具体需求进行调整，本实施例运用的弱磁性铁氧体在常温下，其相对磁导率在应用频点上小于5，并且越接近I越好，本实施例运用的高磁导铁氧体层磁导率高，磁损耗小。
[0068]本实施例中，如图2所示，所述线圈导体40包括多个上线状导体401、多个下线状导体403和用于连接所述上线状导体401和所述下线状导体403的通孔导体402。所述通孔导体402至少有四组(用于连接所述上线状导体与下线状导体的分布于中基板各层上并位于同一贯穿位置的所有的通孔导体称为一组，四组通孔导体即具有四个不同贯穿位置的的通孔导体402，本实施例中多于四组通孔导体)。所述通孔导体402贯穿所述中基板20和所述下基板30，所述上线状导体401与设于所述上基板10与所述中基板20之间的所述上线状导体401，和设于所述中基板20和所述下基板30之间的所述下线状导体403相连，所述上线状导体401印刷设于所述上基板10和所述中基板20相向侧的所述上基板10的面上(具体是在上基板10的底面上)；所述下线状导体403印刷设于所述下基板30和所述中基板20相向侧的所述中基板20的面上(具体是在第四子板205的面上)。所述上线状导体401与所述下线状导体403通过所述通孔导体402相连形成螺旋状的所述线圈导体40，更为具体的，所述上线状导体401和下线状导体403均为并列等间距排布，所述上线状导体401、下线状导体403的宽度与厚度均可按具体的器件性能要求进行设计。
[0069]本实施例中，如图2所示，所述中基板20为高磁导铁氧体与弱磁性铁氧体依次交替层叠而成奇数层，各层之间通过所述通孔导体402电连接，所述中基板包括2层弱磁性铁氧体和3层高磁导铁氧体，具体而言，所述中基板20由自上而下依次设置的第一子板201、第二子板202、芯板203、第三子板204、第四子板205层叠而成，所述芯板203、第一子板201和第四子板205均为高磁导铁氧体层，所述第二子板202和第三子板204均为弱磁性铁氧体层，所述通孔导体402贯穿所述第一子板201、第二子板202、芯板203、第三子板204、第四子板205。其中所述第一子板201和所述第四子板205的厚度均不大于ΙΟΟμπι，所述第二子板202和第三子板204的厚度均在50-200μηι内。当然，所述中基板20还可由弱磁性铁氧体与高磁导铁氧体依次交替层叠成偶数层，各层之间通过所述通孔导体电连接。如图2所示，因为靠近上下线状导体层插入高磁导铁氧体层，所以可以降低器件烧结开裂及弯曲变形的风险，因为中基板20设置了由两层弱磁性铁氧体层构成的第二子板202和第三子板204，可以使磁通8集中往中间层的高磁导铁氧体层的芯板203通过，如图5Α和图5Β所示，可以丰富天线器件的感应方向，提高天线器件的感应距离。
[0070]本实施例中，如图2和图3所示，所述中基板20上的所述通孔导体402设于所述中基板靠侧边601部位，更为具体地，所述通孔导体402与所述中基板20的侧边601的距离a为0-200μπι，本实施例中，所述通孔导体402与所述中基板20的侧边601的距离a为ΙΟΟμπι，当然，所述通孔导体402与所述中基板20的侧边601的距离a并不限于ΙΟΟμπι，还可为其它数值，通常而言，所述线圈导体的圈数越少距离a就越小。
[0071 ]本实施例中，如图2和图3所示，所述下基板30包括第一层板301和第一层板302，所述第一层板301上的所述通孔导体402设于其靠侧边601部位，所述第二层板302上的所述通孔导体402设于其同时靠侧边601和端部602的中间部位，所述端电极50设于所述第二层板302外底面并与所述第二层板302上的所述通孔导体402电连接，所述第一层板301和第二层板302之间通过引线404电连接，所述通孔导体402在所述第一层板301上和所述第二层板302上的贯穿位置相异，所述引线404印刷设于所述第一层板301和所述第二层板302相向侧的所述第一层板301的面上，用于连接所述第一层板301上和所述第二层板302上的贯穿位置相异的所述通孔导体402，本实施例中，更为具体地，所述通孔导体402与所述下基板30的第一层板301的侧边601的距离a为0-200μπι，本实施例中，所述通孔导体402与所述中基板20的侧边601的距离a为ΙΟΟμπι，当然，所述通孔导体402与所述中基板20和第一层板301的侧边601的距离a并不限于ΙΟΟμπι，还可为其它数值，通常而言，所述线圈导体40的圈数越少距离a就越小。
[0072]本实施例中，如图2和图4所示，所述端电极50距离第二层板302的端部602与侧边601应预留一定的距离，以防止镀层外延至基板端部602与侧边601上，影响器件性能；则更为具体的，所述端电极50的端电极侧边604与所述下基板30的端部602的距离b为不小于50μm，所述端电极50的端电极端面603与所述下基板30的侧边601的距离c为不小于50μπι。
[0073]本实施例与现有技术对比(如图6Α、图6Β和图7所示)的有益效果包括:本实施例为层叠而成的天线装置，分为上基板、中基板和下基板，其中，中基板为高磁导铁氧体与弱磁性铁氧体或弱磁性铁氧体与高磁导铁氧体交替层叠而成，上基板与下基板为弱磁性铁氧体层，这种天线体积小，易于贴装及成本低。
