部的桐没有闭塞，且表 面已被充分地粗化。进一步，可知即使是在该情况下，连续研磨10个批次，还是可得到平坦 度高的晶圆。同样地，除了在初期修整中所使用的钻石磨粒是粒度号数#170的高粒度号数 的钻石磨粒与粒度号数#140的低粒度号数的钻石磨粒W外，利用与上述同样的条件来实行 修整。即使在该情况下，发泡部的桐也没有闭塞且表面已被充分地粗化，可知即使连续研磨 10个批次，还是可得到平坦度高的晶圆。从W上结果，可知如果使用本发明的修整装置，贝U 能够改善在晶圆的制造中的生产率。
[0059] (比较例1)
[0060] 除了仅使用粒度号数#325的钻石磨粒及在第3个批次测定经单面研磨后的晶圆的 平坦度W外，利用与实施例1同样的条件来实施发泡聚胺醋垫的初期修整、晶圆的研磨、及 平坦度测定。
[0061] 其结果，如图7、表1所示，可知虽然发泡部的桐没有闭塞而是敞开，但是桐W外的 表面并没有被充分地粗化。因此，如图8所示，可知虽然从实施修整的第3个批次所研磨的晶 圆的GBIR是0.079(皿），SFQRmax是0.029(μπι)，SBIRmax是0.055(皿），其平坦度良好，但是如 果连续研磨3个研磨批次W上，就不能够得到平坦度良好的晶圆。运样，可知在比较例1中可 得到平坦度良好的晶圆的批次数的最大值变小，于是必须将修整间隔设为较短的3个批次 W下，所W在晶圆制造中的生产率相较于实施例1会恶化。
[0062] 此外，将钻石磨粒的粒度号数改变成#170、#200、#230，且同样地实施发泡聚胺醋 垫的初期修整、晶圆的研磨、及平坦度测定。其结果，如表1所示，可知仅使用粒度号数#230 的钻石磨粒的情况，与仅使用粒度号数#325的钻石磨粒的情况相同，可得到平坦度良好的 晶圆的批次数的最大值变短成3个批次。仅使用粒度号数#170或#200的钻石磨粒的情况下， 可得到平坦度良好的晶圆的批次数的最大值稍有改善，变成5个批次，但是仅是实施例1的 一半。
[0063] (比较例2)
[0064] 除了仅使用粒度号数#100的钻石磨粒及在第1个批次测定经单面研磨后的晶圆的 平坦度W外，利用与实施例1同样的条件来实施发泡聚胺醋垫的初期修整、晶圆的研磨、及 平坦度测定。
[0065] 其结果，如图7、表1所示，可知发泡部的桐被闭塞。因此，如图8所示，从刚实施修整 后的第1个批次中所研磨的晶圆的GBIR是0.314(4111)，5。9咖日义是0.038(4111)，581咖日又是 0.074(皿），相较于实施例1大幅恶化。而且，研磨后的晶圆呈中间凹陷形状，晶圆形状恶化。 运样，可知在该发泡聚胺醋垫的表面状态下，是不能得到如实施例1那样的平坦度良好的晶 圆。
[0066] 此外，将钻石磨粒的粒度号数改变成#60、#80、#120、#140，且同样地实施发泡聚胺 醋垫的初期修整、晶圆的研磨、及平坦度测定。其结果，如表1所示，可知在全部情况中发泡 部的桐均闭塞，而且不能得到如实施例1那样的平坦度良好的晶圆。
[0067] (比较例3)
[0068] 除了组合使用粒度号数#60与#140的巧巾低粒度号数的钻石磨粒及在第1个批次测 定经单面研磨的晶圆的平坦度W外，利用与实施例1同样的条件来实施发泡聚胺醋垫的初 期修整、晶圆的研磨、及平坦度测定。
[0069] 其结果，如表1所示，可知发泡部的桐均闭塞，而且不能得到如实施例1那样平坦度 良好的晶圆。
[0070] (实施例2)
[0071] 施加与实施例1相同的条件，使用本发明的修整装置来实行初期修整和每隔10个 研磨批次的批次间修整，并测定单面研磨后的晶圆的GBIR。在实施例2中，将批次间修整的 时间设为180秒，在平坦度的测定中使用KLA-Tencor公司所制造的平坦度测试器 WaferSight2〇
[0072] 其结果，如图9所示，可知GBIR的平均值（图9中的Ave值)变成107.9(皿），标准偏差 (图9中的s值)变成29.4(nm)，在修整后的第1个批次所研磨的晶圆的平坦度与在第10个批 次所研磨的晶圆的平坦度的变化量少。因此，可知即使将修整间隔设为较长的10个研磨批 次，还是可得到平坦度高的晶圆。
