1.一种适用于涂膜表面的真空镀膜设备，其特征在于，所述适用于涂膜表面的真空镀膜设备设置有上挂预备腔室、紫外固化腔室、等离子辐照腔室、磁控溅射沉积腔室、冷却腔室、下挂取样腔室；
所述上挂预备腔室、紫外固化腔室、等离子辐照腔室、磁控溅射沉积腔室、冷却腔室、下挂取样腔室内设有用于挂架产品台的推送机构；
所述上挂预备腔室、紫外固化腔室、等离子辐照腔室、磁控溅射沉积腔室、冷却腔室、下挂取样腔室之间设置有插板阀；上挂预备腔室、下挂取样腔室与大气连通的一侧采用翻板阀密封。
2.如权利要求1所述的适用于涂膜表面的真空镀膜设备，其特征在于，所述紫外固化腔室、等离子辐照腔室和磁控溅射沉积腔室内设有用于挂架的转动装置。
3.如权利要求1所述的适用于涂膜表面的真空镀膜设备，其特征在于，所述紫外固化腔室腔体内壁均匀布置于打底漆固化的紫外光源。
4.如权利要求1所述的适用于涂膜表面的真空镀膜设备，其特征在于，所述等离子辐照腔室采用平行电极方式产生等离子体，电极布置于离子辐照腔室腔体的前后侧。
5.如权利要求1所述的适用于涂膜表面的真空镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射沉积腔室中的磁控溅射源布置于腔体的前后侧，采用多组磁控溅射靶同时镀覆。
6.一种如权利要求1所述的适用于涂膜表面的真空镀膜设备的真空镀膜方法，其特征在于，所述真空镀膜方法包括以下步骤：
(1)工件经电泳打底、纯水喷淋、脱干水后置于真空镀挂架上，打开翻板阀，将挂架与推送装置相关联，关闭翻板阀，在温度为80℃环境条件下烘烤20分钟；
(2)打开插板阀，将挂架推送入紫外固化，关闭插板阀，用机械泵抽真空至小于10Pa，再向腔室内充入净化空气，启动转动装置，挂架转速5转/分钟，在强度为3500mj/cm2的LED-UV固化机照射2min，完成打底层固化；
(3)打开插板阀，将挂架推送到等离子体辐照室，关闭插板阀，用机械泵、罗茨泵，迅速恢复等离子辐照腔室的真空度到3×10-1Pa，再向等离子辐照腔室充入Ar/O2混合气，Ar/O2体积比为95：5，气体流量为200SCCM，调节真空度至100Pa，采用直流辉光方法产生等离子体，施加电压1500V，工件进行等离子体辐照时间为10分钟；
(4)停止等离子体辐照室进气后，恢复真空至3×10-1Pa，打开插板阀，将挂架推送至磁控溅射沉积腔室，关闭插板阀，用机械泵、罗茨泵、分子泵组抽真空至3×10-4Pa，向磁控溅射沉积腔室内通入高纯Ar气，流量为60SCCM，调节真空度至2Pa，进行脉冲磁控溅射镀铝，铝靶纯度99.99％，靶到工件表面直线距离5cm，电源功率3千瓦，频率15kHz，占空比30％，施镀5分钟；
(5)停止磁控溅射沉积腔室进气，恢复真空至3×10-4Pa，同时，冷却室用机械泵、罗茨泵、分子泵抽真空至3×10-4Pa；此时打开插板阀，将挂架推送入冷却腔室，关闭插板阀，暂存产品进行充分冷却；
(6)将下挂取样腔室抽真空至3×10-1Pa，待工件充分冷却后，打开翻板阀，将挂架推送入下挂取样腔室，关闭插板阀，恢复冷却腔室真空至3×10-4Pa，同时下挂取件室停止抽真空操作，充入空气，腔室内外压力平衡时打开翻板阀即可取工件；
(7)循环上述操作，即可实现涂膜打底工件的连续真空镀膜。
7.一种使用权利要求1-5任意一项所述适用于涂膜表面的真空镀膜设备的电子产品涂膜工艺。
8.一种使用权利要求1-5任意一项所述适用于涂膜表面的真空镀膜设备的光学元件涂膜工艺。
9.一种使用权利要求1-5任意一项所述适用于涂膜表面的真空镀膜设备的传感器涂膜工艺。