磁畴不连续部L之间的边界处的电子枪异常检测装置I的检查区域设为R3。
[0033]图3以及图4是在检查区域R检测出电子枪3的异常时的检查图像的示意图。如图3以及图4所示，在利用磁畴细化装置2实施磁畴细化处理后的钢板S的表面形成有磁畴不连续部L。另外，在磁畴不连续部L之间，形成有沿着滚轧方向排列的主磁畴M。
[0034]如图3所示，电子枪异常检测装置I得到了在检查区域R的上半部分的磁畴不连续部L与检查区域R的下半部分的磁畴不连续部L宽度不同的检查结果。在得到了图3所示的检查结果的情况下，可以认为向宽度变窄的磁畴不连续部L照射电子束的电子枪3的灯丝劣化。
[0035]另一方面，如图4所示，电子枪异常检测装置I得到了在检查区域R的上半部分的磁畴不连续部L与检查区域R的下半部分的磁畴不连续部L位置偏移的检查结果。在得到了图4所示的检查结果的情况下，可以认为产生了电子枪3的机械位置的偏移、或者从电子枪3照射电子束的时机的偏移。
[0036]如图3以及图4所示，由于本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I在磁畴不连续部L的各划分的边界进行检查，所以能够同时检查磁畴细化装置2的电子枪3中的两个电子枪3的异常。因此，本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I能够通过相比磁畴细化装置2的电子枪3的设置台数更少的检查点处的检查，来检测电子枪3的异常。
[0037]以下，参照图5?图8对本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I的具体结构进行说明。
[0038]图5是表示电子枪异常检测装置I的检查单元4的内部构成例的示意图。电子枪异常检测装置I在生产线暂时停止时，通过驱动检查单元4，而与钢板S接触来检查电子枪3的异常。
[0039]如图5所示，检查单元4具备:磁光元件5，其将钢板S的磁畴构造转换为光学特性；支架6，其经由弹性体将磁光元件5固定于检查单元4 ;以及反射光学系统，其向磁光元件5照射直线偏振光来检测由磁光元件5反射的反射偏振光。即，作为反射光学系统，检查单兀4具备光源7、准直透镜8、偏光镜(偏振滤光器)9、半透半反镜10、检光镜(偏振滤光器)11、以及检测器12。
[0040]磁光元件5是一种通过被称为法拉第效应的磁光学效应将钢板S的磁畴构造转换为光学特性的元件。所谓法拉第效应是一种在使直线偏振光透过物质时，偏振光面由于该物质所感应到的磁场而旋转的效应，列举有磁性石植石(magnetic garnet)作为起到该法拉第效应的代表物质。更具体而言，能够利用Bi置换出的钆铁石榴石等。
[0041 ] 通过驱动检查单元4，从而磁光元件5与钢板S的检查区域R接触，将钢板S的磁畴构造转印至磁光元件5，从而照射于磁光元件5的偏振光的偏振光面旋转。此外，支架6为了缓和驱动检查单元4而使磁光元件5与钢板S接触时的冲击，经由弹性体将磁光元件5固定于检查单元4。
[0042]光源7用于向磁光兀件5照射直线偏振光，例如使用半导体激光光源或者LED光源等一般光源。光源7并非一定是直接射出偏振光的光源，而与偏光镜(偏振滤光器)9组合地产生照射磁光元件5的直线偏振光。另外，光源7为了能够将偏振光作为平行光射出，而与准直透镜8等光学元件组合使用。例如使用绿色LED光源(波长505nm)，则对比度提尚O
[0043]偏光镜9是将从光源7射出的光线转换为直线偏振光的偏振滤光器。偏光镜9通过调整与检光镜11的相对角度，来进行由检测器12检测的偏振光的调整。S卩，偏光镜9具有旋转机构，能够调整直线偏振光的偏振光面的角度。此外，当在检光镜11具有旋转机构的情况下，能够省略偏光镜9中的旋转机构。
[0044]半透半反镜10是一种光路分割机构，其将透过偏光镜9的直线偏振光导入磁光兀件5，将由磁光元件5反射的反射偏振光导入检测器12。检光镜11通过调整与上述的偏光镜9的相对角度，来进行由检测器12检测的偏振光的调整。检测器12是一种所谓的CCD照相机或者CMOS照相机等通常的二维图像取得装置。通过PC等其他的图像处理机构13对由检测器12检测出的图像实施适当的图像处理。
[0045]此外，通过在图5中未图示的透镜等光学元件，以照射于磁光元件5时的光束直径与磁光元件5的大小一致的方式进行调整。并且，从磁光元件5到检测器12的光学系统形成为远心光学系统。
