌时，所述整体结构Total中的导线引起的寄生效应被高估了，造成过度去嵌。因此，如何解决现有的去嵌入方法存在高估寄生效应的问题，已经成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
【发明内容】
[0015]本发明的目的在于提供一种去嵌入的测试结构及其测试方法和芯片，以解决现有的去嵌入的测试结构存在高估寄生效应的问题。
[0016]为解决上述技术问题，本发明提供一种去嵌入的测试结构。所述去嵌入的测试结构包括:
[0017]相互独立的整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构，所述整体结构具有一待测器件，所述开路结构、短路结构和穿透结构均在所述整体结构的基础上去除了所述待测器件。
[0018]优选的，在所述的去嵌入的测试结构中，所述整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构均包含依次排列的第一对接地焊垫、第一对信号焊垫和第二对接地焊垫。
[0019]优选的，在所述的去嵌入的测试结构中，所述整体结构的待测器件具有一接地端和两个信号端，所述接地端分别通过两条第一导线与所述整体结构的第一对接地焊垫连接，所述两个信号端分别通过两条第二导线与所述整体结构的第一对信号焊垫连接；
[0020]所述开路结构的第一对接地焊垫分别与两条第三导线连接，所述开路结构的第一对信号焊垫分别与两条第四导线连接；
[0021]所述短路结构的第一对接地焊垫分别与两条第五导线连接，所述短路结构的第一对信号焊垫分别与两条第六导线连接，两条第五导线分别与两条第六导线连接；
[0022]所述穿透结构的第一对信号焊垫分别与两条第七导线连接，所述两条第七导线之间相互连接。
[0023]优选的，在所述的去嵌入的测试结构中，所述第三导线的长度和宽度与所述第一导线的长度和宽度相等，所述第四导线和第六导线的长度和宽度与所述第二导线的长度和宽度相等。
[0024]本发明还提供了一种芯片，所述芯片包括如上所述的去嵌入的测试结构。
[0025]本发明还提供了一种去嵌入的测试方法，所述去嵌入的测试方法包括:
[0026]提供一去嵌入的测试结构，所述去嵌入的测试结构包括相互独立的整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构，所述整体结构具有一待测器件，所述开路结构、短路结构和穿透结构均在所述整体结构的基础上去除了所述待测器件；
[0027]分别测试所述整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构，得到所述整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构的散射参数值；
[0028]分别测量所述整体结构、短路结构和穿透结构中的导线长度；
[0029]根据测得的导线长度和所述整体结构、开路结构、短路结构和穿透结构的散射参数值进行去嵌计算，得到所述待测器件本身的测