[0074]由于在中基板内部采用螺旋状的线圈导体因而能够优化天线近场感应的方向，从而具有感应方向多、用户体验好的技术效果。
[0075]下基板由第一层板和第二层板构成，通过引线方便将线圈导体偏离中基板中间部位的通孔导体与设于第二层板外部端部中线位置的端电极相连，设于中间部位端电极满足了贴装的要求。
[0076]本领域技术人员将认识到，对以上描述做出众多变通是可能的，所以实施例和附图仅是用来描述一个或多个特定实施方式。
[0077]尽管已经描述和叙述了被看作本实用新型的示范实施例，本领域技术人员将会明白，可以对其作出各种改变和替换，而不会脱离本实用新型的精神。另外，可以做出许多修改以将特定情况适配到本实用新型的教义，而不会脱离在此描述的本实用新型中心概念。所以，本实用新型不受限于在此披露的特定实施例，但本实用新型可能还包括属于本实用新型范围的所有实施例及其等同物。
【主权项】
1.一种叠层天线装置，其特征在于:包括由上基板、中基板和下基板层叠而成的磁体支架，以及设于所述下基板外底面上的端电极、设于所述中基板上的线圈导体，所述上基板和下基板为弱磁性铁氧体层，所述中基板由高磁导铁氧体与弱磁性铁氧体交替层叠而成或由弱磁性铁氧体与高磁导铁氧体交替层叠而成，所述端电极与所述线圈导体相连。2.如权利要求1所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述中基板包括至少一层弱磁性铁氧体和至少一层高磁导铁氧体。3.如权利要求2所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述线圈导体包括至少两个上线状导体、至少一个下线状导体和用于连接所述上线状导体和所述下线状导体的至少四组通孔导体，所述通孔导体贯穿所述中基板和所述下基板，所述通孔导体与设于所述上基板和所述中基板之间的所述上线状导体，和设于所述中基板和所述下基板之间的所述下线状导体相连。4.如权利要求3所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述上线状导体印刷设于所述上基板和所述中基板相向侧的任意一个面上，所述下线状导体印刷设于所述下基板和所述中基板相向侧的任意一个面上。5.如权利要求3所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述通孔导体在所述中基板上的贯穿位置靠侧边部位。6.如权利要求3所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述下基板包括第一层板和第二层板，所述通孔导体在所述第一层板上的贯穿位置靠侧边部位，在所述第二层板上的贯穿位置同时靠侧边和端部的中间部位，所述端电极设于所述第二层板的外底面，并与所述第二层板上的所述通孔导体电连接，所述第一层板和第二层板之间通过引线电连接。7.如权利要求6所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述通孔导体在所述第一层板上和所述第二层板上的贯穿位置相异，所述引线印刷设于所述第一层板和所述第二层板相向侧的任意一个面上，用于连接所述第一层板上和所述第二层板上的贯穿位置相异的所述通孔导体。8.如权利要求5-7中任一所述的叠层天线装置，其特征在于:所述通孔导体与所述中基板和所述下基板的第一层板的侧边距离均为0-200μπι，所述端电极的端电极侧边与所述下基板的端部的距离为不小于50μπι，所述端电极的端电极端面与所述下基板的侧边的距离为不小于50ymo9.如权利要求2所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述中基板为由高磁导铁氧体层与弱磁性铁氧体层依次交替层叠而成奇数层或偶数层，或由弱磁性铁氧体与高磁导铁氧体依次交替层叠成奇数层或偶数层。10.如权利要求9所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述中基板由自上而下依次设置的第一子板、第二子板、芯板、第三子板、第四子板层叠而成，所述芯板、第一子板和第四子板均为高磁导铁氧体层，所述第二子板和第三子板均为弱磁性铁氧体层，所述通孔导体贯穿所述第一子板、第二子板、芯板、第三子板和第四子板。11.如权利要求10所述的一种叠层天线装置，其特征在于:所述第一子板和所述第四子板的厚度均不大于ΙΟΟμπι，所述第二子板和第三子板的厚度均在50-200μπι之间。
【专利摘要】本实用新型公开了一种叠层天线装置，包括由上基板、中基板和下基板层叠而成的磁体支架，以及设于所述下基板外底面上的端电极、设于所述中基板上的线圈导体，所述上基板和下基板为弱磁性铁氧体层，所述中基板由高磁导铁氧体与弱磁性铁氧体交替层叠而成或由弱磁性铁氧体与高磁导铁氧体交替层叠而成，所述端电极与所述线圈导体相连。本实用新型具有感应方向多、体积小易于贴装的技术效果。
【IPC分类】H01Q1/38, H01Q1/24, H01Q1/27
【公开号】CN205303663
【申请号】
【发明人】施素立, 严清夏, 许斌, 王清华, 徐银辉, 贺艳青
【申请人】深圳顺络电子股份有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月9日