[0046]图6是表示磁光元件5的构成例的剖视图。如图6所示，磁光元件5从面向钢板S的方向按顺序由保护膜5a、反射膜5b、磁光学膜(magnetooptic film) 5c、以及基板5d构成。此外，磁光学膜5c优选在组成中包含磁性石榴石。照射于该磁光元件5的偏振光射入基板5d，透过磁光学膜5c，被反射膜5b反射后，再次透过磁光学膜5c以及基板5d，并从磁光元件5射出。
[0047]图7以及图8是对本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I的驱动方式进行说明的概略结构图。图7是电子枪异常检测装置I的驱动机构的侧视图，图8是电子枪异常检测装置I的驱动机构的俯视图。
[0048]如图7以及图8所示，在本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I中，检查单元4能够沿着垂置于钢板S的生产线的两侧的导轨14上下移动。检查单元4被设置为能够通过车轮15而在导轨14上移动，在车轮15的车轴16上分别设置有马达17。检查单元4通过马达17的旋转驱动而沿着导轨14上下移动。
[0049]如图7以及图8所示，检查单元4具备接近传感器18。接近传感器18是用于测定检查单元4与钢板S的表面之间的距离的传感器。本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置1，在检查单元4下降使磁光元件5与钢板S的表面接触时，以钢板S的表面以及磁光元件5不会由于碰撞而受到损伤的方式在钢板S的附近以低速下降。接近传感器18检测应将检查单元4的下降速度变更为低速的高度。
[0050]此外，图7以及图8所示的驱动机构只不过是一个能够用于本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置I的例子。因此，并不局限于图7以及图8所示的驱动机构，还能够采用绞盘式等其他机构。另外，图7以及图8所示的驱动机构虽将检查单元4作为整体而进行驱动，但还能够构成为仅驱动检查单元4所包括的一部分的构成要素，例如仅驱动磁光元件5以及支架6。
[0051]电子枪异常检测方法
[0052]以下，对本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测方法进行说明。此外，在以下的说明中，虽然参照本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测装置的构成的附图等对本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测方法进行说明，但本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测方法并不被这些附图所表示的结构所限定。
[0053]图9是表示本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测方法的流程图。如图9所示，本发明的实施方式所涉及的电子枪异常检测方法是在钢板S的生产线停止的状态下进行的(步骤Si)。虽该生产线停止的时机例如为连接钢板S的线圈时的停止时是有效率的，但也可以为另外设定电子枪异常检测用的停止时。
[0054]接下来，电子枪异常检测装置I的检查单元4向钢板S的表面下降(步骤S2)。通过检查单元4向钢板S的表面下降，从而磁光元件5与钢板S的检查区域R接触，将钢板S的磁畴构造转印至磁光元件5的磁光学膜5c。
[0055]之后，取得钢板S的磁特性(步骤S3)。即，通过向磁光元件5照射直线偏振光，直线偏振光通过磁光元件5的磁光学膜5c，从而产生基于法拉第效应的偏振光面的旋转，检查单元4借助该偏振光面的旋转，检测钢板S的磁畴构造。
[0056]此外，利用PC等其他图像处理机构13对检测出的钢板S的磁畴构造实施适当的图像处理(步骤S4)。图像处理机构13对于可视化的钢板S的磁畴构造的图像进行磁畴不连续部评价，检测磁畴与磁畴不连续部之间的边界。并且，图像处理机构13基于磁光元件5的大小、测定光学系统的倍率、到钢板S的距离等，进行磁畴不连续部的宽度评价(步骤 S5) ο
[0057]之后，控制机构Ib进行磁畴不连续部的宽度的判定(步骤S6)。该磁畴不连续部的宽度的判定不仅是判定磁畴不连续部的宽度是否在规定宽度范围内，还判定是否产生磁畴不连续部的偏移。即，如图3以及图4所示，电子枪3的异常出现在检查区域R的磁畴不连续部L的出现方式存在多种。因此，控制机构Ib在检查区域R的上半部分的磁畴不连续部L与检查区域R的下半部分的磁畴不连续部L宽度不同的情况下，推断为电子枪3的灯丝劣化，在检查区域R的上半部分的磁畴不连续部L与检查区域R的下半部分的磁畴不连续部L位置偏移的情况下，推断为产生了电子枪3的