[0073] (比较例4)
[0074] 除了仅使用粒度号数#325的钻石磨粒W外，利用与实施例2同样的条件来实施发 泡聚胺醋垫的初期修整、批次间修整、晶圆的研磨、及平坦度测定。
[0075] 其结果，如图9所示，可知GBIR的平均值（图9中的Ave值)变成142.4(皿），标准偏差 (图9中的S值)变成59.0(nm)，在修整后的第1个批次所研磨的晶圆的平坦度与在第10个批 次所研磨的晶圆的平坦度的变化量大。因此，可知在该情况下如果将修整间隔设为较长的 10个研磨批次，则只有在修整后的前几个批次中可得到平坦度高的晶圆。
[0076] 在表1中归纳表示实施例、比较例中的实施结果。
[0077] [表1]
[007引
[0079]另外，本发明不限定于上述实施方式。上述实施方式是例示，只要是与本发明的权 利要求书所记载的技术思想具有实质上相同的结构且发挥同样作用效果，均包含在本发明 的技术范围内。
【主权项】
1. 一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接触至用于研磨的发泡聚胺酯垫，来修整 所述用于研磨的发泡聚胺酯垫，其特征在于， 所述钻石磨粒被支撑在台座上； 被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的钻石磨粒是由粒度号 数在#170以上的高粒度号数的钻石磨粒与在#140以下的低粒度号数的钻石磨粒构成，并以 使所述多种粒度号数的钻石磨粒各自与所述发泡聚胺酯垫接触的修整面的高度位置在同 一平面上的方式，使所述钻石磨粒被支撑在所述台座上。2. 根据权利要求1所述的修整装置，其特征在于，通过所述台座来支撑钻石片，在该钻 石片上各自固定有所述多种粒度号数的钻石磨粒，并利用调节所述钻石片的厚度，使各个 钻石磨粒的所述修整面的高度位置变成在同一平面上。3. 根据权利要求1或2所述的修整装置，其特征在于，利用调节所述台座的高度，使各个 钻石磨粒的所述修整面的高度位置变成在同一平面上。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的修整装置，其特征在于，所述台座是甜甜圈形状， 该台座被分割成多个片段，被分割而成的该多个片段各自支撑所述高粒度号数的钻石磨粒 与所述低粒度号数的钻石磨粒的任一方，且支撑所述高粒度号数的钻石磨粒的片段与支撑 所述低粒度号数的钻石磨粒的片段在同一圆周上被交互地配置。5. -种修整方法，其使用权利要求1至4中任一项所述的修整装置来修整萧氏D型硬度 在30以下的所述用于研磨的发泡聚胺酯垫。
【专利摘要】本发明是一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接触至用于研磨的发泡聚胺酯垫，来修整用于研磨的发泡聚胺酯垫，其特征在于：钻石磨粒被支撑在台座上，被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的钻石磨粒是由粒度号数在#170以上的高粒度号数的钻石磨粒与在#140以下的低粒度号数的钻石磨粒构成，并以使多种粒度号数的钻石磨粒各自与发泡聚胺酯垫接触的修整面的高度位置在同一平面上的方式，被支撑在台座上。由此，提供一种修整装置，其在不闭塞发泡聚胺酯垫的发泡孔的情况下，利用一次的修整就能将表面充分地粗化，并能够缩短修整时间且能够设定较长的修整间隔，从而能够抑制生产率降低。
【IPC分类】B24B53/02, H01L21/304, B24D3/00, B24D7/06, B24B53/12, B24B37/00
【公开号】CN105531082
【申请号】CN201480049857
【发明人】上野淳一, 佐藤三千登, 石井薰
【申请人】信越半导体株式会社
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2014年9月22日
【公告号】DE112014003809T5, WO2015056405A1