储能电容4的连接，此时由所述二级储能电容4单独为雷达发射信号提供所需的峰值功率。
[0025]具体的，所述电流检测与调制电路3包括依次连接的采样电阻31和MOSFET(标记30所示)，所述采样电阻31 —端连接所述一级储能电容2，另一端连接所述MOSFET(标记30所示)的源极或漏极，所述MOSFET(标记30所示)一端连接所述采样电阻31后，另一端还连接所述二级储能电容4。
[0026]在所述采样电阻31两端还连接有差分放大电路32，所述差分放大电路32后级还依次连接有延时比较电路33、门限比较与滞环电路34和MOSFET驱动电路35，所述MOSFET驱动电路35还至所述MOSFET(标记30所示)的栅极。
[0027]所述差分放大电路32用于对所述采样电阻31上的电压进行差分放大，经过差分放大之后的第一差分放大信号被送入所述延时比较电路33进行延时处理为第二差分放大信号;所述延时比较电路33在延时时间完成后，将所述第二差分放大信号送入所述门限比较与滞环电路34，所述门限比较与滞环电路34用于将所述第二差分放大信号进行回差处理，并输出回差信号;所述MOSFET驱动电路35接收并根据所述回差信号开启或关闭所述MOSFET(标记30所示)。
[0028]其中，所述回差信号用于避免MOSFET驱动电路35频繁开启所述MOSFT(标记30所示)而造成电源I损坏。
[0029]本实施例所述两级储能供电电路的工作过程为:电源I在开机阶段给一级储能电容2和二级储能电容4进行充电，而当雷达开始工作，即雷达处于发射状态时，此时由所述电源和一级储能电容2为雷达发射信号提供所需的峰值功率，由于电源I和一级储能电容2长时间提供峰值功率，会导致电源I进入电流保护点，因此通过设定延时，使电源I在不进入电流保护点的情况下和所述一级储能电容2在所述延时时间的安全范围内，为雷达的信号发射提供峰值功率，而在延时时间完成后，则通过所述电流检测与调制电路3断开一级储能电容2与所述二级储能电容4的连接，此时由所述二级储能电容4单独为雷达的信号发射提供所需的峰值功率，从而保护电源I不进入电流保护点，同时也实现了以较小功率等级的电源I可以瞬时提供高于自身额定功率的能量而不损坏或者进入保护模式;其中，还可通过使用不同容量的一级储能电容2，从而根据实际需求调整所述延时时间，从而调整峰值功率的持续时间，以适应不同的峰值功率要求。
[0030]所述雷达停止发射信号后，此时电路中不再需要提供峰值功率，此时，所述二级储能电容4停止向雷达提供峰值功率，此时所述二级储能电容4也电压跌落到一定值，而采样电阻采集到电路中的电压跌落，此时可通过电流检测与调制电路3进行延时设定，在延时时间完成后开启MOSFET(标记30所示)，使电源I为所述二级储能电容4充电，为下一次雷达信号发射所需的峰值功率做准备；同样的，还可以通过使用不同容量的二级储能电容4值，可以调整所述二级储能电容4的电压跌落值，以适应不同的峰值功率要求。
[0031]综上，本实施例所述的两级储能供电电路可以以较小功率等级的电源I，瞬时提供高于自身额定功率的能量而不损坏或者进入保护模式；同时，通过使用不同容量的一级储能电容2和二级储能电容4，还使得所述电源I电流保护点得以调整，因而整个电路的峰值功率持续时间、电源I电流保护点以及允许的最大电压跌落均可以独自进行调整。
[0032]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种两级储能供电电路，其特征在于，包括:依次连接的电源、一级储能电容、电流检测与调制电路和二级储能电容，所述电流检测与调制电路用于根据电路中的电压进行延时设定，并在延时时间完成之后断开所述一级储能电容与所述二级储能电容的连接； 所述电源在雷达未处于发射状态时对所述一级储能电容和二级储能电容进行充电；在雷达处于发射状态时，所述电源与所述一级储能电容在所述延时时间内为雷达发射信号提供所需的峰值功率，在延时时间完成后通过所述电流检测与调制电路断开所述一级储能电容与所述二级储能电容的连接，此时由所述二级储能电容单独为雷达发射信号提供所需的峰值功率。2.根据权利要求1所述两级储能供电电路，其特征在于，所述电流检测与调制电路包括依次连接的采样电阻和MOSFET，所述采样电阻一端连接所述一级储能电容，另一端连接所述MOSFET，所述MOSFET—端连接所述采样电阻后，另一端还连接所述二级储能电容;在所述采样电阻两端还连接有差分放大电路，所述差分放大电路后级还依次连接有延时比较电路、门限比较与滞环电路和MOSFET驱动电路，所述MOSFET驱动电路还与所述MOSFET连接； 所述差分放大电路用于对所述采样电阻上的电压进行差分放大，经过差分放大之后的第一差分放大信号被送入所述延时比较电路进行延时处理为第二差分放大信号;所述延时比较电路在延时时间完成后，将所述第二差分放大信号送入所述门限比较与滞环电路，所述门限比较与滞环电路用于将所述第二差分放大信号进行回差处理，并输出回差信号；所述MOSFET驱动电路接收并根据所述回差信号开启或关闭所述MOSFET; 其中，所述回差信号用于避免MOSFET驱动电路频繁的开启所述MOSFT。3.根据权利要求2所述两级储能供电电路，其特征在于，所述MOSFET驱动电路连接所述MOSFET的栅极，所述采样电阻和二级储能电容分别连接所述MOSFET的源极或漏极。
【专利摘要】本实用新型公开了一种两级储能供电电路，包括依次连接的电源、一级储能电容、电流检测与调制电路和二级储能电容，所述电流检测与调制电路用于根据电路中的电压进行延时设定，并在延时时间完成之后断开一级储能电容与所述二级储能电容的连接；电源在开机阶段给一级储能电容和二级储能电容进行充电，而当雷达处于发射状态时，由所述电源和一级储能电容为雷达发射信号提供所需的峰值功率，在延时时间完成后，通过电流检测与调制电路断开一级储能电容与二级储能电容的连接，由二级储能电容单独为雷达的信号发射提供所需的峰值功率，目的在于提供一种瞬时功率较大、平均功率较小且输出供电允许一定跌落的两级储能供电电路。
【IPC分类】H02J7/36, H02J7/34
【公开号】CN205304361
【申请号】
【发明人】艾建, 李 灿, 管玉静, 吴凤鼎
【申请人】成都雷电微力科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月31日