用于研磨的发泡聚胺酯垫的修整装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种修整装置，其修整用于研磨晶圆的发泡聚胺醋垫。
【背景技术】
[0002] 在晶圆的研磨中，为了提升晶圆的表面的平坦度而使用发泡聚胺醋垫。该用于研 磨的发泡聚胺醋垫，在开始使用前，要实行用于磨合的初期修整，之后，要定期地在研磨批 次之间实行批次间修整。运样，通过定期地修整发泡聚胺醋垫，来实行发泡聚胺醋垫的整 形，W维持研磨后的晶圆的平坦度质量。
[0003] -般使用具有钻石磨粒的修整装置来修整发泡聚胺醋垫。修整装置，是将规则或 不规则地排列在台座上的一种粒度号数的钻石磨粒，压抵且滑动接触至发泡聚胺醋垫上， 来实行修整。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本专利公开平成11-000868号公报
【发明内容】
[0007] (一)要解决的技术问题
[000引树脂硬度柔软的发泡聚胺醋垫（特别是萧氏D型硬度硬度，shore D hardness)在30W下的发泡聚胺醋垫）的修整，如上所述，虽然是利用具有钻石磨粒的修整 装置来实行，但是钻石磨粒通常使用一种粒度号数的钻石磨粒，可W使用粒度号数是#60、# 100、#325的钻石磨粒中的任一种。但是，如果仅利用粒度号数是#60或#100的低粒度号数的 钻石磨粒来修整发泡聚胺醋垫，则坚硬的钻石磨粒会卡在发泡部的桐中，造成聚胺醋树脂 拉伸而使垫子内的发泡部的桐闭塞。而且，发泡部的桐被闭塞的发泡聚胺醋垫，在研磨加工 时不能够充分地保持浆液，从而产生所研磨的晶圆的平坦度不够良好的问题。
[0009] 此外，如果仅利用粒度号数为#325的高粒度号数的钻石磨粒来修整发泡聚胺醋 垫，则发泡部的桐不会被闭塞，但是由于钻石的磨粒变细，从而不能够充分地粗化发泡部的 聚胺醋垫的表面。因此，发泡聚胺醋垫的表面的粗糖度变小，研磨后晶圆的平坦度的良好状 态不能持久，而造成修整间隔（Kレス斗シ夕一八瓜，化ess interval)必将变短。例如，在 使用粒度号数为#325的钻石磨粒的情况下，如果没有每隔3个批次就进行修整，则继续研磨 的晶圆的平坦度就不会良好。其结果是，只好增加实行修整的次数，从而产生在晶圆的制造 中生产率降低的问题。
[0010] 作为能够充分地粗化发泡聚胺醋垫的表面且能够减少发泡部的桐的闭塞的修整 方法，有使用具有高粒度号数的钻石磨粒的修整装置与具有低粒度号数的钻石磨粒的修整 装置，逐一地各自实行1次修整的方法。但是，该方法的可操作性差，在修整上耗时从而会使 晶圆制造中的生产率降低。
[OOW 此外，在专利文献1中，记载有一种修整装置，其将粒径(粒度号数休同的钻石磨 粒配列在一个底座上。但是，因为底座的高度固定，所w各个钻石磨粒的修整面的高度位置 不同，造成研磨垫与钻石磨粒的接触量会根据磨粒的粒径而改变。即，磨粒直径小的高粒度 号数的钻石磨粒与研磨垫的接触量减少，从而产生高粒度号数的钻石磨粒没有充分发挥功 能的问题。
[0012]本发明是鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种修整装置，其在不会闭塞发 泡聚胺醋垫的发泡部的桐的情况下，只要一次的修整就能充分地将表面粗化，从而能够缩 短修整时间且能够设定较长的修整间隔，并能够抑制晶圆制造中的生产率降低。
[OOK](二很术方案
[0014] 为了实现上述目的，根据本发明，提供一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接 触至用于研磨的发泡聚胺醋垫，W修整所述用于研磨的发泡聚胺醋垫，其特征在于，所述钻 石磨粒被支撑在台座上，被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的 钻石磨粒是由粒度号数在#17〇W上的高粒度号数的钻石磨粒与在#14〇W下的低粒度号数 的钻石磨粒构成，并W所述多种粒度号数的钻石磨粒各自与所述发泡聚胺醋垫接触的修整 面的高度位置在同一平面上的方式，使所述钻石磨粒被支撑在台座上。
[0015] 如果是运种修整装置，能够使高粒度号数与低粒度号数的钻石磨粒同时滑动接触 至发泡聚胺醋垫上，而且能够在不使发泡聚胺醋垫的发泡孔闭塞的情况下，利用1次的修整 来将表面充分地粗化。其结果为，只要较短的修整时间即可，能够进一步设定较长的修整间 隔，从而能够在不降低生产率的情况下来实行修整。
[0016] 此时，通过所述台座来支撑钻石片（歹斗个;^シKクレッKdiamond pellet)，在该 钻石片上各自固定有所述多种粒度号数的钻石磨粒，并利用调节所述钻石片的厚度，能够 使各个钻石磨粒的所述修整面的高度位置变成在同一平面上。
[0017] 运样，如果调节所述钻石片的厚度，则能够容易地使各个钻石磨粒的所述修整面 的高度位置在同一平面上。
[0018] 此外，此时，通过调节所述台座的高度，能够使各个钻石磨粒的所述修整面的高度 位置变成在同一平面上。
[0019]运样，如果调节所述台座的高度，则在直接将钻石磨粒电沉积（electrode position)在台座上的情况下，也能够使各个钻石磨粒的修整面的高度位置在同一平面上。
[0020] 此时，所述台座是甜甜圈形状，该台座被分割成多个片段(^rク7^シKsegment)， 被分割而成的该多个片段各自支撑所述高粒度号数的钻石磨粒与所述低粒度号数的钻石 磨粒中的任一方，优选支撑所述高粒度号数的钻石磨粒的片段与支撑所述低粒度号数的钻 石磨粒的片段在同一圆周上被交互地配置。
[0021] 如果是运种装置，则能够更有效且没有不均匀地修整发泡聚胺醋垫，并能够更切 实且不使生产率降低地进行修整。
[0022] 此外，能够使用本发明的修整装置来修整萧氏D型硬度在30W下的所述用于研磨 的发泡聚胺醋垫。
[0023] 如果是运种修整方法，则能够将高粒度号数与低粒度号数的钻石磨粒同时滑动接 触至发泡聚胺醋垫上，而且能够有效且高效地修整柔软的发泡聚胺醋垫，该柔软的发泡聚 胺醋垫用W研磨高平坦度的晶圆。
[0024] (立巧益效果
[0025] 如果是本发明的修整装置，其在不使发泡聚胺醋垫的发泡部的桐闭塞的情况下， 利用1次的修整就能将表面充分地粗化，从而能够缩短修整时间。通过使用该装置进行1次 的修整，修整后的发泡聚胺醋垫的表面的浆液的保持性良好，且表面的粗糖度能够长时间 维持在适当的状态，所W能够设定较长的修整间隔。其结果为，在晶圆的制造中能够大幅改 善生产率。
【附图说明】
[0026] 图1是表示本发明的修整装置的一例的概略图。
[0027] 图2是表示本发明的修整装置的台座的配列的概略图。
[0028] 图3是表示将本发明的修整装置中的钻石磨粒规则排列时的概略图。
[0029] 图4是表示将本发明的修整装置中的钻石磨粒不规则排列时的概略图。
[0030] 图5是从侧面来观察本发明的修整装置的一部分的放大图。
[0031] 图6是从侧面来观察使用本发明的修整装置来修整发泡聚胺醋垫时的概略图。
[0032] 图7是实施例1、及比较例1、2中的发泡聚胺醋垫的表面状态的观察结果。
[0033] 图8是实施例1、及比较例1、2中的单面研磨后的平坦度的测定结果。
[0034] 图9是实施例2和比较例3中的全局平整度的测定结果。
【具体实施方式】
[0035] 下面，针对本发明来说明实施方式，但是本发明不限定于该实施方式。
[0036] 在使用了粒度号数小(平均粒径大）的钻石磨粒的修整装置中，发泡聚胺醋垫的发 泡部的桐被闭塞是造成研磨晶圆的平坦度恶化的主要原因。此外，在使用了粒度号数大(平 均粒径小）的钻石磨粒的修整装置中，不能充分地粗化发泡聚胺醋垫的表面，且必须设定较 短的修整间隔，从而使得生产率恶化。
[0037] 此处，本发明人等为了解决运种问题，想到将具有两种W上的钻石磨粒同时滑动 接触至发泡